拼接式发光二极管电路板制造技术

本发明专利技术提供一种拼接式发光二极管电路板，其第一、第二发光二极管载板分别具有多列平行的第一、第二发光二极管芯片，且两者的第一、第二基板分别具有一第一、第二拼接边及多个第一、第二凸出部，第一发光二极管载板更包括至少一列设于该些第一凸出部的第一凸出部发光二极管芯片，第二发光二极管载板更包括至少一列设于该些第二凸出部的第二凸出部发光二极管芯片；其中，该些第一、第二凸出部彼此嵌合，该至少一列第一凸出部发光二极管芯片分别与该至少一列第二凸出部发光二极管芯片在同一延伸在线排列。

【技术实现步骤摘要】
拼接式发光二极管电路板
本专利技术是有关于一种电路板结构，特别是一种用于发光二极管载板的拼接式电路板。
技术介绍
目前，发光二极管(简称LED)业者发展出次毫米发光二极管(MiniLED)及微发光二极管(MicroLED)技术，与现今一般LED背光模块相比，采用MiniLED或MicroLED背光时，可以更细致地进行调光，对比度及色彩表现度也能显著提升。另一方面，目前LED显示器所要求的分辨率越来越高，高阶LED显示器也有整体尺寸大型化的趋势，而由于现有载板技术尚无法做出特大尺寸的LED载板，因此目前板与板之间多利用热压(hotbar)软板热压接合来加以连接，但此制程较为复杂，使得大型LED载板制作成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种容易制作为大尺寸且能维持分辨率的发光二极管电路板。为了达成上述及其他目的，本专利技术提供一种拼接式发光二极管电路板，其包括一第一发光二极管载板及一第二发光二极管载板。第一发光二极管载板包括一第一基板及多列平行设于该第一基板的第一发光二极管芯片，第一基板具有一第一拼接边及多个自第一拼接边朝一拼接方向延伸的第一凸出部，任两相邻第一凸出部之间具有一第一凹部，第一发光二极管载板更包括至少一列设于该些第一凸出部的第一凸出部发光二极管芯片；第二发光二极管载板包括一第二基板及多列平行设于第二基板的第二发光二极管芯片，第二基板具有一第二拼接边及多个自第二拼接边朝相反于拼接方向延伸的第二凸出部，任两相邻所述第二凸出部之间具有一第二凹部，第二发光二极管载板更包括至少一列设于该些第二凸出部的第二凸出部发光二极管芯片；其中，该些第一凸出部分别嵌接于该些第二凹部，该些第二凸出部分别嵌接于该些第一凹部，该至少一列第一凸出部发光二极管芯片分别与该至少一列第二凸出部发光二极管芯片在同一延伸在线排列。通过上述设计，本专利技术的发光二极管电路板能在不通过热压接合的方式下，将多个发光二极管载板加以连接，其制程简易，容易制作大尺寸发光二极管电路板，同时于凸出部接合处还设有至少一列发光二极管芯片，使得本专利技术的拼接式设计不会导致显示器分辨率下降，进而满足使用者的需求。有关本专利技术的其它功效及实施例的详细内容，配合附图说明如下。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1是本专利技术第一实施例的示意图；图2为本专利技术第一实施例的分解示意图；图3为本专利技术第二实施例的示意图；图4为本专利技术其中一实施例的纵剖面示意图；图5为本专利技术另一实施例的纵剖面示意图。符号说明10第一发光二极管载板11第一基板12第一发光二极管芯片13第一拼接边14第一凸出部15第一凹部16第一凸出部发光二极管芯片17第一金属接点18第一插槽20第二发光二极管载板21第二基板22第二发光二极管芯片23第二拼接边24第二凸出部25第二凹部26第二凸出部发光二极管芯片27第二金属接点28第一插接块30焊料D拼接方向L延伸线G1、G2、G3、G4、G5间隙具体实施方式有关本专利技术的前述及其它
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考附图的一优选实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本专利技术。请参阅图1、图2，所绘示者为本专利技术拼接式发光二极管电路板的第一实施例，该拼接式发光二极管电路板例如可应用于发光二极管显示器，或可应用于液晶显示器的背光模块。该拼接式发光二极管电路板包括一第一发光二极管载板10及一第二发光二极管载板20。第一发光二极管载板10包括一第一基板11及多列平行设于第一基板11的第一发光二极管芯片12。第一基板11具有一第一拼接边13及多个自第一拼接边13朝一拼接方向D延伸的第一凸出部14，任两相邻第一凸出部14之间具有一第一凹部15，也就是说，第一基板11在第一拼接边13形成一连续方波状的凹凸结构。此外，第一发光二极管载板10更包括一列设于该些第一凸出部14的第一凸出部发光二极管芯片16。与第一发光二极管载板10类似，第二发光二极管载板20包括一第二基板21及多列平行设于第二基板21的第二发光二极管芯片22。第二基板21具有一第二拼接边23及多个自第二拼接边23朝相反于拼接方向D延伸的第二凸出部24，任两相邻第二凸出部24之间具有一第二凹部25，也就是说，第二基板21也在第二拼接边23形成一连续方波状的凹凸结构，且第一、第二基板的凹凸结构彼此形状互补。第二发光二极管载板20也同样包括一列设于该些第二凸出部24的第二凸出部发光二极管芯片26。其中，第一凸出部14分别嵌接于该些第二凹部25，且第二凸出部24也分别嵌接于该些第一凹部15，使得第一、第二发光二极管载板得以形成无缝拼接，或至少几近于无缝拼接，两者拼接后，该列第一凸出部发光二极管芯片16与该列第二凸出部发光二极管芯片26可在同一条延伸线L上排列。本实施例中，延伸线L垂直于拼接方向D，且延伸线L平行于每一列第一发光二极管芯片12，而每一列第一发光二极管芯片12又都平行于每一列第二发光二极管芯片22。此外，任两相邻列第一发光二极管芯片12之间具有一第一间隙G1，任两相邻列第二发光二极管芯片22之间具有一第二间隙G2，该列在同一延伸线L上排列的第一、第二凸出部发光二极管芯片16、26与其相邻的另一列第一发光二极管芯片12之间具有一第三间隙G3，该列在同一延伸线L上排列的第一、第二凸出部发光二极管芯片16、26与其相邻的另一列第二发光二极管芯片22之间具有一第四间隙G4，且G1、G2、G3及G4彼此实质相等，也就是说，第一、第二发光二极管芯片及第一、第二凸出部发光二极管芯片可以形成一发光二极管芯片数组，且该数组在第一、第二发光二极管载板的拼接处不形成有断点，从而不会牺牲发光二极管显示器的分辨率。需说明的是，前述第一、第二基板具有至少一介电层及用以电连接于该些发光二极管芯片的电路结构，第一、第二基板表面也可设有防焊层。需说明的是，前述第一、第二发光二极管芯片及第一、第二凸出部发光二极管芯片可以是水平式发光二极管芯片、垂直式发光二极管芯片或覆晶发光二极管芯片。请参考图3，所绘示者为本专利技术拼接式发光二极管电路板的第二实施例，其大致与第一实施例雷同，差异之处在于，其第一凸出部14上具有两列第一凸出部发光二极管芯片16，其第二凸出部24也具有两列第二凸出部发光二极管芯片26，每一列第一凸出部发光二极管芯片16恰与其中一列第二凸出部发光二极管芯片26在同一延伸在线排列，这两列在同一延伸在线排列的第一、第二凸出部发光二极管芯片16、26之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拼接式发光二极管电路板，其特征在于，包括：/n一第一发光二极管载板，包括一第一基板及多列平行设于该第一基板的第一发光二极管芯片，该第一基板具有一第一拼接边及多个自该第一拼接边朝一拼接方向延伸的第一凸出部，任两相邻所述第一凸出部之间具有一第一凹部，该第一发光二极管载板更包括至少一列设于该些第一凸出部的第一凸出部发光二极管芯片；以及/n一第二发光二极管载板，包括一第二基板及多列平行设于该第二基板的第二发光二极管芯片，该第二基板具有一第二拼接边及多个自该第二拼接边朝相反于该拼接方向延伸的第二凸出部，任两相邻所述第二凸出部之间具有一第二凹部，该第二发光二极管载板更包括至少一列设于该些第二凸出部的第二凸出部发光二极管芯片；/n其中，该些第一凸出部分别嵌接于该些第二凹部，该些第二凸出部分别嵌接于该些第一凹部，该至少一列第一凸出部发光二极管芯片分别与该至少一列第二凸出部发光二极管芯片在同一条延伸在线排列。/n

【技术特征摘要】
1.一种拼接式发光二极管电路板，其特征在于，包括：
一第一发光二极管载板，包括一第一基板及多列平行设于该第一基板的第一发光二极管芯片，该第一基板具有一第一拼接边及多个自该第一拼接边朝一拼接方向延伸的第一凸出部，任两相邻所述第一凸出部之间具有一第一凹部，该第一发光二极管载板更包括至少一列设于该些第一凸出部的第一凸出部发光二极管芯片；以及
一第二发光二极管载板，包括一第二基板及多列平行设于该第二基板的第二发光二极管芯片，该第二基板具有一第二拼接边及多个自该第二拼接边朝相反于该拼接方向延伸的第二凸出部，任两相邻所述第二凸出部之间具有一第二凹部，该第二发光二极管载板更包括至少一列设于该些第二凸出部的第二凸出部发光二极管芯片；
其中，该些第一凸出部分别嵌接于该些第二凹部，该些第二凸出部分别嵌接于该些第一凹部，该至少一列第一凸出部发光二极管芯片分别与该至少一列第二凸出部发光二极管芯片在同一条延伸在线排列。


2.如权利要求1所述的拼接式发光二极管电路板，其特征在于，每一列所述第一发光二极管芯片均平行于每一列所述第二发光二极管芯片。

【专利技术属性】
技术研发人员：李远智，李家铭，
申请(专利权)人：同泰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71