System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 隔膜和电池制造技术_技高网

隔膜和电池制造技术

技术编号:41262066 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-11 09:19
本发明专利技术涉及电池领域,具体涉及一种隔膜以及包括该隔膜的电池。所述隔膜包括涂层,所述涂层的荧光光谱图的荧光峰峰值位于300nm‑500nm,所述荧光峰的半峰宽为50nm‑150nm。本发明专利技术的隔膜能够有效缓解氟代碳酸乙烯酯对电池高温性能的影响。本发明专利技术的电池具有优异的高温循环性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电池领域,具体涉及一种隔膜和包括该隔膜的电池。


技术介绍

1、锂离子电池(libs)因其能量密度高,循环寿命长,荷电保持能力强以及绿色环保等优势广泛应用于移动通信、电动汽车和可再生能源领域。然而,随着人们生活水平的提高,对长续航,轻便等方面提出更高的要求。传统石墨负极的能量密度已经接近于理论极限,因此需要开发出具有更高能量密度的材料。其中,硅材料因其超高克容量(4200mah/g)被认为是最有前景的负极材料之一。

2、但是,硅材料由于其高膨胀,易粉碎破裂,导致电池的极化增大,最后出现失效。研究发现,可以在电解液中添加氟代碳酸乙烯酯(fec)。fec能够在电池循环过程中形成聚合物,有效缓解硅材料膨胀易碎的问题。然而fec的引入会对电池的高温性能带来挑战。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的上述问题,提供一种隔膜和包括该隔膜的电池。本专利技术的隔膜能够有效缓解fec对电池高温性能的影响。本专利技术的电池具有优异的高温循环性能。

2、本专利技术第一方面提供了一种隔膜,所述隔膜包括涂层,所述涂层的荧光光谱图的荧光峰峰值位于300nm-500nm,所述荧光峰的半峰宽为50nm-150nm。

3、本专利技术第二方面提供了一种电池,所述电池包括本专利技术第一方面所述的隔膜。

4、通过上述技术方案,本专利技术与现有技术相比至少具有以下优势:

5、(1)本专利技术的隔膜能够有效吸附电解液中的pf5,减缓fec的分解,有助于延长电池的循环寿命,使电池保持稳定的能量密度;

6、(2)本专利技术的隔膜能够有效吸附电解液中的pf5、h+和金属离子,能够提高电池的高温循环性能。

7、在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值,这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说,各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间,以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围,这些数值范围应被视为在本文中具体公开。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种隔膜,其特征在于,所述隔膜包括涂层,所述涂层的荧光光谱图的荧光峰峰值位于300nm-500nm,所述荧光峰的半峰宽为50nm-150nm。

2.根据权利要求1所述的隔膜,其中,所述涂层的荧光光谱图的荧光峰峰值位于390nm-463nm,所述荧光峰的半峰宽为90nm-130nm;

3.根据权利要求1所述的隔膜,其中,所述涂层包括聚合物添加剂,所述聚合物添加剂包括n元杂环,所述n元杂环包括元素N、元素S和元素O中至少一种,n为3-7的正整数;

4.根据权利要求3所述的隔膜,其中,所述涂层还包括粘结剂,所述聚合物添加剂和所述粘结剂的质量比为1:(5-15);优选为1:(8-12);

5.根据权利要求1所述的隔膜,其中,单位体积的所述隔膜对Cu2+的吸附率为1%/100mm3-13%/100mm3;优选为5%/100mm3-13%/100mm3;

6.根据权利要求1所述的隔膜,其中,所述隔膜还包括基材,所述涂层位于所述基材至少一侧表面;

7.根据权利要求6所述的隔膜,其中,所述隔膜的厚度为7μm-14μm;优选为11μm-13μm;

8.根据权利要求1所述的隔膜,其中,所述隔膜的拉伸强度为120Mpa-220Mpa;优选为160Mpa-185Mpa;

9.一种电池,其特征在于,所述电池包括权利要求1-8中任一项所述的隔膜。

10.根据权利要求9所述的电池,其中,所述电池还包括电解液,所述隔膜包括元素N,所述隔膜中元素N的质量和所述电解液的质量的比为1:(50-350);优选为1:(105-150);

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【技术特征摘要】

1.一种隔膜,其特征在于,所述隔膜包括涂层,所述涂层的荧光光谱图的荧光峰峰值位于300nm-500nm,所述荧光峰的半峰宽为50nm-150nm。

2.根据权利要求1所述的隔膜,其中,所述涂层的荧光光谱图的荧光峰峰值位于390nm-463nm,所述荧光峰的半峰宽为90nm-130nm;

3.根据权利要求1所述的隔膜,其中,所述涂层包括聚合物添加剂,所述聚合物添加剂包括n元杂环,所述n元杂环包括元素n、元素s和元素o中至少一种,n为3-7的正整数;

4.根据权利要求3所述的隔膜,其中,所述涂层还包括粘结剂,所述聚合物添加剂和所述粘结剂的质量比为1:(5-15);优选为1:(8-12);

5.根据权利要求1所述的隔膜,其中,单位体积的所述隔膜对cu2+的吸附率为...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘建奇何柳青方嘉琳王烽
申请(专利权)人:珠海冠宇电池股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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