本实用新型专利技术公开了一种片叉及硅片交接装置，其属于半导体技术领域，片叉包括片叉本体，所述片叉本体具有用于吸附硅片的吸附面，所述吸附面上设置有多个出气孔，多个所述出气孔喷出的气体朝所述吸附面外侧倾斜。由于气体的喷射方向倾斜，当吸附某一槽的硅片时，不会导致相邻槽的硅片变形损伤。硅片交接装置包括上述片叉、工作台和移位机构，工作台上形成有负压吸附区，移位机构用于带动片叉移动。出气孔倾斜喷出气体形成正压吸附区，负压吸附区与正压吸附区配合，使得硅片的交接定位准确，硅片不会发生移位现象，提高传送效率和产品精度。
【技术实现步骤摘要】
一种片叉及硅片交接装置
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种片叉及硅片交接装置。
技术介绍
在半导体行业，硅片的传输与定位是加工生产的重要部分。现有技术中，一般通过机械手带动片叉移动，片叉的一侧设置有气孔，能够向外喷气产生吸附力，能够吸附硅片，进而实现硅片的移动和传送。现有的片叉，工作原理如图1所示，气孔的出气方向与片叉100的表面平行，当片叉100吸取第n槽硅片200时，由于气流水平流动，位于第n槽硅片200上方的第n+1槽硅片200，下表面的气体流速大于上表面的气体流速，使得第n+1槽硅片200会受到向下的吸引力，由于硅片200较薄，会产生较大的变形，导致硅片200损伤。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种片叉及硅片交接装置，以解决现有技术中存在的片叉吸附某一槽的硅片时会导致相邻槽的硅片变形损伤的技术问题。如上构思，本技术所采用的技术方案是：一种片叉，包括片叉本体，所述片叉本体具有用于吸附硅片的吸附面，所述吸附面上设置有多个出气孔，多个所述出气孔喷出的气体朝所述吸附面外侧倾斜。其中，所述片叉本体内设置有至少一条气路，所述气路的出气端与所述出气孔连通，于气体的流动方向上设置有斜面，所述斜面与所述吸附面之间的夹角为锐角。其中，所述斜面设置于所述气路与所述出气孔的交接处，气体沿所述斜面自所述气路流至所述出气孔。其中，所述斜面与所述吸附面相连且位于所述出气孔的下游，气体自所述气路流至所述出气孔沿所述斜面流出。其中，沿气体的流动方向，所述气路的流通面积逐渐减小。其中，所述气路包括主路和至少两个支路，每个所述支路连通至少一个所述出气孔。其中，所述吸附面上具有中心位置，多个所述出气孔绕所述中心位置呈环形分布。其中，所述吸附面上设置有防滑垫，位于所述吸附面的硅片与所述防滑垫接触，所述防滑垫上设置有凹凸相隔的纹路。一种硅片交接装置，包括如上所述的片叉，还包括：工作台，具有交接工位，所述交接工位处设置有多个吸气孔，多个所述吸气孔能够向内吸入气体利用真空形成负压吸附区以吸附硅片；移位机构，与所述片叉连接，能够带动所述片叉移动至所述交接工位完成硅片的交接。其中，所述移位机构包括：支撑部；第一支撑杆，与所述支撑部转动连接；第二支撑杆，一端与所述第一支撑杆转动连接，另一端与所述片叉转动连接，所述片叉能够沿直线移动。本技术的有益效果：本技术提出的片叉，多个出气孔喷出的气体朝吸附面外侧倾斜，以使吸附面气压降低，利用伯努利效应形成正压吸附区，能够吸附硅片，由于气体的喷射方向倾斜，当吸附某一槽的硅片时，不会导致相邻槽的硅片变形损伤。本技术提出的硅片交接装置，通过在工作台上设置负压吸附区，能够对硅片进行定位，当片叉移动至交接工位来吸附硅片时，不会导致硅片移位；通过片叉上的出气孔倾斜喷出气体形成正压吸附区，利用伯努利效应来吸附硅片，由于喷射气体的存在，硅片与吸附面之间无接触，不会对硅片表面造成划伤，吸附效果好。负压吸附区与正压吸附区配合，使得硅片的交接定位准确，硅片不会发生移位现象，提高传送效率和产品精度。附图说明图1是现有的片叉吸附硅片时的示意图；图2是本技术实施例一提供的片叉吸附硅片时的示意图；图3是本技术实施例一提供的片叉的结构示意图；图4是图3中的片叉的部分结构的一个视角的分解示意图；图5是图3中的片叉的部分结构的另一个视角的分解示意图；图6是本技术实施例一提供的片叉的部分结构的剖视图；图7是图6的A处的放大图；图8是本技术实施例一提供的片叉与工作台配合时的示意图；图9是本技术实施例一提供的片叉在片盒内取片时的示意图；图10是本技术实施例二提供的片叉的结构示意图；图11是图10中的片叉的分解结构示意图；图12是本技术实施例二提供的片叉的部分结构的剖视图；图13是图12的B处的放大图。图1中：100、片叉；200、硅片；图2-图13中：10、硅片；20、片盒；1、片叉；101、第一本体；1011、开口；102、第二本体；11、吸附面；12、出气孔；13、气路；14、斜面；151、凸台；152、斜坡；16、传感器；17、防滑垫；18、线槽；2、工作台；3、移位机构；31、支撑部；32、第一支撑杆；33、第二支撑杆。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。实施例一参见图2和图3，本技术实施例提供一种片叉，用于吸附硅片10。片叉1包括片叉本体，片叉本体具有用于吸附硅片10的吸附面11，吸附面11上设置有多个出气孔12，多个出气孔12喷出的气体朝吸附面11外侧倾斜，以使吸附面11气压降低，利用伯努利效应形成正压吸附区以吸附硅片10。由于气体的喷射方向倾斜，当吸附某一槽的硅片10时，不会导致相邻槽的硅片10变形损伤。附图中箭头所示为气体的流动方向。由于硅片10多为圆形，吸附面11上具有中心位置，多个出气孔12绕中心位置呈环形分布。每个片叉1上的出气孔12的数量可根据需要设置，当需要吸附的硅片10的直径较大时，设置较多的出气孔12，以提供较大的吸附力。参见图4和图5，片叉本体内设置有至少一条气路13，气路13的出气端与出气孔12连通，气路13的进气端与气体产生装置连通。可以对应一个出气孔12设置一条气路13，也可以一条气路13连通多个出气孔12，例如，气路13包括主路和至少两个支路，每个支路连通至少一个出气孔12。参见图6和图7，气路13的流本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种片叉，其特征在于，包括片叉本体，所述片叉本体具有用于吸附硅片(10)的吸附面(11)，所述吸附面(11)上设置有多个出气孔(12)，多个所述出气孔(12)喷出的气体朝所述吸附面(11)外侧倾斜。/n
【技术特征摘要】
1.一种片叉，其特征在于，包括片叉本体，所述片叉本体具有用于吸附硅片(10)的吸附面(11)，所述吸附面(11)上设置有多个出气孔(12)，多个所述出气孔(12)喷出的气体朝所述吸附面(11)外侧倾斜。
2.根据权利要求1所述的片叉，其特征在于，所述片叉本体内设置有至少一条气路(13)，所述气路(13)的出气端与所述出气孔(12)连通，于气体的流动方向上设置有斜面(14)，所述斜面(14)与所述吸附面(11)之间的夹角为锐角。
3.根据权利要求2所述的片叉，其特征在于，所述斜面(14)设置于所述气路(13)与所述出气孔(12)的交接处，气体沿所述斜面(14)自所述气路(13)流至所述出气孔(12)。
4.根据权利要求2所述的片叉，其特征在于，所述斜面(14)与所述吸附面(11)相连且位于所述出气孔(12)的下游，气体自所述气路(13)流至所述出气孔(12)沿所述斜面(14)流出。
5.根据权利要求2所述的片叉，其特征在于，沿气体的流动方向，所述气路(13)的流通面积逐渐减小。
6.根据权利要求2所述的片叉，其特征在于，所述气路(13)包括主路和至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，王刚，董洪波，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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