用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统技术方案

方法用于计算半导体器件中的边界泄漏。检测第一单元和第二单元之间的边界，该第一单元和第二单元在该边界周围彼此邻接。识别与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性。基于与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况。基于与单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算第一单元和第二单元之间的预期边界泄漏。本发明专利技术的实施例还涉及用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统
本专利技术的实施例涉及用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统。
技术介绍
当要制造半导体器件时，放置不同的单元和布线。然而，随着半导体器件的技术的不断发展，工艺窗口急剧缩小。由于工艺限制规则变得更加严格，半导体器件的制造变得越来越具有挑战性。半导体器件可以包括以预定图案布置的几个晶体管单元。例如，在FET(场效应晶体管)器件的情况下，可以在衬底上制造几个源极/漏极对，并且可以在源极/漏极对上方形成相应的栅电极。在操作中，相邻的单元可能在单元的边缘处经受泄漏电流。结果，相邻的单元可以分隔开以减小半导体器件内的泄漏的总体效果。然而，分隔开的相邻的单元导致半导体器件的设计面积的增加。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于半导体器件的泄漏分析的方法，包括：检测半导体器件中的第一单元和第二单元之间的边界，其中，所述第一单元和所述第二单元在所述边界周围彼此邻接；识别与所述第一单元和所述第二单元的单元边缘相关联的属性；基于与所述第一单元和所述第二单元的所述单元边缘相关联的所述属性来识别单元邻接情况；以及基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算所述第一单元和所述第二单元之间的边界泄漏。本专利技术的另一实施例提供了一种用于半导体器件的泄漏分析的系统，包括：库，包含与不同单元邻接情况的泄漏电流值相关的至少一个泄漏查询表；处理器，配置为执行分析以检测半导体器件中的邻接单元之间的边界，识别与所述邻接单元的单元边缘相关联的属性，基于与所述单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况，基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率计算所述邻接单元之间的边界泄漏；以及输出接口，配置为输出所述半导体器件中的所述边界泄漏。本专利技术的又一实施例提供了一种用于半导体器件的泄漏分析的方法，包括：计算半导体器件的预期边界泄漏；以及基于至少所述预期边界泄漏来调整所述半导体器件的布局；其中，计算所述半导体器件的所述预期边界泄漏包括：检测所述半导体器件的所述布局的邻接单元之间的边界；识别与所述邻接单元的单元边缘相关联的属性；基于与所述单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况；和基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算所述邻接单元之间的所述预期边界泄漏。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1是根据本专利技术的各个实施例的半导体器件的示例性布局图。图2是示出根据一些实施例的用于计算单元邻接泄漏的方法的流程图。图3A和图3B示出了根据一个或多个实施例的一个单元的单元边缘的示例。图4A和图4B示出了根据一个或多个实施例的与邻接单元之间的边界对应的单元邻接情况的示例。图5是根据本专利技术的各个实施例的图1中的半导体器件的单元邻接情况的示例性情况。图6是根据本专利技术的一些实施例的示出图2中的一个操作内的进一步操作的流程图。图7A是根据本专利技术的各个实施例的晶体管泄漏查找表的示例性情况。图7B是根据本专利技术的各个实施例的泄漏概率查找表的示例性情况。图8是与图5所示的实施例中的半导体器件的布局相关的边界泄漏的计算表的示例性情况。图9是根据本专利技术的一些实施例的示出图2中的一个操作内的进一步操作的另一流程图。图10A是根据本专利技术的各个实施例的一个晶体管泄漏查找表的示例性情况。图10B是根据本专利技术的各个实施例的另一晶体管泄漏查找表LUT1B的示例性情况。图11是根据本专利技术的各个实施例的泄漏概率查找表的示例性情况。图12是与图5所示的实施例中的半导体器件的布局相关的边界泄漏的计算表的示例性情况。图13是根据本专利技术的一些实施例的用于设计半导体器件的布局的方法的流程图。图14是根据本专利技术的一些实施例的用于执行图2所示的方法或图13所示的方法的计算机系统的框图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本专利技术。当然这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个实例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。在本说明书中使用的术语通常具有本领域和在使用每个术语的特定上下文中的普通含义。在本说明书中使用示例(包括在此讨论的任何术语的示例)仅是说明性的，并且不以任何方式限制本专利技术或任何示例性术语的范围和含义。同样，本专利技术不限于本说明书中给出的各个实施例。将理解，虽然术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离实施例的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。如本文所用的，术语“包括”、“包含”、“具有”、“含有”、“涉及”等应被理解为开放式的，即意指包括但不限于。在整个说明书中对“一个实施例”、“实施例”或“一些实施例”的引用是指结合一个或多个实施例描述的特定特征、结构、实现或特性包括在本专利技术的至少一个实施例中。因此，在整个说明书中的各个地方使用短语“在一个实施例中”或“在实施例中”或“在一些实施例中”不一定全部指的是同一实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式组合特定的特征、结构、实现或特性。半导体器件可以包括以预定图案布置的几个晶体管单元。例如，在FET(场效应晶体管)器件的条件下，可以在衬底上制造几个源极/漏极对，并且可以在源极/漏极对上方形成相应的栅电极。在操作中，相邻的单元可能在两个单元之间的边界处经受泄漏。经历泄漏的一种类型的半导体器件是包括连续有源区的半导体器件。在包括连续有源区的半导体器件中，由于有源区的连续性质，相邻的单元经历与其他类型的半导体器件相关联的典型泄漏电流以及在单元的边缘处的附加泄漏。在包括连续有源区的半导体器件中，用于多个半导体单元的源极和漏极形成在连续有源区中。图1是根据本专利技术的各个实施例的半导体器件的示例性布局图。如图1示例性所示，在为说明而示出的半导体器件100的示例性布局中，存在三个单元CL1、CL2和CL3。图1中的半导体器件100中的单元CL1、CL2和CL3的数量是为了说明的目的而给出的。各种数量的单元在本专利技术的预期范围内。为了简化说明，下面讨论半导体器件100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体器件的泄漏分析的方法，包括：/n检测半导体器件中的第一单元和第二单元之间的边界，其中，所述第一单元和所述第二单元在所述边界周围彼此邻接；/n识别与所述第一单元和所述第二单元的单元边缘相关联的属性；/n基于与所述第一单元和所述第二单元的所述单元边缘相关联的所述属性来识别单元邻接情况；以及/n基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算所述第一单元和所述第二单元之间的边界泄漏。/n

【技术特征摘要】
20190116 US 62/793,350;20190927 US 16/586,6581.一种用于半导体器件的泄漏分析的方法，包括：
检测半导体器件中的第一单元和第二单元之间的边界，其中，所述第一单元和所述第二单元在所述边界周围彼此邻接；
识别与所述第一单元和所述第二单元的单元边缘相关联的属性；
基于与所述第一单元和所述第二单元的所述单元边缘相关联的所述属性来识别单元邻接情况；以及
基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算所述第一单元和所述第二单元之间的边界泄漏。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一单元和所述第二单元之间的所述边界包括P沟道边界部分和N沟道边界部分。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述单元邻接情况包括与所述P沟道边界部分对应的第一填充物深度、与所述N沟道边界部分对应的第二填充物深度、与所述P沟道边界部分对应的所述边界旁边的所述单元边缘的第一邻接类型以及与所述N沟道边界部分对应的所述边界旁边的所述单元边缘的第二邻接类型。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一邻接类型或所述第二邻接类型选自源极-源极邻接、漏极-漏极邻接、源极-漏极邻接、源极-填充物邻接、漏极-填充物邻接、源极-填充物中断邻接和漏极-填充物中断邻接的组合。


5.根据权利要求3所述的方法，其中，与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率由所述单元邻接情况的所述第一邻接类型和所述第二邻接类型确定。


6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述边界泄漏与所述P沟道边界部分上的第一泄漏电流和所述N沟道边界部分上的第二泄漏电流的总和相关联。


7.根据权利要求1所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振华，林运翔，侯元德，王中兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71