处理氯硅烷残液的系统技术方案

本实用新型专利技术公开了处理氯硅烷残液的系统，包括：粗过滤装置，具有粗过滤滤芯、氯硅烷残液入口、第一滤液出口和硅粉出口；第一精馏装置，具有第一滤液入口、第一轻组分出口和第一重组分出口；急冷装置，具有冷却介质入口、冷却介质出口、第一重组分入口、急冷残液出口、金属氯化物出口和上清液出口；精过滤装置，具有精过滤滤芯、上清液入口、固体杂质出口和第二滤液出口；裂解‑反应装置，具有第二滤液入口、固体催化剂入口、反应气体入口、反应后气出口和反应后液出口；第二精馏装置，具有反应后液入口、第二轻组分出口和第二重组分出口。采用该系统可有效去除金属氯化物，可对氯硅烷高沸物进行有效地回收和利用，使氯硅烷残液的回收率可达99％。

【技术实现步骤摘要】
处理氯硅烷残液的系统
本技术属于多晶硅生产
，具体而言，本技术涉及处理氯硅烷残液的系统。
技术介绍
改良西门子法生产多晶硅过程中，产生大量的副产物四氯化硅。目前，90％以上的多晶硅企业均采用四氯化硅冷氢化技术处理副产物，将其转化为生产多晶硅的原料三氯氢硅。四氯化硅冷氢化技术是将冶金级硅粉、氢气、四氯化硅在一定的温度、压力条件下，在催化剂作用下反应，生成三氯氢硅。由于冶金级硅粉中含有金属杂质，因此氢化产品氯硅烷里引入了细微的硅粉和金属杂质。在急冷塔或淋洗塔以及后续的氯硅烷粗馏过程中，为防止堵塞设备和脱除金属杂质，这些细微硅粉和金属杂质将随四氯化硅液体由塔底排出，排出的这部分固液混合物即为氢化残液。另外，在生产多晶硅的过程中，除了会生成硅、SiCl4、SiH2Cl2、H2和HCl等外，还会生成Si2Cl6、Si2HCl5、Si2H2Cl4、Cl6OSi2和Si3Cl8等一系列的双硅和多硅原子化合物副产物，相对于三氯氢硅和四氯化硅，双硅和多硅原子化合物的沸点较高，称为氯硅烷高沸物。生产多晶硅所得的尾气经干法回收和精馏提纯后，SiHCl3、SiC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理氯硅烷残液的系统，其特征在于，包括：/n粗过滤装置，所述粗过滤装置具有粗过滤滤芯、氯硅烷残液入口、第一滤液出口和硅粉出口；/n第一精馏装置，所述第一精馏装置具有第一滤液入口、第一轻组分出口和第一重组分出口，所述第一滤液入口与所述第一滤液出口相连；/n急冷装置，所述急冷装置具有冷却介质入口、冷却介质出口、第一重组分入口、急冷残液出口、金属氯化物出口和上清液出口，所述第一重组分入口与所述第一重组分出口相连；/n精过滤装置，所述精过滤装置具有精过滤滤芯、上清液入口、固体杂质出口和第二滤液出口，所述上清液入口与所述上清液出口相连；/n裂解-反应装置，所述裂解-反应装置具有第二滤液入口、固体...

【技术特征摘要】
1.一种处理氯硅烷残液的系统，其特征在于，包括：
粗过滤装置，所述粗过滤装置具有粗过滤滤芯、氯硅烷残液入口、第一滤液出口和硅粉出口；
第一精馏装置，所述第一精馏装置具有第一滤液入口、第一轻组分出口和第一重组分出口，所述第一滤液入口与所述第一滤液出口相连；
急冷装置，所述急冷装置具有冷却介质入口、冷却介质出口、第一重组分入口、急冷残液出口、金属氯化物出口和上清液出口，所述第一重组分入口与所述第一重组分出口相连；
精过滤装置，所述精过滤装置具有精过滤滤芯、上清液入口、固体杂质出口和第二滤液出口，所述上清液入口与所述上清液出口相连；
裂解-反应装置，所述裂解-反应装置具有第二滤液入口、固体催化剂入口、反应气体入口、反应后气出口和反应后液出口，所述第二滤液入口与所述第二滤液出口相连；
第二精馏装置，所述第二精馏装置具有反应后液入口、第二轻组分出口和第二重组分出口，所述反应后液入口与所述反应后液出口相连。


2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述粗过滤装置包括多个所述粗过滤滤芯，所述粗过滤滤芯为滤布。


3.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述精过滤装置具有多个所述精过滤滤芯，所述精过滤滤芯选自金属滤芯、陶瓷滤芯和工程塑料滤芯中的至少之一。


4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括：第一再沸装置，所述第一再沸装置具有第一液体入口和第一气液混合物出口，所述第一液体入口与所述第一重组分出口相连，所述第一气液混合物出口与所述第一精馏装置相连。


5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括：第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：万烨，曾晓国，严大洲，孙强，张伟，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，洛阳中硅高科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11