用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液及电镀方法技术

技术编号:24989582 阅读:195 留言:0更新日期:2020-07-24 17:52
本发明专利技术公开了一种用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液及电镀方法,电镀液包括以下浓度的组分:五水硫酸铜:150‑250g/L、硫酸:20‑50g/L、氯离子:20‑85mg/L、聚乙二醇:3‑10g/L、2‑咪唑硫烷酮:10‑80mg/L、2‑噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠:2‑10mg/L、脂肪醇聚氧乙烯基醚:20‑500mg/L及DI纯水:余量;本发明专利技术的双面镀铜采用适宜的电镀铜溶液及电镀方法使铜在通孔内部中间部位预先相连填满,再向两面孔口逐渐同步填充,最终形成高效密封导通的铜材料,实现通孔无孔隙的金属化制作。这种工艺降低工艺耗时和技术复杂性,提高生产良率和效率。

【技术实现步骤摘要】
用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液及电镀方法
本专利技术涉及材料电化学领域,尤其涉及一种用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液及电镀方法。
技术介绍
迄今为止集成电路技术一直沿着摩尔定律卓有成效地发展,但随着32nm以下线宽技术在单一芯片集成、高密度和多功能等方面进展越来越困难,成本也越来越高,于是出现了新的解决方案,即超越摩尔定律。其中,三维(3D)集成技术是目前被认为超越摩尔定律可持续实现小型化、高密度、多功能化的首选解决方案,而通孔技术则被认为是3D集成的核心。如硅通孔(TSV)技术正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术,被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充,实现硅通孔的垂直电气互连,可减小互联长度,减小信号延迟,降低电容/电感,实现芯片间的低功耗,高速通讯,增加宽带和实现器件集成的小型化等。玻璃通孔(TGV)技术由硅通孔技术引申而来,其金属化填充法也主要包括了化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、化学镀(ElectrolessPlating)和电镀(Electroplating)四种方法,目前使用较多的是化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液,其特征在于,包括以下浓度的组分:/n五水硫酸铜:150-250g/L/n硫酸:20-50g/L/n氯离子:20-85mg/L/n聚乙二醇:3-10g/L/n2-咪唑硫烷酮:10-80mg/L/n2-噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠:2-10mg/L/n脂肪醇聚氧乙烯基醚:20-500mg/L/nDI纯水:余量;/n将上述的组分按照浓度混合后形成该电镀液,该电镀液主要用于玻璃通孔双面镀铜的双面电镀。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液,其特征在于,包括以下浓度的组分:
五水硫酸铜:150-250g/L
硫酸:20-50g/L
氯离子:20-85mg/L
聚乙二醇:3-10g/L
2-咪唑硫烷酮:10-80mg/L
2-噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠:2-10mg/L
脂肪醇聚氧乙烯基醚:20-500mg/L
DI纯水:余量;
将上述的组分按照浓度混合后形成该电镀液,该电镀液主要用于玻璃通孔双面镀铜的双面电镀。


2.根据权利要求1所述的用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液,其特征在于,所述2-咪唑硫烷酮的分子含有C-S、C-N基团,可吸附于通孔表面的高电位区,抑制孔口及表面铜的生长,利于低电位区的通孔内部优先沉积铜,达到理想的生长模式;且该2-咪唑硫烷酮优选浓度为15-45mg/mL。


3.根据权利要求1所述的用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液,其特征在于,所述脂肪醇聚氧乙烯基醚为饱和的或不饱和的C12~18的长链或饱和的或不饱和支链脂肪醇在无水和无氧气存在的情况下与环氧乙烷开环聚合反应得到,通式为RO(CH2CH2O)nH;脂肪醇聚氧乙烯基醚用作润湿添加剂,可以降低镀液表面张力,增加润湿效果,使金属铜有序地电镀于通孔的种子层上;且该脂肪醇聚氧乙烯基醚优选浓度为50-200mg/L。


4.根据权利要求1所述的用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液,其特征在于,所述2-噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠可以细化铜镀层晶粒,使铜镀层结晶细腻,镀层光亮;同时也可对高电流密度区的镀铜起到抑制作用,2-噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠优选浓度为3-8mg/L。


5.根据权利要求1所述的用于玻璃通孔双面镀铜的电镀液,其特征在于,所述五水硫酸铜优选浓度为200-230g/L,为电...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱雁强姚吉豪王江锋
申请(专利权)人:深圳市创智成功科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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