具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法技术

本发明专利技术题为“具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法”。本发明专利技术提供了一种生长金属二硫属元素化物原子层的图案的方法，该方法包括提供基底；在基底上提供碳纳米结构的对准图案；提供与碳纳米结构的图案的第一部分接触的第一金属部分和与碳纳米结构的图案的第二部分接触的第二金属部分；在基底和碳纳米结构的图案上沉积盐层；电阻加热碳纳米结构的图案以从基底去除碳纳米结构的图案和沉积在碳纳米结构的图案上的盐，其中从基底去除碳纳米结构的图案和沉积在碳纳米结构的图案上的盐在基底上提供盐图案；以及在盐图案上生长金属二硫属元素化物原子层，其中金属二硫属元素化物原子层以对准的图案提供，该对准的图案均具有预定宽度。本发明专利技术还公开了根据本公开的方法制备的金属二硫属元素化物原子层的图案。

【技术实现步骤摘要】
具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法
本公开整体涉及一种生长金属二硫属元素化物原子层的图案的方法。
技术介绍
鉴于摩尔工业定律(Moore’sLawofIndustry)(即，致密集成电路中的晶体管数量每两年增加一倍)，必须继续按比例缩小电子器件以满足日益增长的需求。然而，通常利用的光刻工艺受到掩模分辨率问题(一般约10nm-15nm)和/或所需的合成后加工(例如，用各种物质涂覆和转印到其他基底上)的限制，这不可避免地导致了对单层及其固有特性的污染。最近，金属二硫属元素化物原子层已经由于其有前途的光电和催化特性，尤其是在新一代电路的情境下，变成了密集研究的主题。然而，目前没有用于制备具有低纳米级宽度的单层带的可靠方法，该低纳米级宽度对于当前需求可为期望的。
技术实现思路
本公开涉及一种生长具有预定宽度(尤其是低于五纳米的宽度)的金属二硫属元素化物(尤其是过渡金属二硫属元素化物)原子层的图案的方法。该方法可包括以下步骤：提供基底；在该基底上提供碳纳米结构的对准图案；提供与该碳纳米结构的图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种生长金属二硫属元素化物原子层的图案的方法，所述方法包括：/n提供基底；/n在所述基底上提供碳纳米结构的对准图案；/n提供与所述碳纳米结构的图案的第一部分接触的第一金属部分和与碳纳米结构的图案的第二部分接触的第二金属部分；/n将盐层沉积在所述基底和所述碳纳米结构的图案上；/n电阻加热所述碳纳米结构的图案，以从所述基底去除所述碳纳米结构的图案和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐，其中从所述基底去除所述碳纳米结构的图案和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐在所述基底上提供盐图案；以及/n在所述盐图案上生长金属二硫属元素化物原子层/n其中所述金属二硫属元素化物原子层以对准的图案提供，所述对准的图案均...

【技术特征摘要】
20190301 US 16/290,4071.一种生长金属二硫属元素化物原子层的图案的方法，所述方法包括：
提供基底；
在所述基底上提供碳纳米结构的对准图案；
提供与所述碳纳米结构的图案的第一部分接触的第一金属部分和与碳纳米结构的图案的第二部分接触的第二金属部分；
将盐层沉积在所述基底和所述碳纳米结构的图案上；
电阻加热所述碳纳米结构的图案，以从所述基底去除所述碳纳米结构的图案和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐，其中从所述基底去除所述碳纳米结构的图案和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐在所述基底上提供盐图案；以及
在所述盐图案上生长金属二硫属元素化物原子层
其中所述金属二硫属元素化物原子层以对准的图案提供，所述对准的图案均具有预定宽度。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包含SiO2。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳纳米结构的图案包括碳纳米结构的条带。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳纳米结构包括碳纳米管。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属部分和/或所述第二金属部分包含选自Ti、Cu、Au以及它们的组合的金属。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述盐层包含NaBr。


7.根据权利要求1所述的方法，其中电阻加热所述碳纳米结构的图案以从所述基底去除所述碳纳米结构的图案和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐包括：
提供由电压源、所述第一金属部分、所述第二金属部分、金属布线和所述碳纳米结构的图案形成的电网络；以及
使电流流过所述电网络以蚀刻所述碳纳米结构的图案的至少一部分。


8.根据权利要求7所述的方法，其中通过电阻加热从所述基底去除所述碳纳米结构的图案的约100％和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐。


9.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属布线包含选自Ti、Cu、Au以及它们的组合的金属。


10.根据权利要求1所述的方法，其中所述盐图案包括条带盐。


11.根据权利要求1所述的方法，其中所述盐条带中的每一个的宽度不超过约5nm。


12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述盐图案上生长所述金属二硫属元素化物原子层包括将金属氧化物和硫属元素热共沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿韦季克·哈鲁特云岩，
申请(专利权)人：本田技研工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP