【技术实现步骤摘要】
去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置
本技术涉及提纯领域，具体涉及一种去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置。
技术介绍
高纯四氟化硅气体，是制备硅烷、晶体硅、光纤等的重要原料。我国拥有丰富萤石资源和磷矿，SiF4气体是其伴生产物，也是重要的氟资源。高性能的非晶态硅、单晶硅、多晶硅、光纤等对四氟化硅气体纯度要求非常高，至少达到99.99％以上，而高纯SiF4气体的制备技术掌握在少数发达国家手中，如美国、日本、俄罗斯等。近年来我国对高纯度SiF4气体的制备工艺的研究有了发展，某些公司提出的标准甚至高于国外，但现有SiF4气体纯化系统中对气体杂质的去除效果不是很理想。制备SiF4的方法主要有硫酸法、氢氟酸法、Si-F2直接合成法、氟硅酸盐热解法等。商业生产的SiF4气体通常包含大量杂质，会引起微电子器件出现缺陷和引发故障，在光电领域对高纯SiF4气体中杂质含量要求较高，目前对SiF4气体的纯化工艺多采用精馏技术实现纯化的目的。其中二氧化碳和氟化氢的含量依旧较高，进一步去除仍旧是一个技术壁垒。...
【技术保护点】
1.一种去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置，包括设有通道的箱体、驱动四氟化硅气体流经所述通道的风机组件、以及对流经所述通道的四氟化硅气体进行过滤的过滤组件，其特征在于，所述过滤组件包括沿四氟化硅气体输送方向依次设置的用于吸附水和二氧化碳的第一吸附机构和用于吸附二氧化碳和氟化氢的第二吸附机构，所述第一吸附机构包括分子筛，所述第二吸附机构包括吸附板，所述吸附板包括孔板和涂覆于所述孔板表面的共价三嗪环骨架材料层。/n
【技术特征摘要】
1.一种去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置，包括设有通道的箱体、驱动四氟化硅气体流经所述通道的风机组件、以及对流经所述通道的四氟化硅气体进行过滤的过滤组件，其特征在于，所述过滤组件包括沿四氟化硅气体输送方向依次设置的用于吸附水和二氧化碳的第一吸附机构和用于吸附二氧化碳和氟化氢的第二吸附机构，所述第一吸附机构包括分子筛，所述第二吸附机构包括吸附板，所述吸附板包括孔板和涂覆于所述孔板表面的共价三嗪环骨架材料层。
2.如权利要求1所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置，其特征在于，所述共价三嗪环骨架材料层为带电共价三嗪环骨架材料层。
3.如权利要求1所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置，其特征在于，所述共价三嗪环骨架材料层为咔唑基共价三嗪环骨架材料层。
4.如权利要求1所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置，其特征在于，所述第二吸附机构包括间隔距离布置的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金向华，侯倩，王新喜，孙猛，温海涛，张红敏，刘晶，
申请(专利权)人：苏州金宏气体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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