一种负极片及其制备方法和应用技术

技术编号:25484582 阅读:36 留言:0更新日期:2020-09-01 23:04
本发明专利技术提供了一种负极片及其制备方法和应用。本发明专利技术第一方面提供了一种负极片,所述负极片包括集流体和N层活性层,所述活性层包括碳材料和硅材料,所述活性层的层数集合记为S={1,2,…,i‑1,i,…,N},N≥2,其中,第一层活性层指向第N层活性层的方向为逐渐远离所述集流体的方向;其中,第(i‑1)层活性层中所述硅材料的质量大于第i层活性层中所述硅材料的质量,第(i‑1)层活性层中所述碳材料的质量小于第i层活性层中所述碳材料质量。本发明专利技术提供的负极片,通过硅材料的质量逐层递减,碳材料的质量逐层递增的方式,可有效防止循环过程中负极片掉粉,降低了负极片的体积膨胀率,提高了负极片的循环性能。

【技术实现步骤摘要】
一种负极片及其制备方法和应用
本专利技术涉及一种负极片及其制备方法和应用,涉及锂离子电池

技术介绍
随着新能源的发展,锂离子电池在各个领域中得到了长足的发展。其中锂离子电池的负极片的选择和制备对于锂离子电池的性能有很大的影响。而碳材料具备电导率优异,膨胀率较低,自然界储存丰富,循环稳定好,库伦效率高等优点,使得碳材料成为锂离子电池负极片中应用最广泛的负极材料。但是,由于碳材料理论容量较低,并且目前碳材料实际发挥出的容量已接近碳材料的理论容量,尤其例如石墨(372mAh/g),导致锂离子电池向高能量密度的发展受到了限制。随着负极材料技术的不断发展和进步,本领域技术人员发现硅材料的理论容量较高(4200mAh/g),同时具备良好的循环性能,有助于解决碳材料理论容量较低无法进一步提高锂离子电池的能量密度的问题。但是,由于硅材料体积粉化较为严重,导致包含硅材料的负极片体积膨胀较为严重、循环衰减较快,硅材料性能无法得到有效发挥。
技术实现思路
本专利技术提供一种负极片及其制备方法,用于解决包含硅材料的负极片体积膨胀较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负极片,其特征在于,所述负极片包括集流体和N层活性层,所述活性层包括碳材料和硅材料,所述活性层的层数集合记为S={1,2,…,i-1,i,…,N},N≥2,其中,第一层活性层指向第N层活性层的方向为逐渐远离所述集流体的方向;/n其中,第(i-1)层活性层中所述硅材料的质量大于第i层活性层中所述硅材料的质量,第(i-1)层活性层中所述碳材料的质量小于第i层活性层中所述碳材料质量。/n

【技术特征摘要】
1.一种负极片,其特征在于,所述负极片包括集流体和N层活性层,所述活性层包括碳材料和硅材料,所述活性层的层数集合记为S={1,2,…,i-1,i,…,N},N≥2,其中,第一层活性层指向第N层活性层的方向为逐渐远离所述集流体的方向;
其中,第(i-1)层活性层中所述硅材料的质量大于第i层活性层中所述硅材料的质量,第(i-1)层活性层中所述碳材料的质量小于第i层活性层中所述碳材料质量。


2.根据权利要求1所述的负极片,其特征在于,第一层活性层中硅材料的质量不高于所述硅材料和所述碳材料总质量的90%,第N层活性层中硅材料的质量不低于所述硅材料和所述碳材料总质量的10%。


3.根据权利要求1-2任一项所述的负极片,其特征在于,在所述硅材料质量为所述硅材料和所述碳材料总质量50-90%的所述活性层上分别设置导电层。


4.根据权利要求3所述的负极片,其特征在于,所述导电层的厚度随所述活性层中硅材料质量的降低逐层递减。


5.根据权利要求3或4所述的负极片,其特征在于,所述导电层的总厚度为0....

【专利技术属性】
技术研发人员:袁号李素丽赵伟李俊义徐延铭
申请(专利权)人:珠海冠宇电池股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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