一种芯片封装用载体制造技术

本实用新型专利技术涉及一种芯片封装用载体，其包括载板、热解膜和双面膜；热解膜贴在载板上，双面膜贴在热解膜上，热解膜用于粘贴芯片的矩阵阵列；热解膜的与载板粘贴的膜面具有粘性且加热后粘性消失，双面膜的双面具有粘性。该载体可以用于粘贴芯片的矩阵阵列，为矩阵排列的芯片的统一封装提供支撑。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装用载体
本技术涉及LED芯片封装
，具体涉及一种芯片封装用载体。
技术介绍
在LED灯的制造过程中，需要对LED芯片进行封装。传统的LED芯片封装工艺是对LED芯片逐个点胶，较为费时，生产成本高，而且难以控制并且减少LED芯片封装的体积以及厚度。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术的目的是提供一种芯片封装用载体，该载体可以用于粘贴芯片的矩阵阵列，为矩阵阵列中芯片的统一封装提供支撑。为实现本技术的目的，本技术提供了一种芯片封装用载体，其包括载板、热解膜和双面膜；热解膜贴在载板上，双面膜贴在热解膜上，热解膜用于粘贴芯片的矩阵阵列；热解膜的与载板粘贴的膜面具有粘性且加热后粘性消失，双面膜的双面具有粘性。由上可见，本技术提供的载体包括载板、热解膜和双面膜，其中载板能够提供支撑，热解膜粘贴载板并且在加热后容易从载板上剥离，双面膜双面具有粘性，一面用于粘贴热解膜，另一面用于粘贴芯片的矩阵阵列。矩阵排列的芯片定位在载体上，然后统一涂覆胶水进行封装，胶水固化后剥离载板，再进行切割，可以获得单个的芯片封装件。本技术的载体能够为芯片批量化封装制造提供支撑。进一步的技术方案是，载板的与热解膜粘贴的板面上设有矩阵阵列标记，矩阵阵列标记透过热解膜和双面膜是可见的。由上可见，本技术在载板上设置矩阵阵列标记，热解膜和双面膜具有一定的透明度，根据矩阵阵列标记在热解膜上排布芯片，能够提高芯片的定位准确性。由于载板能够重复利用，矩阵阵列标记设置在载板上有利于多次排布芯片时利用矩阵阵列标记进行定位。进一步的技术方案是，矩阵阵列标记设置在载板的中间。由上可见，本技术的矩阵阵列标记设置在载板中间，在芯片封装过程中，矩阵阵列以外的其他空余位置可供夹具夹紧载体、承载溢出的多余胶水以及支撑压平胶水的压件等使用。进一步的技术方案是，载板为钢板，双面膜为硅胶双面膜。由上可见，本技术的载板为钢板，具有较高的力学性能，不易变形，能够提供稳定的支撑作用。双面膜为硅胶双面膜，具有良好的粘结性能。进一步的技术方案是，热解膜或双面膜设有切割标记。由上可见，本技术在热解膜或双面膜上设置切割标记，有助于根据切割标记切割封装后的芯片矩阵阵列。进一步的技术方案是，切割标记设置在热解膜或双面膜的边缘处。由上可见，本技术的切割标记可以设置在膜边缘处，避免被胶水覆盖。附图说明图1是本技术载体实施例的结构示意图。图2是本技术载体实施例的结构分解示意图。图3是本技术利用载体制造倒装LED芯片CSP的实施例的示意图。具体实施方式如图1至2所示，本实施例提供了一种芯片封装用载体，其包括载板10、热解膜11和双面膜12；热解膜11贴在载板10上，双面膜12贴在热解膜11上，热解膜11用于粘贴芯片20的矩阵阵列。其中，载板10为钢板，钢板具有较高的强度和硬度，不易变形，能够起到很好的支撑作用；第一热解膜11至少在与载板10接触的膜面具有粘结性，在加热后粘结性消失，易于剥离；双面膜12可以是硅胶双面膜，其双面具有粘性。载板10、热解膜11和双面膜12共同构成芯片20的载体，载板10、热解膜11和双面膜12可以通过具有压膜辊的冷裱机进行贴合。载板10上设有倒装LED芯片20的矩阵定位标记13，热解膜11和双面膜12具有一定的透明度，透过热解膜11和双面膜12能够看见矩阵定位标记13。在排布芯片20的矩阵阵列时，能够根据矩阵定位标记13在双面膜12上排布芯片20。在本实施例中，矩阵阵列标记13设置在载板10的中间。热解膜11或双面膜12的边缘处设有切割标记14。芯片20封装后，能够根据切割标记14切割矩阵阵列。作为上述载体实施例具体应用的一个例子，可将载体应用到倒装LED芯片CSP制造方法中，该方法具体包括以下步骤：步骤1：如图3(a)和图1至2所示，提供载体。步骤2：如图3(b)所示，在第一双面膜12上排布倒装LED芯片20的矩阵阵列，具体地，根据矩阵定位标记13在第一双面膜12上排布倒装LED芯片20的矩阵阵列，例如可以通过视觉检测仪器进行定位，排布可以通过排片机等装置进行。相邻的倒装LED芯片20之间具有空隙21。第一双面膜12包括涂胶区域以及在涂胶区域之外的第一空余区域，矩阵阵列设置在涂胶区域内。在本实施例中，第一空余区域设置在涂胶区域的四周。步骤3：在矩阵阵列上涂覆遮光胶30。遮光胶30的涂覆过程可以将带有倒装LED芯片20的载体用夹具固定，采用涂胶机进行覆膜。遮光胶包括以下组分：硅胶在90质量份至110质量份，二氧化硅粉末1质量份至5质量份，氧化铝粉末1质量份至5质量份，二氧化钛粉末50质量份至80质量份。硅胶由质量比1∶5的A胶和B胶组成，相对于硅胶质量百分数为100wt％，A胶由16.63wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.04wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，B胶由63.5wt％的苯基硅树脂、19.77wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.06wt％的乙炔基环己醇组成。当采用包括上述组分的遮光胶时，能够有效填充空隙，在起到遮光效果的同时，不影响胶水的粘合度，加强散热效果并且防止粉状物料的过快沉淀。步骤4：如图3(c)所示，将第一压件压在遮光胶30上，使得遮光胶30填充空隙21，遮光胶30不超出涂胶区域。其中，第一压件包括第一压板40和保护膜41，保护膜41与遮光胶30接触，第一压板40设置在保护膜41上，第一压板40平行于载板10。保护膜41可以保持遮光胶30固化表面的光滑洁净，第一压板40可以是玻璃板，用来提供一定的压力。将第一压板40下压，使保护膜41靠近倒装LED芯片20的上表面，减少倒装LED芯片20上表面的残留遮光胶30。步骤5：固化遮光胶30。固化条件可以是在75℃至90℃下固化45min至80min，在115℃至125℃下固化15min至45min。具体在本实施例中，固化过程可以在烘箱内进行，80℃下烘烤1h，120℃下烘烤0.5h。步骤6：如图3(d)所示，剥离第一压件，除去倒装LED芯片20上表面的遮光胶30。具体地，可以使用消膜剂除去倒装LED芯片20上表面的遮光胶30，将消膜剂沾在无纺布上，手动使用镊子夹紧无纺布拭擦倒装LED芯片20上表面。消膜剂包括以下质量份的组分：稀释剂：50质量份至70质量份；工业酒精：30质量份至40质量份；丙酮：10至30质量份；其中稀释剂包括60wt％至90wt％的醋酸甲酯以及10wt％至40wt％的工业酒精。采用上述消膜剂能够有效清除芯片表面多余的残膜，且清除残膜后，后续烘烤不会发泡，加强了芯片与荧光膜的黏结度。步骤7：在矩阵阵列上涂覆荧光胶50。荧光胶50的涂覆过程可以将带有倒装LED芯片20的载体用夹具固定，采用涂胶机进行覆膜。荧光胶50包括以下质量份的组分：硅胶：90质量份至110质量份；荧光粉：40质量份至60质量份；二氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装用载体，其特征在于：/n包括载板、热解膜和双面膜；/n所述热解膜贴在所述载板上，所述双面膜贴在所述热解膜上，所述热解膜用于粘贴芯片的矩阵阵列；/n所述热解膜的与所述载板粘贴的膜面具有粘性且加热后粘性消失，所述双面膜的双面具有粘性。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装用载体，其特征在于：
包括载板、热解膜和双面膜；
所述热解膜贴在所述载板上，所述双面膜贴在所述热解膜上，所述热解膜用于粘贴芯片的矩阵阵列；
所述热解膜的与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦家通，戴轲，
申请(专利权)人：安晟技术广东有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44