【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体而言，涉及mos器件用轻掺杂离子注入检测结构、方法及半导体结构。
技术介绍
1、这部分中描述仅提供与本公开有关的背景信息且可以不构成现有技术。
2、载流子在强电场中的平均能量显著高于平衡态或者低电场中的平均能量，被称为热载流子，热载流子的平均漂移速度与场强之间不再具有简单的线型关系，无论是增强型还是耗尽型的mos器件，在漏源电压作用下，沟道中的载流子很容易成为热载流子，从而影响器件的阈值电压、跨导、漏极电流等参数的量值，造成器件特性蜕变。随着金属氧化物半导体器件尺寸的缩小，热载流子注入效应越加明显。
3、产生热载流子效应的原因，首先是沟道强电场的作用，其次是界面态和栅氧化层陷阱的作用。因此，为达到抑制热载流子效应的目的，可以适当减小沟道电场强度，提高栅氧化层的质量。通常认为沟道电场沿载流子运动方向的电场强度完全由漏源电压和沟道长度决定，从器件的内部因素考虑，加长沟道可以减小沟道场强，但是随着集成电路集成度的提高，必然要缩短沟道。目前常用的方式是：在与沟道连接的源区和漏区处，各制作一个轻掺杂区，如图1所示，由于轻掺杂区的电阻率较大，一部分漏源电压被轻掺杂区分担，等效于将沟道加长，这种结构形式称为ldd结构。
4、在金属氧化物半导体器件制造过程中，ldd结构通过轻掺杂离子注入的方式制作，ldd结构的质量对热载流子效应(hci)有较大的影响。如图1所示，目前轻掺杂离子注入的步骤均在侧墙沉积步骤之前实施，这种实施方式得到的器件能够通过测量ldd结构的电阻情况评估ldd结构的质
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于提供一种轻掺杂离子注入检测结构，用于在侧墙刻蚀步骤之后进行轻掺杂离子注入时，能够对半导体器件上的轻掺杂离子注入情况进行检测。
2、本申请实施例的另一目的还在于提供一种使用上述检测结构的mos器件用轻掺杂离子注入检测检测方法。
3、本申请实施例的另一目的还在于提供一种使用上述检测结构的半导体结构。
4、第一方面，提供一种mos器件用轻掺杂离子注入检测结构，包括：
5、第一导电离子区，掺杂有第一导电离子；
6、两个第二导电离子重掺杂区，设置于第一导电离子区顶部，且间隔布置；两个第二导电离子重掺杂区分别用于接通检测正电极和检测负电极；
7、两个第二导电离子轻掺杂区，间隔设置在第一导电离子区顶部，且设置在两个第二导电离子重掺杂区之间；
8、第二导电离子阱区，处于两个第二导电离子轻掺杂区的间隔中；
9、栅极，位于第二导电离子阱区上侧，且栅极的左右两侧设有侧墙，侧墙处于第二导电离子轻掺杂区上侧并与第二导电离子轻掺杂区的顶面接触；
10、第二导电离子重掺杂区、第二导电离子轻掺杂区和第二导电离子阱区依次相接，以通过测量两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化判断第二导电离子轻掺杂区内第二导电离子的注入情况；
11、第二导电离子和第一导电离子中一个为n型离子，另一个为p型离子。
12、一种可能实施的方案中，第一导电离子区为第一导电离子阱区，第一导电离子阱区设置两个，第二导电离子阱区将两个第一导电离子阱区隔开。
13、一种可能实施的方案中，第二导电离子轻掺杂区的第二导电离子在侧墙形成后被注入。
14、一种可能实施的方案中，第二导电离子的注入角度为大于0度且小于90度。
15、第二方面，提供一种半导体结构，包括衬底、设置在衬底上的mos器件，以及设置在衬底上的如第一方面任一可能实施方案中所述的mos器件用轻掺杂离子注入检测结构。
16、第三方面，一种mos器件用轻掺杂离子注入检测方法，包括以下步骤：
17、在衬底上制作mos器件，同时制作如第一方面任意一可能实施方案中所述的mos器件用轻掺杂离子注入检测结构；
18、将两个第二导电离子重掺杂区分别接通检测正电极和检测负电极，通过测量两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化判断第二导电离子轻掺杂区内离子注入情况。
19、一种可能实施的方案中，对第二导电离子轻掺杂区进行离子注入时，离子注入角度为30度或45度。
20、一种可能实施的方案中，如果两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化曲线符合三极管特性时，则第二导电离子轻掺杂区没有导通第二导电离子重掺杂区与第二导电离子阱区。
21、一种可能实施的方案中，如果两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化曲线符合定值电阻特性时，则第二导电离子轻掺杂区导通第二导电离子重掺杂区与第二导电离子阱区。
22、一种可能实施的方案中，如果两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化曲线符合二极管特性时，则两个第二导电离子轻掺杂区中仅有一个导通第二导电离子重掺杂区与第二导电离子阱区。
23、本申请的有益效果：本申请的检测结构中，在两个第二导电离子轻掺杂区之间设置第二导电离子阱区，第二导电离子轻掺杂区中第二导电离子的注入情况不同，则在两个第二导电离子重掺杂区连接通检测正电极和检测负电极后，测量处的电阻变化曲线不同，依据不同的电阻变化曲线能够分析出第二导电离子轻掺杂区中离子注入情况，如果两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化曲线符合三极管特性时，则第二导电离子轻掺杂区没有导通第二导电离子重掺杂区与第二导电离子阱区；如果两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化曲线符合定值电阻特性时，则第二导电离子轻掺杂区导通第二导电离子重掺杂区与第二导电离子阱区；如果两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化曲线符合二极管特性时，则两个第二导电离子轻掺杂区中仅有一个导通第二导电离子重掺杂区与第二导电离子阱区。判断出第二导电离子轻掺杂区离子注入情况后，能够评估热载流子效应的影响。
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1.一种MOS器件用轻掺杂离子注入检测结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种MOS器件用轻掺杂离子注入检测结构，其特征在于，第一导电离子区为第一导电离子阱区，第一导电离子阱区设置两个，第二导电离子阱区将两个第一导电离子阱区隔开。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的一种MOS器件用轻掺杂离子注入检测结构，其特征在于，第二导电离子轻掺杂区的第二导电离子在侧墙形成后被注入。
4.根据权利要求3所述的一种MOS器件用轻掺杂离子注入检测结构，其特征在于，第二导电离子的注入角度为大于0度且小于90度。
5.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底、设置在衬底上的MOS器件，以及设置在衬底上的如权利要求1-4任意一项所述的MOS器件用轻掺杂离子注入检测结构。
6.一种MOS器件用轻掺杂离子注入检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的一种MOS器件用轻掺杂离子注入检测方法，其特征在于，对第二导电离子轻掺杂区进行离子注入时，离子注入角度为30度或45度。
8.根据权利要求6-7任
9.根据权利要求6-7任意一项所述的一种MOS器件用轻掺杂离子注入检测方法，其特征在于，如果两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化曲线符合定值电阻特性时，则第二导电离子轻掺杂区导通第二导电离子重掺杂区与第二导电离子阱区。
10.根据权利要求6-7任意一项所述的一种MOS器件用轻掺杂离子注入检测方法，其特征在于，如果两个第二导电离子重掺杂区之间的电阻变化曲线符合二极管特性时，则两个第二导电离子轻掺杂区中仅有一个导通第二导电离子重掺杂区与第二导电离子阱区。
...【技术特征摘要】
1.一种mos器件用轻掺杂离子注入检测结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种mos器件用轻掺杂离子注入检测结构，其特征在于，第一导电离子区为第一导电离子阱区，第一导电离子阱区设置两个，第二导电离子阱区将两个第一导电离子阱区隔开。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的一种mos器件用轻掺杂离子注入检测结构，其特征在于，第二导电离子轻掺杂区的第二导电离子在侧墙形成后被注入。
4.根据权利要求3所述的一种mos器件用轻掺杂离子注入检测结构，其特征在于，第二导电离子的注入角度为大于0度且小于90度。
5.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底、设置在衬底上的mos器件，以及设置在衬底上的如权利要求1-4任意一项所述的mos器件用轻掺杂离子注入检测结构。
6.一种mos器件用轻掺杂离子注入检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪炎铖，简輼玮，刘聪慧，张帅，王雪鹏，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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