芯片级发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种芯片级发光二极管封装结构，包含用于发出白色光线的白光发光单元、用于发出红色光线的覆晶式红色发光二极管芯片、用于发出绿色光线的覆晶式绿色发光二极管芯片、用于发出蓝色光线的覆晶式蓝色发光二极管芯片、及封装层。封装层具有胶体及分布于胶体内的多个折射粒子，并且所述封装层封装上述白光发光单元、覆晶式红色发光二极管芯片、覆晶式绿色发光二极管芯片、及覆晶式蓝色发光二极管芯片。所述白光发光单元的电极、覆晶式红色发光二极管芯片的电极、覆晶式绿色发光二极管芯片的电极、及覆晶式蓝色发光二极管芯片的电极裸露于所述封装层之外。据此，芯片级发光二极管封装结构能有效地降低制程缺失与信赖度问题、并缩小其尺寸。

【技术实现步骤摘要】
芯片级发光二极管封装结构
本专利技术涉及一种发光二极管封装结构，尤其涉及一种芯片级发光二极管封装结构。
技术介绍
现有的发光二极管封装结构是在基板上安装有多个发光芯片，上述多个发光芯片混合其所发出的光线，以使发光二极管封装结构发出白光。然而，由于现有发光二极管封装结构需在基板上进行固晶与打线等相关制程，因而会有一定的制程缺失与信赖度问题。于是，本专利技术人认为上述缺陷可改善，于是潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术实施例在于提供一种芯片级发光二极管封装结构，其能有效地改善现有发光二极管封装结构所可能产生的缺陷。本专利技术实施例公开一种芯片级发光二极管封装结构，包括：一白光发光单元，用于发出一白色光线；一覆晶式红色发光二极管芯片，用于发出一红色光线；一覆晶式绿色发光二极管芯片，用于发出一绿色光线；一覆晶式蓝色发光二极管芯片，用于发出一蓝色光线；一封装层，具有一胶体及分布于所述胶体内的多个折射粒子，所述封装层封装所述白光发光单元、所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片，并且所述白光发光单元的电极、所述覆晶式红色发光二极管芯片的电极、所述覆晶式绿色发光二极管芯片的电极、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片的电极裸露于所述封装层之外。优选地，所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片各具有被所述封装层所覆盖的一顶面及四个侧面，并且所述白光发光单元具有一顶面与四个侧面，所述白光发光单元的所述顶面共平面于所述封装层的一顶面，而所述白光发光单元的至少一个所述侧面被所述封装层所覆盖。优选地，所述白光发光单元、所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片沿一第一方向排成一列；所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片彼此相邻设置；所述白光发光单元及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片分别位于所述覆晶式红色发光二极管芯片与所述覆晶式绿色发光二极管芯片的相反两外侧。优选地，所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片沿一第一方向排成一列且彼此相邻设置；所述白光发光单元位于所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片的相同侧且留有相同的间距。优选地，所述白光发光单元、所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片各呈长条形，所述白光发光单元的一长度方向平行于所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片之中每一个的一长度方向、并垂直于所述第一方向。优选地，多个所述折射粒子包含多个二氧化硅奈米粒子与多个二氧化钛奈米粒子的至少其中本专利技术实施例也公开一种。优选地，多个所述折射粒子相对于所述封装层的一重量百分比是介于3wt％～30wt％。优选地，所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片之中的任两个相邻芯片的一间距是介于10微米～50微米。优选地，所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片之中的任一个与所述封装层的外侧面之间的一最小距离是介于25微米～180微米。优选地，所述白光发光单元包含有：一内发光二极管芯片，具有一顶面和四个侧面；一荧光粉片，具有一外表面和四个侧边，堆叠于所述内发光二极管芯片的所述顶面，所述内发光二极管芯片的四个所述侧面分别与所述荧光粉片的四个所述侧边切齐；一围墙，设置于所述内发光二极管芯片的四个所述侧面和所述荧光粉片的四个所述侧边；其中，所述围墙的一底面裸露于所述封装层之外，所述荧光粉片的所述外表面与所述围墙的一顶面共同构成所述白光发光单元的一顶面。优选地，所述白光发光单元的所述顶面是共平面于所述封装层的一顶面。优选地，所述围墙的至少一个侧面共平面于所述封装层的外侧面的相邻部位。综上所述，本专利技术实施例所公开的芯片级发光二极管封装结构，其通过所述白光发光单元、所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片被所述封装层封装、且将其各个电极裸露于所述封装层之外，据以有效地降低芯片级发光二极管封装结构制程缺失与信赖度问题、并能缩小芯片级发光二极管封装结构的尺寸。为能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。附图说明图1为本专利技术实施例一的芯片级发光二极管封装结构的立体示意图。图2为图1沿剖线Ⅱ-Ⅱ的剖视示意图。图3为芯片级发光二极管封装结构固定于载板的剖视示意图。图4为图1的俯视示意图。图5为图4的变化类型示意图(一)。图6为图4的变化类型示意图(二)。图7为本专利技术实施例二的芯片级发光二极管封装结构的立体示意图。图8为图7的俯视示意图。图9为图8沿剖线IX-IX的剖视示意图。图10为图8沿剖线X-X的剖视示意图。图11为图8的变化类型示意图。具体实施方式请参阅图1至图11，其为本专利技术的实施例，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用来具体地说明本专利技术的实施方式，以便于了解本专利技术的内容，而非用来局限本专利技术的保护范围。[实施例一]如图1至图6所示，其为本专利技术的实施例一。如图2至图4所示，所述芯片级发光二极管封装结构100于本实施例中大致呈长方体，并且上述芯片级发光二极管封装结构100的长度方向定义为一第一方向L1，而其宽度方向定义为一第二方向L2。其中，芯片级发光二极管封装结构100包含有用于发出白色光线的一白光发光单元1、用于发出红色光线的一覆晶式红色发光二极管芯片2、用于发出绿色光线的一覆晶式绿色发光二极管芯片3、用于发出蓝色光线的一覆晶式蓝色发光二极管芯片4、及一封装层5。其中，所述白色光线于本实施例中是指如同日光灯所发出的光线。如图2至图4所示，所述白光发光单元1呈长条形(如：大致呈长方体)且包含有一内发光二极管芯片11、一荧光粉片12、及一围墙13。其中，所述内发光二极管芯片11大致呈长方体，并且内发光二极管芯片11具有一顶面111、相连于上述顶面111周围的四个侧面112、及位于底部的多个电极113。所述荧光粉片12大致呈矩形片体、并且堆叠于所述内发光二极管芯片11的顶面111。其中，所述荧光粉片12具有一外表面121和相连于上述外表面121周围的四个侧边122，并且所述内发光二极管芯片11的四个侧面112于本实施例中分别与所述荧光粉片12的四个侧边122对齐。更详细地说，所述荧光粉片1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片级发光二极管封装结构，其特征在于，所述芯片级发光二极管封装结构包括：/n一白光发光单元，用于发出一白色光线；/n一覆晶式红色发光二极管芯片，用于发出一红色光线；/n一覆晶式绿色发光二极管芯片，用于发出一绿色光线；/n一覆晶式蓝色发光二极管芯片，用于发出一蓝色光线；以及/n一封装层，具有一胶体及分布于所述胶体内的多个折射粒子，所述封装层封装所述白光发光单元、所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片，并且所述白光发光单元的电极、所述覆晶式红色发光二极管芯片的电极、所述覆晶式绿色发光二极管芯片的电极、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片的电极裸露于所述封装层之外。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片级发光二极管封装结构，其特征在于，所述芯片级发光二极管封装结构包括：
一白光发光单元，用于发出一白色光线；
一覆晶式红色发光二极管芯片，用于发出一红色光线；
一覆晶式绿色发光二极管芯片，用于发出一绿色光线；
一覆晶式蓝色发光二极管芯片，用于发出一蓝色光线；以及
一封装层，具有一胶体及分布于所述胶体内的多个折射粒子，所述封装层封装所述白光发光单元、所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片，并且所述白光发光单元的电极、所述覆晶式红色发光二极管芯片的电极、所述覆晶式绿色发光二极管芯片的电极、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片的电极裸露于所述封装层之外。


2.依据权利要求1所述的芯片级发光二极管封装结构，其特征在于，所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片各具有被所述封装层所覆盖的一顶面及四个侧面，并且所述白光发光单元具有一顶面与四个侧面，所述白光发光单元的所述顶面共平面于所述封装层的一顶面，而所述白光发光单元的至少一个所述侧面被所述封装层所覆盖。


3.依据权利要求1所述的芯片级发光二极管封装结构，其特征在于，所述白光发光单元、所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片沿一第一方向排成一列；所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片彼此相邻设置；所述白光发光单元及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片分别位于所述覆晶式红色发光二极管芯片与所述覆晶式绿色发光二极管芯片的相反两外侧。


4.依据权利要求1所述的芯片级发光二极管封装结构，其特征在于，所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片沿一第一方向排成一列且彼此相邻设置；所述白光发光单元位于所述覆晶式红色发光二极管芯片、所述覆晶式绿色发光二极管芯片、及所述覆晶式蓝色发光二极管芯片的相同侧且留有相同的间距。


5.依据权利要求3或4所述的芯片级...

【专利技术属性】
技术研发人员：李天佑，陈志源，蔡玮伦，黄建栋，徐维壎，洪玮健，
申请(专利权)人：光宝光电常州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32