一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构制造技术

本发明专利技术公开一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体，晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环/斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板上还包括若干通孔，玻璃载板下端还设有研磨反面。本发明专利技术结构简单，制作方便，防止晶圆过薄影响后需要的晶圆加工，并且键合的玻璃载板使晶粒直接暴露，便于晶圆的背面进行加工，降低了晶圆加工的难度，用于后续的离子植、黄光及双面同时金属沉积工艺，在生产能一次同时进行正面及背面的工艺,作业中减少传送步骤，节省工艺时间，改进后良率提高。

【技术实现步骤摘要】
一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构
本专利技术涉及一种半导体生产领域，具体是一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品，晶圆的原始材料是硅，二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，晶圓薄化後，尚需进行许多后制程，如何移动薄化至50～100微米的晶片，目前的一種方式是用机械研磨晶片，生成晶圆底部厚度50～200微米，留下边缘3～8mm的边框环的晶圆，然后以干/湿刻蚀方式处理背面以改善因为以机械研磨造成的应力及不良的粗造度，晶圆研磨后，又不便于后续的加工，针对这种情况，现提出一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，结构简单，制作方便，防止晶圆过薄影响后需要的晶圆加工，并且键合的玻璃载板使晶粒直接暴露，便于晶圆的背面进行加工，降低了晶圆加工的难度，用于后续的离子植、黄光及双面同时金属沉积工艺，在生产能一次同时进行正面及背面的工艺,作业中减少传送步骤，节省工艺时间，改进后良率提高。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体，晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环/斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层；>所述玻璃载板上还包括若干通孔。所述玻璃载板下端还设有研磨反面。进一步地，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体，晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层。进一步地，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体，晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层。进一步地，所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板下端还设有研磨反面。进一步地，所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板下端还设有研磨反面。进一步地，所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板上还包括若干通孔。进一步地所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板上还包括若干通孔，玻璃载板下端还设有研磨反面。进一步地，所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板上还包括若干通孔，玻璃载板下端还设有研磨反面。进一步地，所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板上还包括若干通孔，玻璃载板下端还设有研磨反面。本专利技术的有益效果：1、本专利技术结构简单，制作方便，防止晶圆过薄影响后需要的晶圆加工，并且键合的玻璃载板使晶粒直接暴露，便于晶圆的背面进行加工，降低了晶圆加工的难度；2、本专利技术用于后续的离子植、黄光及双面同时金属沉积工艺，在生产能一次同时进行正面及背面的工艺,作业中减少传送步骤，节省工艺时间，改进后良率提高。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。图1是本专利技术阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构示意图；图2是本专利技术阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构示意图；图3是本专利技术阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构示意图；图4是本专利技术阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构示意图；图5是本专利技术阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构示意图；图6是本专利技术阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构示意图；图7是本专利技术阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构示意图；图8是本专利技术阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“开孔”、“上”、“下”、“厚度”、“顶”、“中”、“长度”、“内”、“四周”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，如图1、图2所示，晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体1，晶圆本体1上设有研磨正面11，晶圆本体1四周设有阶梯保护环13/斜坡保护环12，晶圆本体1下方设有玻璃载板2，晶圆本体1与玻璃载板2之间设有胶合层3。玻璃载板2上还包括若干通孔21。玻璃载板2下端还设有研磨反面22。一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构利用步骤制作：步骤一：晶圆正面完成金属工艺，使用粘合剂将晶圆正面键合到玻璃载板上，玻璃载板厚度400-700微米，键合层厚度50微米；步骤二：从晶圆背面把晶圆从700微米厚度背面研磨到150-350微米；步骤三：以研磨蚀刻工艺制成斜坡式/阶梯式保护环的超薄晶圆(晶圆背面形成有3-10毫米的保护环)，保护环内厚度Y20-120微米(Y依元件及生产的需要)；步骤四：翻转玻璃载板与晶圆，将玻璃载板(200mm直径，厚度400～700um)研磨蚀刻工艺形成有3-10毫米的保护环，保护环内玻璃厚度50～100微米；步骤五：PR涂布，进行黄光工序；步骤六：以氢氟酸蚀刻玻璃载板，在玻璃载板上形成贯穿孔，贯穿孔正对晶粒，使玻璃载板形成中间开窗户孔的玻璃载板；步骤七：采用氧气电浆蚀刻晶粒上的粘合剂，在粘合剂上形成凹槽使窗口对应的晶粒露出。实施例1一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，如图1所示，晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体1，晶圆本体1上设有研磨正面11，晶圆本体1四周设有阶梯保护环13，晶圆本体1下方设有玻璃载板2，晶圆本体1与玻璃载板2之间设有胶合层3。实施例2一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，如图2所示，晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体1，晶圆本体1上设有研磨正面11，晶圆本体1四周设有斜坡保护环12，晶圆本体1下方设有玻璃载板2，晶圆本体1与玻璃载板2之间设有胶合层3。实施例3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，其特征在于，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体(1)，晶圆本体(1)上设有研磨正面(11)，晶圆本体(1)四周设有阶梯保护环(13)/斜坡保护环(12)，晶圆本体(1)下方设有玻璃载板(2)，晶圆本体(1)与玻璃载板(2)之间设有胶合层(3)；/n所述玻璃载板(2)上还包括若干通孔(21)；/n所述玻璃载板(2)下端还设有研磨反面(22)。/n

【技术特征摘要】
1.一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，其特征在于，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体(1)，晶圆本体(1)上设有研磨正面(11)，晶圆本体(1)四周设有阶梯保护环(13)/斜坡保护环(12)，晶圆本体(1)下方设有玻璃载板(2)，晶圆本体(1)与玻璃载板(2)之间设有胶合层(3)；
所述玻璃载板(2)上还包括若干通孔(21)；
所述玻璃载板(2)下端还设有研磨反面(22)。


2.根据权利要求1所述的一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构,其特征在于，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体(1)，晶圆本体(1)上设有研磨正面(11)，晶圆本体(1)四周设有阶梯保护环(13)，晶圆本体(1)下方设有玻璃载板(2)，晶圆本体(1)与玻璃载板(2)之间设有胶合层(3)。


3.根据权利要求1所述的一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构,其特征在于，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体(1)，晶圆本体(1)上设有研磨正面(11)，晶圆本体(1)四周设有斜坡保护环(12)，晶圆本体(1)下方设有玻璃载板(2)，晶圆本体(1)与玻璃载板(2)之间设有胶合层(3)。


4.根据权利要求1所述的一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构,其特征在于，所述晶圆本体(1)上设有研磨正面(11)，晶圆本体(1)四周设有阶梯保护环(13)，晶圆本体(1)下方设有玻璃载板(2)，晶圆本体(1)与玻璃载板(2)之间设有胶合层(3)，玻璃载板(2)下端还设有研磨反面(22)。


5.根据权利要求1所述的一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构,其特征在于，所述晶圆本体(1)上设有研磨正面(11)，晶圆本体(1)四周设有斜坡保护环(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，李景贤，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33