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一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构制造技术
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文档序号:25602942
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本发明公开了一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构,其特征在于,包括:硅衬底层;高热导率介质层,位于所述硅衬底层的上表面;缓冲层,位于所述高热导率介质层的上表面;沟道层,位于所述缓冲层的上表面;复合势垒层,位于所述沟道层的上表面,以构成散...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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