【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于吸附剂，特别是关于一种四甲基二氢二硅氧烷吸附剂、其制备方法及其应用。
技术介绍
1、有机硅单体粗产物中除目标产物二甲基二氯硅烷外还有7～8％的高沸物、5～15％的甲基三氯硅烷、2％的低沸物以及2％的三甲基氯硅烷和甲基二氯硅烷。其中高沸物和低沸物的组成比较复杂。低沸物是由沸点在40℃以下的副产物组成的混合物，组成极为复杂。尽管其中的主要组分为非常有用的me4si和me2sihcl，但由于各组分间沸点接近很难分离而难以利用。国外用低沸物来生产气相法白炭黑，但国内技术不成熟，只能将其直接排放。其中，有机硅低沸物在水洗的过程中me2sihcl水解生成四甲基二氢二硅氧烷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种四甲基二氢二硅氧烷吸附剂、其制备方法，其能够吸附四甲基二氢二硅氧烷从而分离me4si和me2sihcl。
2、本专利技术的另一目的还在于提供一种上述四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的应用。
3、为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，包括以下步骤：获得前驱体溶液；将13x分子筛浸润至前驱体溶液中；分离13x分子筛和前驱体溶液的混合物，得到预产物；以及对预产物进行后处理，获得四甲基二氢二硅氧烷吸附剂。
4、其中，所述前驱体溶液提供镁离子、钙离子、镍离子以及铜离子中的至少一种。
5、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述前驱体溶液中镁离子、钙离子、镍离子以及铜离子中任一一种离子的浓度为
6、在本专利技术的一个或多个实施方式中，将13x分子筛浸润至前驱体溶液中包括：将13x分子筛进行活化处理后再浸润至前驱体溶液中。
7、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述活化处理包括：将13x分子筛在保护气氛围中，且在290-310℃温度下，活化3-5h。
8、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述制备方法还包括：将活化处理后的13x分子筛浸润至前驱体溶液中，并在85-95℃温度下，持续2-3h。
9、在本专利技术的一个或多个实施方式中，分离13x分子筛和前驱体溶液的混合物包括：采用离心分离的方式分离13x分子筛和前驱体溶液的混合物。
10、在本专利技术的一个或多个实施方式中，对预产物进行后处理包括：用纯水洗涤预产物。
11、在本专利技术的一个或多个实施方式中，对预产物进行后处理还包括：将洗涤后的预产物，在115-125℃温度下，干燥2-3h后，在290-310℃温度下，保持3-5h。
12、本专利技术的实施例还提供了上述的制备方法制得的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂。
13、本专利技术的实施例还提供了上述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂在分离me4si和me2sihcl中的应用。
14、与现有技术相比，根据本专利技术实施方式的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法制得的催化剂，相比于常用的13x分子筛，可以吸附更多的四甲基二氢二硅氧烷，以及可以有效的分离me4si和四甲基二氢二硅氧烷。
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1.一种四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液中镁离子、钙离子、镍离子以及铜离子中任一一种离子的浓度为0.1-1mol/L。
3.如权利要求1所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，将13X分子筛浸润至前驱体溶液中包括：
4.如权利要求3所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，所述活化处理包括：将13X分子筛在保护气氛围中，且在290-310℃温度下，活化3-5h。
5.如权利要求3所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
6.如权利要求1所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，分离13X分子筛和前驱体溶液的混合物包括：
7.如权利要求1所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，对预产物进行后处理包括：
8.如权利要求1所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，对预产物进行后处理还包括：p>
9.如权利要求1-8任一项所述的制备方法制得的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂。
10.如权利要求9所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂在分离Me4Si和Me2SiHCl中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液中镁离子、钙离子、镍离子以及铜离子中任一一种离子的浓度为0.1-1mol/l。
3.如权利要求1所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，将13x分子筛浸润至前驱体溶液中包括：
4.如权利要求3所述的四甲基二氢二硅氧烷吸附剂的制备方法，其特征在于，所述活化处理包括：将13x分子筛在保护气氛围中，且在290-310℃温度下，活化3-5h。
5.如权利要求3所述的四甲基二氢二硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈琪，徐聪，栗鹏伟，孙猛，
申请(专利权)人：苏州金宏气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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