【技术实现步骤摘要】
一种用于处理多晶硅副产高沸物的装置和方法
本专利技术涉及多晶硅制备
，特别的涉及多晶硅副产物处理。
技术介绍
多晶硅是制造光伏太阳能电池等产品的主要原料，在制造高纯多晶硅的方法中，改良西门子法是目前主流的多晶硅生产方法，在改良西门子法中，三氯氢硅和氢气在还原炉内反应，三氯氢硅中的硅被还原出来沉积在硅芯表面，形成120-200mm直径的多晶硅棒后停止通入原料，逐步减低电流至停加电流，在还原炉中的多晶硅棒逐渐冷却，冷却至一定温度后，用氮气进行置换，将多晶硅棒从还原炉中取出，从还原炉取出的多晶硅棒破碎成块状料后进行包装后运输至光伏产业链下游使用。早期多晶硅还原炉每批次生产9对、12对、24对多晶硅棒，目前多晶硅还原炉已经大型化，普遍在36对棒以上，包括36对、40对、48对、60对、66对、72对棒等大型还原炉，在大型还原炉中由于硅棒排列较密、内部温度较高，溶液产生硅的聚合物，这部分硅的聚合物沸点较高，在多晶硅还原尾气回收分离后通常被称为高沸物。这些高沸物直接水解处理导致了硅元素和氯元素的损失，目前部分企业采用通过裂...
【技术保护点】
1.本专利技术公开一种处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于包括原料无水氯化氢从气液固流化床反应器底部通过气体分布器进入，多晶硅副产物从气液固流化床反应器底部进入，催化剂被设置在气液固流化床反应器底部和上部的挡板限制在反应器内，反应生成的单硅烷、未完全反应的无水氯化氢和高沸物一起从气液固流化床反应器顶部流出进一步分离。/n
【技术特征摘要】
1.本发明公开一种处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于包括原料无水氯化氢从气液固流化床反应器底部通过气体分布器进入，多晶硅副产物从气液固流化床反应器底部进入，催化剂被设置在气液固流化床反应器底部和上部的挡板限制在反应器内，反应生成的单硅烷、未完全反应的无水氯化氢和高沸物一起从气液固流化床反应器顶部流出进一步分离。
2.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，筒体带有蒸汽夹套保温或蒸汽管道伴热保温。
3.根据权利要求2所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，保温的温度在30-160℃。
4.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，采用的催化剂为胺基树脂催化剂。
5.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，反应器内上部和下部各有一个催化剂挡板。
6.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，胺基树脂催化剂添加口是向下倾斜的。
7.根据权利要求4所述的处理多晶硅副产高沸物的装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：付绪光，李力，刘逸枫，沈峰，陈其国，
申请(专利权)人：江苏中能硅业科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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