【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及低功率硅热传感器和微射流装置,这些传感器和装置利用微机加工技术制造下面有一孔的多孔硅薄膜。热传感器所采用的结构是紧密型的(在一孔顶部的多孔硅薄膜),在微射流装置中也采用同样的技术来打开在顶部有多孔硅薄膜的微通路。
技术介绍
硅热流传感器以液体和装置中的热元件之间的热交换为基础,它们在相对较高的温度中保存,该较高温度可达100-180℃。在硅热气传感器中,这个温度有时得超过400℃。为了保持这个温度的稳定,加热器的电功率不得不补偿由于传导、对流和辐射而导致的热流失。由通过基片进行的传导而导致的流失能够达到最小,如果在其上装配装置的有源元件的这个基片是一下面有一孔的薄膜,而非块状晶体硅的话,(块状硅的热传导率K=145W/m.K,空气热传导率K=2.62×10-2W/m.K)。现已已开发出制造悬在块状硅的孔上的桥状薄膜的不同方法。通过利用块状硅微机加工技术,A.G.Nassiopoulou and G.KALTSAS公司(专利N'OBI 1003010,专利N'PCT/GR/00040,由世界知识产权 ...
【技术保护点】
用于在一硅基片(1)、(15)上形成封闭的或开放的微射流通路(3)、(16)的方法;多孔硅的掩蔽层与硅基片在同一平面上;所使用的方法是电化学溶解和硅的电抛光的结合,电化学溶解和硅的电抛光使用低于(用于多孔硅的形成)或高于(用于电抛光)临界值的一个电流密度;制造方法如下:在硅基片(1)、(15)的后侧上首先形成一个欧姆接触(26),该欧姆接触用作硅的电化学溶解的阳极以使在硅上局部形成多孔硅层(2)、(17),然后在硅基片的前侧沉积并形成有用于局部多孔硅的形成的掩蔽层;多孔硅层(2)、(17)用于封闭微射流通路(3)、(16),该微射流通路采用一次性电化学步骤形成,该电化学步骤 ...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:阿多拉G那斯阿普罗,格里哥里斯卡查斯,第密特罗斯尼古劳斯帕哥尼斯,
申请(专利权)人:德默克里托斯国家科学研究中心,阿多拉G那斯阿普罗,
类型:发明
国别省市:GR[希腊]
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