一种静电吸盘及晶圆测试方法技术

本发明专利技术提供一种静电吸盘及晶圆测试方法，静电吸盘包括用于承载待吸附物的基板；设置在基板的上方的绝缘层，其通过静电力吸附待吸附物；设置在基板和/或绝缘层中的导电部，其与待吸附物的背面的至少部分区域接触。晶圆测试方法采用上述静电吸盘吸附晶圆，并通过导电部导通真空吸盘和晶圆背面。本发明专利技术的静电吸盘可以放置在Taiko晶圆背面的凹陷区，使得Taiko晶圆的背面整体呈平面式，可以直接放置在传统测试机台的平面式的真空吸盘上进行测试。non‑Taiko晶圆的背面也可以放置与其尺寸相当的静电吸盘，不影响其在传统机台上的测试。如此，免去了设备改造成本，提供了测试机台的通用性及利用率，由此降低了晶圆测试成本。通过静电力吸附晶圆能够降低破片率。

【技术实现步骤摘要】
一种静电吸盘及晶圆测试方法
本专利技术涉及集成电路
，具体地涉及半导体功率器件制造领域，更具体地涉及一种静电吸盘及晶圆测试方法。
技术介绍
在集成电路中，功率器件是一个重要的应用领域。功率器件制造过程中，晶圆的背面工艺制程对器件电阻的降低及后续的封装都有重要影响。对于背面工艺制程的研磨工艺，现有技术中主要有Taiko工艺和非Taiko的传统研磨工艺。采用Taiko工艺对晶圆进行研磨时，将保留晶圆外围的边缘部分，只对晶圆内进行研磨薄型化。该工艺能够降低薄型晶圆的搬运风险，并且能够减少传统研磨工艺造成的晶圆翘曲现象，提高晶圆的强度。然而，由于Taiko工艺处理后的晶圆(简称Taiko晶圆)背面存在凹陷区，而传统研磨工艺处理后的晶圆(简称传统晶圆)背面为平面式，这就导致测试传统晶圆的平面式真空吸盘无法载放Taiko晶圆。为了测试Taiko晶圆，目前常用的方法都是通过更改真空吸盘的样式来配合吸附放置Taiko晶圆，例如将真空吸盘设置为具有与Taiko晶圆背面的凹陷区对应的凸台。这种更改真空吸盘的方式涉及到设备改造，势必会增加测试成本，并且改造后无法零成本还原，因此无法兼容测试传统晶圆。由此导致晶圆测试机台的利用率降低，晶圆测试成本增加。
技术实现思路
鉴于现有技术的上述缺陷和不足，本专利技术提供一种静电吸盘及晶圆测试方法，通过该静电吸盘及晶圆测试方法，使Taiko晶圆能够在传统测试机台上进行测试，而不必对测试机台做出任何更改，从而提高晶圆测试机台的利用率，降低晶圆测试成本。根据本专利技术的第一方面，本专利技术提供了一种静电吸盘，包括：基板，用于承载待吸附物；绝缘层，设置在所述基板的上方，并且通过静电力吸附所述待吸附物；导电部，设置在所述基板和/或所述绝缘层中，与所述待吸附物的背面的至少部分区域接触。可选地，所述待吸附物包括晶圆，所述晶圆的背面存在凹陷区，所述凹陷区的厚度小于所述晶圆的外围边缘的厚度；所述静电吸盘吸附所述晶圆，并且所述静电吸盘的至少部分区域填充所述凹陷区，将所述晶圆放置在测试机台上进行测试时，所述晶圆的背面通过所述导电部与所述测试机台导通。可选地，所述待吸附物包括晶圆，所述晶圆的背面呈现平面式，所述静电吸盘吸附所述晶圆，并且将所述晶圆放置在测试机台上进行测试时，所述晶圆的背面通过所述导电部与所述测试机台导通。可选地，所述基板和所述绝缘层的直径相同，所述基板和所述绝缘层的直径介于188mm～315mm，所述绝缘层的厚度介于50μm～280μm，所述基板和所述绝缘层的厚度之和介于250μm～720μm。可选地，所述基板包括绝缘材料或半导体材料；所述导电部包括设置在所述基板和所述绝缘层中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述基板和所述绝缘层。可选地，所述基板包括导体材料；所述导电部包括设置在所述绝缘层中的至少一个导电孔和填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电孔贯穿所述绝缘层并且与所述基板导通。可选地，所述导电孔的中心距离所述静电吸盘的边缘5000μm～10000μm，并且所述导电孔以同心圆的形式分布在所述静电吸盘中，所述导电孔的直径介于1450μm～1600μm。可选地，所述绝缘层的直径小于所述基板的直径，并且在所述基板的中间区域形成突出部，所述突出部填充所述凹陷区；所述基板包括绝缘材料或半导体材料，所述导电部包括设置在所述基板的边缘部分中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述基板的边缘部分。可选地，所述绝缘层的直径介于188mm～290mm，厚度介于700μm～720μm；所述基板的直径介于198mm～302mm，厚度介于200μm～300μm。可选地，所述基板包括多层结构，所述基板包括绝缘材料或半导体材料，所述基板中的部分层结构形成与所述绝缘层连接的第一基部，所述基板中的其余层结构形成位于所述第一基部下方的第二基部；所述绝缘层和所述第一基部的直径相同且小于所述第二基部的直径，并且所述绝缘层和所述第一基部在所述第二基部的中间区域形成突出部；所述导电部包括设置在所述第二基部的边缘部分中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述第二基部的边缘部分。可选地，所述绝缘层和所述第一基部形成的突出部的直径介于188mm～290mm，厚度介于700μm～720μm，其中，所述绝缘层的厚度介于200μm～280μm；所述第二基部的直径介于198mm～302mm，厚度介于200μm～300μm。可选地，所述基板包括多层结构，所述基板中的部分层结构形成与所述绝缘层连接的第一基部，所述基板中的其余层结构形成位于所述第一基部外侧的环状的第二基部，所述第二基部包含与所述待吸附物接触的部分，所述基板包括绝缘体或半导体材料；其中，所述绝缘层和所述第一基部的直径相同且小于所述第二基部的直径，所述绝缘层和部分所述第一基部形成突出部，所述导电部包括设置在所述第二基部中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述第二基部。可选地，所述绝缘层和部分所述第一基部形成的所述突出部的直径介于188mm～290mm，厚度介于700μm～720μm，其中所述绝缘层的厚度介于200μm～280μm；所述第二基部的外径介于198mm～302mm，内径介于188mm～290mm，厚度介于200μm～300μm，所述第一基部的另一部分与所述第二基部的厚度相等。可选地，所述导电孔的中心距离所述静电吸盘的边缘900μm～1050μm，并且所述导电孔以同心圆的形式分布在所述静电吸盘中，所述导电孔的直径介于1450μm～1600μm。可选地，所述静电吸盘还包括静电吸附控制器、静电充电孔以及静电电极，其中，所述静电吸附控制器通过所述静电充电孔向所述静电电极充电或者放电；所述静电充电孔设置在所述基板和所述绝缘层中，并且部完全贯穿所述绝缘层；所述静电电极均匀分布在所述绝缘层内，并且所述静电电极的分布对应于所述待吸附物的测试区域以外的区域。根据本专利技术的第二方面，本专利技术提供一种静电吸盘，包括：基板，用于承载待吸附物；绝缘层，设置在所述基板的上方，并且通过静电力吸附所述待吸附物；其中，所述基板包括与所述待吸附物的背面导通的导电部分。可选地，所述待吸附物包括晶圆，所述晶圆的背面存在凹陷区，所述凹陷区的厚度小于所述晶圆的外围边缘的厚度；所述静电吸盘吸附所述晶圆，并且所述静电吸盘的至少部分区域填充所述凹陷区，将所述晶圆放置在测试机台上进行测试时，所述晶圆的背面通过所述导电部分与所述测试机台导通。可选地，所述待吸附物包括晶圆，所述晶圆的背面呈现平面式，所述静电吸盘吸附所述晶圆，并且将所述晶圆放置在测试机台上进行测试时，所述晶圆的背面通过所述导电部分与所述测试机台导通。可选地，所述绝缘层在所述基板的中间部分形成突出部，所述突出部填充在所述晶圆的所述凹陷区，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸盘，其特征在于，包括：/n基板，用于承载待吸附物；/n绝缘层，设置在所述基板的上方，并且通过静电力吸附所述待吸附物；/n导电部，设置在所述基板和/或所述绝缘层中，与所述待吸附物的背面的至少部分区域接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，其特征在于，包括：
基板，用于承载待吸附物；
绝缘层，设置在所述基板的上方，并且通过静电力吸附所述待吸附物；
导电部，设置在所述基板和/或所述绝缘层中，与所述待吸附物的背面的至少部分区域接触。


2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述待吸附物包括晶圆，所述晶圆的背面存在凹陷区，所述凹陷区的厚度小于所述晶圆的外围边缘的厚度；所述静电吸盘吸附所述晶圆，并且所述静电吸盘的至少部分区域填充所述凹陷区，将所述晶圆放置在测试机台上进行测试时，所述晶圆的背面通过所述导电部与所述测试机台导通。


3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述待吸附物包括晶圆，所述晶圆的背面呈现平面式，所述静电吸盘吸附所述晶圆，并且将所述晶圆放置在测试机台上进行测试时，所述晶圆的背面通过所述导电部与所述测试机台导通。


4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基板和所述绝缘层的直径相同，所述基板和所述绝缘层的直径介于188mm～315mm，所述绝缘层的厚度介于50μm～280μm，所述基板和所述绝缘层的厚度之和介于250μm～720μm。


5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基板包括绝缘材料或半导体材料；所述导电部包括设置在所述基板和所述绝缘层中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述基板和所述绝缘层。


6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基板包括导体材料；所述导电部包括设置在所述绝缘层中的至少一个导电孔和填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电孔贯穿所述绝缘层并且与所述基板导通。


7.根据权利要求5或6所述的静电吸盘，其特征在于，所述导电孔的中心距离所述静电吸盘的边缘5000μm～10000μm，并且所述导电孔以同心圆的形式分布在所述静电吸盘中，所述导电孔的直径介于1450μm～1600μm。


8.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，所述绝缘层的直径小于所述基板的直径，并且在所述基板的中间区域形成突出部，所述突出部填充所述凹陷区；所述基板包括绝缘材料或半导体材料，所述导电部包括设置在所述基板的边缘部分中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述基板的边缘部分。


9.根据权利要求8所述的静电吸盘，其特征在于，所述绝缘层的直径介于188mm～290mm，厚度介于700μm～720μm；所述基板的直径介于198mm～302mm，厚度介于200μm～300μm。


10.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基板包括多层结构，所述基板包括绝缘材料或半导体材料，所述基板中的部分层结构形成与所述绝缘层连接的第一基部，所述基板中的其余层结构形成位于所述第一基部下方的第二基部；
所述绝缘层和所述第一基部的直径相同且小于所述第二基部的直径，并且所述绝缘层和所述第一基部在所述第二基部的中间区域形成突出部；
所述导电部包括设置在所述第二基部的边缘部分中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述第二基部的边缘部分。


11.根据权利要求10所述的静电吸盘，其特征在于，所述绝缘层和所述第一基部形成的突出部的直径介于188mm～290mm，厚度介于700μm～720μm，其中，所述绝缘层的厚度介于200μm～280μm；所述第二基部的直径介于198mm～302mm，厚度介于200μm～300μm。


12.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基板包括多层结构，所述基板中的部分层结构形成与所述绝缘层连接的第一基部，所述基板中的其余层结构形成位于所述第一基部外侧的环状的第二基部，所述第二基部包含与所述待吸附物接触的部分，所述基板包括绝缘体或半导体材料；
其中，所述绝缘层和所述第一基部的直径相同且小于所述第二基部的直径，所述绝缘层和部分所述第一基部形成突出部，所述导电部包括设置在所述第二基部中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述第二基部。


13.根据权利要求12所述的静电吸盘，其特征在于，所述绝缘层和部分所述第一基部形成的所述突出部的直径介于188mm～290mm，厚度介于700μm～720μm，其中所述绝缘层的厚度介于200μm～280μm；所述第二基部的外径介于198mm～302mm，内径介于188mm～290mm，厚度介于200μm～300μm，所述第一基部的另一部分与所述第二基部的厚度相等。


14.根据权利要求8-13中任一项所述的静电吸盘，其特征在于，所述导电孔的中心距离所述静电吸盘的边缘900μm～1050μm，并且所述导电孔以同心圆的形式分布在所述静电吸盘中，所述导电孔的直径介于1450μm～1600μm。


15.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘还包括静电吸附控制器、静电充电孔以及静电电极，
其中，所述静电吸附控制器通过所述静电充电孔向所述静电电极充电或者放电；
所述静电充电孔设置在所述基板和所述绝缘层中，并且部完全贯穿所述绝缘层；
所述静电电极均匀分布在所述绝缘层内，并且所述静电电极的分布对应于所述待吸附物的测试区域以外的区域。


16.一种静电吸盘，其特征在于，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱海斌，严大生，蔡育源，徐传贤，司徒道海，李秉隆，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37