一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法技术

本发明专利技术公开一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：S1：晶圆键合，晶圆的正面完成金属垫工艺后，在晶圆上形成金属层，将晶圆的正面通过粘合剂键合在环形玻璃载板上；S2：减薄、S3：中间工艺、S4：背面切割、S5：蚀刻工艺、S6：粘合剂去除，采用氧气电浆蚀刻晶粒上的粘合剂，在粘合剂上形成凹槽使金属层露出；S7：电镀，对晶粒的双面进行电镀；S8：解键合，通过解键合将晶粒从玻璃载板上脱离。本发明专利技术双面电镀的晶粒生产方法通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成，取代传统的双面分布电镀的方式，提高了晶圆的生产效率，有利于降低晶圆的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法
本专利技术涉及一种晶粒生产方法，具体是一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法。
技术介绍
功率半导体及光学器件生产工艺过程，先晶圆正面完成刻蚀，金属沉积工艺后，晶圆键合玻璃载板上，进行背面薄化，黄光工序及背面金属沉积工艺。被广泛的用在薄化晶圆的工艺过程中，使用的载板为厚度400-700微米的玻璃，晶圆正面无法再进行黄光工艺刻蚀，电镀等工艺，故分次进行黄光工艺刻蚀，电镀等工艺。目前在晶圆制造工艺过程中，先电镀后切割，双面电镀分步进行，电镀的金属为贵金属，成本较高，电镀后在晶圆表面形成电镀层，再进行切割，极易损伤晶圆，造成贵金属的浪费，影响晶粒的成品率，电镀的设备较昂贵，双面电镀分步进行，提高了晶粒的生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法，通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成，取代传统的双面分布电镀的方式，提高了晶圆的生产效率，有利于降低晶圆的生产成本；先切割后电镀，减少贵金属的损伤，有利于提高晶粒的成品率。本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,其特征在于，晶粒生产方法包括以下步骤：/nS1：晶圆键合/n晶圆(1)的正面完成金属垫工艺后，在晶圆(1)上形成金属层(2)，将晶圆(1)的正面通过粘合剂(4)键合在环形玻璃载板(3)上；/nS2：减薄/n对晶圆(1)的背面进行减薄；/nS3：中间工艺/n对晶圆(1)的背面进行黄光、离子注入、干式除灰、湿式剥离和背面金属溅镀/蒸镀；/nS4：背面切割/n对晶圆(1)的背面进行切割，晶圆(1)切割后形成晶粒(5)；/nS5：蚀刻工艺/n进行黄光工序，以氢氟酸蚀刻玻璃载板(3)上固定有晶粒(5)的相对面，在玻璃载板(3)上形成贯穿孔(6)，贯穿孔(6)正...

【技术特征摘要】
1.一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,其特征在于，晶粒生产方法包括以下步骤：
S1：晶圆键合
晶圆(1)的正面完成金属垫工艺后，在晶圆(1)上形成金属层(2)，将晶圆(1)的正面通过粘合剂(4)键合在环形玻璃载板(3)上；
S2：减薄
对晶圆(1)的背面进行减薄；
S3：中间工艺
对晶圆(1)的背面进行黄光、离子注入、干式除灰、湿式剥离和背面金属溅镀/蒸镀；
S4：背面切割
对晶圆(1)的背面进行切割，晶圆(1)切割后形成晶粒(5)；
S5：蚀刻工艺
进行黄光工序，以氢氟酸蚀刻玻璃载板(3)上固定有晶粒(5)的相对面，在玻璃载板(3)上形成贯穿孔(6)，贯穿孔(6)正对晶粒(5)，使玻璃载板(3)变成中间空开窗户的玻璃载板；
S6：粘合剂去除
采用氧气电浆蚀刻晶粒(5)上的粘合剂(4)，在粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，李景贤，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33