采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法技术

本申请涉及集成电路封装技术领域，具体涉及采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法。该封装结构包括：布线基体，所述布线基体中设有若干个间隔分布的铜互连结构；每个所述铜互连结构包括引出端和连接端，所述引出端外露于所述布线基体的下表面；集成电路芯片，所述集成电路芯片设于所述布线基体中，所述布线基体的连接端连接所述集成电路芯片的IO端，使得所述IO端和所述引出端之间通过所述铜互连结构形成电通路。采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法，能够解决现有技术中封装产业链分散以及可靠性较低等问题，并缩短整个封装制程的加工周期。

【技术实现步骤摘要】
采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法
本申请涉及集成电路封装
，具体涉及一种采用铜互连的集成电路封装结构，和采用铜互连的集成电路封装结构制作方法。
技术介绍
集成电路塑料封装按芯片载体的材料特性可分为两大类，其中一类为框架类塑封，包括：晶体管外形（TransistorOut-line，TO）封装；贴片封装（SmallOut-linePackage，SOP），小外形晶体管（SmallOut-lineTransist，SOT）封装，双列直插封装（DualIn-linePackage，DIP），方型扁平式封装（QuadFlatPackage，QFP）等，另一类为基板类封装，包括栅格阵列封装（LandGridArray，LGA），塑料球栅阵列封装（PlasticBallGridArrayPackage，PBGA)等。在相关技术中，无论是框架类封装还是基板类封装，芯片与载板之间的电互联都是通过键合焊线（WireBond，W/B）或倒装（Flipchip，FC）的方式来实现，封装过程较为复杂，生产效率较低。r>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种采用铜互连的集成电路封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：/n布线基体，所述布线基体中设有若干个间隔分布的铜互连结构；每个所述铜互连结构包括引出端和连接端，所述引出端外露于所述布线基体的下表面；/n集成电路芯片，所述集成电路芯片设于所述布线基体中，所述布线基体的连接端连接所述集成电路芯片的IO端，使得所述IO端和所述引出端之间通过所述铜互连结构形成电通路。/n

【技术特征摘要】
1.一种采用铜互连的集成电路封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
布线基体，所述布线基体中设有若干个间隔分布的铜互连结构；每个所述铜互连结构包括引出端和连接端，所述引出端外露于所述布线基体的下表面；
集成电路芯片，所述集成电路芯片设于所述布线基体中，所述布线基体的连接端连接所述集成电路芯片的IO端，使得所述IO端和所述引出端之间通过所述铜互连结构形成电通路。


2.如权利要求1所述的所述采用铜互连的集成电路封装结构，其特征在于，所述引出端为互连焊盘，所述互连焊盘外露于所述布线基体的下表面。


3.如权利要求1所述的所述采用铜互连的集成电路封装结构，其特征在于，每个所述铜互连结构包括至少一个互连铜柱。


4.如权利要求3所述的所述采用铜互连的集成电路封装结构，其特征在于，所述铜互连结构包括多个互连铜柱，相邻两个所述互连铜柱之间通过互连铜带连接。


5.如权利要求4所述的所述采用铜互连的集成电路封装结构，其特征在于，所述布线基体包括多个从下至上依次层叠的互连层；
所述铜互连结构的多个互连铜柱设于对应的互连层中，且从下至上依次层叠连接。


6.如权利要求1所述的所述采用铜互连的集成电路封装结构，其特征在于，所述连接端为桥连铜带，所述桥连铜带连接所述集成电路芯片的IO端。


7.一种采用铜互连的集成电路封装结构的制造方法，其特征在于，
提供临时载板，在所述临时载板上生长形成金属种子层；
在所述金属种子层上形成若干个间隔底层铜互连结构，通过基体介质塑封所述底层铜互连结构，形成基底层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗亚，吴新，王成迁，
申请(专利权)人：无锡中微高科电子有限公司，中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32