半导体装置制造方法及图纸

本公开的实施例涉及半导体装置。一种半导体封装，包括：半导体芯片，该半导体芯片包括在垂直方向上贯穿其中的至少一个垂直孔；和模制件，该模制件覆盖半导体芯片，并且包括在水平方向上形成的至少一个第一水平孔和至少一个第二水平孔，其中第一水平孔和第二水平孔通过垂直孔连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用本申请要求2019年02月15日提交的韩国专利申请号10-2019-0017844的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的各种实施例涉及半导体设计技术，并且更特别地涉及半导体装置。
技术介绍
低温系统为半导体封装的稳定操作提供了低温环境。但是，即使将半导体封装被放置在低温环境中，在操作期间半导体封装也会生成热量。由于所生成的热量，半导体封装可能具有不良的操作特性。例如，在半导体封装包括DRAM的情况下，由于所生成的热量，存储在DRAM的存储器单元中的数据的保持时间减少，并且数据感测裕度变差。而且，半导体封装的速度和容量越高，就需要越多的热管理。
技术实现思路
本专利技术的各种实施例涉及一种半导体封装，该半导体封装具有在低温环境中不仅能够冷却其表面而且能够冷却其内部的结构。根据一个实施例，一种半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片包括在垂直方向上贯穿其中的至少一个垂直孔；和模制件，该模制件覆盖半导体芯片，并且包括在水平方向上形成的至少一个第一水平孔和至少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：/n半导体芯片，包括在垂直方向上贯穿其中的至少一个垂直孔；以及/n模制件，覆盖所述半导体芯片，并且包括形成在水平方向上的至少一个第一水平孔和至少一个第二水平孔，/n其中所述第一水平孔和所述第二水平孔通过所述垂直孔连接。/n

【技术特征摘要】
20190215 KR 10-2019-00178441.一种半导体封装，包括：
半导体芯片，包括在垂直方向上贯穿其中的至少一个垂直孔；以及
模制件，覆盖所述半导体芯片，并且包括形成在水平方向上的至少一个第一水平孔和至少一个第二水平孔，
其中所述第一水平孔和所述第二水平孔通过所述垂直孔连接。


2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一水平孔的一端向外部敞开，并且所述第一水平孔的另一端与所述外部阻隔，并且
所述第二水平孔中的一端向所述外部敞开，并且所述第二水平孔的另一端与所述外部阻隔。


3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第一水平孔的所述一端和所述第二水平孔的所述一端形成在相同的方向上。


4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第一水平孔的所述一端和所述第二水平孔的所述一端形成在不同的方向上。


5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一水平孔比所述第二水平孔形成在所述模制件的更高位置处，并且
其中用于制冷剂诱导路径的制冷剂通过所述第一水平孔和所述第二水平孔中的任一个被引入，并且所述制冷剂通过所述第一水平孔和所述第二水平孔中的另一个流出。


6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述制冷剂包括液氮。


7.一种半导体封装，包括：
半导体芯片，包括在垂直方向上贯穿其中的多个垂直孔以及形成在水平方向上并且连接到所述多个垂直孔中的至少两个垂直孔的至少一个水平孔；以及
模制件，覆盖所述半导体芯片，并且包括形成在水平方向上的至少一个第一水平孔和至少一个第二水平孔，
其中所述第一水平孔和所述第二水平孔通过所述至少一个水平孔和所述至少两个垂直孔连接。


8.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述水平孔形成在所述半导体芯片中包括的层间电介质层中。


9.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述第一水平孔的一端向外部敞开，并且所述第一水平孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴珉秀，崔谨镐，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR