【技术实现步骤摘要】
晶圆电镀设备
本专利技术涉及半导体电镀
,特别涉及一种晶圆电镀设备。
技术介绍
由于晶圆电镀只电镀一面,另外一面是硅,也即是说电镀只镀有导电层的那一面,导电层上方通常还有光阻形成的图层。晶圆作为阴极,阳极在铜面那一侧。目前晶圆电镀设备根据阴阳极的位置划分主要有两种,一种是垂直电镀装置,即晶圆垂直放置,阳极在铜面一侧。一种是水平电镀装置,即晶圆水平放置,晶圆待镀面朝下,阳极设在晶圆下方,这样便于晶圆的装卸。由于晶圆越做越大,目前主流硅晶圆直径都是300mm,在晶圆垂直放置,电镀时候,如果光阻图层内有气泡,气泡相对容易排除,但是电镀时候,上下存在一定压力差,溶液流动可能也存在上下流速的差异,对电镀的形貌和均匀性会有一定的影响。而水平电镀装置,通常晶圆水平,待镀面各处在镀液中处于同一深度,各处压力相同,所以电镀均匀性很好。另外,由于晶圆在上面,装卸晶圆很方便。如果光阻图层内部有气泡,则气泡基本无法排除,所以对晶圆进入液体要求很高,要求晶圆进入液体后,电镀前,必须将气泡完全排除。图形复杂的产品需要进行抽真空,倾斜进入镀液。r>另外,如果通过晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆电镀设备,其特征在于,包括:/n壳体,所述壳体内形成有用于容纳电镀液的腔室,所述壳体上设有分别与所述腔室连通的进液口和出液口;/n隔离板,所述隔离板设置在所述腔室内,并将所述腔室隔离出第一腔室和第二腔室,且所述第二腔室与所述进液口连通,以使所述电镀液通过所述进液口流进所述第二腔室,在由所述第二腔室流进所述第一腔室;/n导流组件,所述导流组件安装隔离板上,并位于与所述进液口相对的一侧面,所述导流组件上设有多个导流孔;/n阳极组件,所述阳极组件位于所述第一腔室内,并与所述导流组件连接,所述阳极组件上设有多个喷流孔,多个所述喷流孔与多个所述导流孔一一对应;/n晶圆夹持 ...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆电镀设备,其特征在于,包括:
壳体,所述壳体内形成有用于容纳电镀液的腔室,所述壳体上设有分别与所述腔室连通的进液口和出液口;
隔离板,所述隔离板设置在所述腔室内,并将所述腔室隔离出第一腔室和第二腔室,且所述第二腔室与所述进液口连通,以使所述电镀液通过所述进液口流进所述第二腔室,在由所述第二腔室流进所述第一腔室;
导流组件,所述导流组件安装隔离板上,并位于与所述进液口相对的一侧面,所述导流组件上设有多个导流孔;
阳极组件,所述阳极组件位于所述第一腔室内,并与所述导流组件连接,所述阳极组件上设有多个喷流孔,多个所述喷流孔与多个所述导流孔一一对应;
晶圆夹持机构,所述晶圆夹持机构包括晶圆托盘和与晶圆托盘连接的转轴,所述转轴的第一端穿过所述壳体,并置于所述第一腔室内部,所述晶圆托盘与所述转轴的第一端固定连接,并与所述阳极组件相对设置,以使所述电镀液从所述喷流孔流出后,流向夹持在所述晶圆托盘上的晶圆的待镀面。
2.根据权利要求1所述的晶圆电镀设备,其特征在于,
所述腔室内还设有第三腔室,所述第三腔室与所述第一腔室之间通过溢流口连通,所述溢流口位于所述第一腔室的与所述晶圆托盘相背离的一侧;
所述出液口包括第一出口和第二出口,所述第一出口与所述第三腔室连通,所述第二出口与所述第一腔室连通。
3.根据权利要求1所述的晶圆电镀设备,其特征在于,所述进液口位于所述导流组件的中心位置的正上方,
所述导流孔的孔径与所述喷流孔的孔径大小相等,所述导流孔从所述阳极组件的中心位置向外周的孔径逐渐增大。
4.根据权利要求3所述的晶圆电镀设备,其特征在于,所述导流组件上设有多个导流板,所述导流板沿所述导流组件的径向分层设置,各层之间的导流板的高度自所述导流组件的中心位置...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡斌,
申请(专利权)人:苏州清飙科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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