盲孔填孔电镀工艺及采用该工艺得到的镀件、镀件的应用、电子产品制造技术

本发明专利技术涉及电镀领域，具体而言，提供了一种盲孔填孔电镀工艺及采用该工艺得到的镀件、镀件的应用、电子产品。所述盲孔填孔电镀工艺包括：采用脉冲电镀对镀件的盲孔进行充填，或采用脉冲电镀和直流电镀的组合对镀件的盲孔进行充填。该工艺可以有效提高镀铜性能、效率和镀层分布：对于普通深径比的盲孔，适用更大的电流密度(由之前的20ASF提高到50ASF)，效率高，并降低面铜的厚度；避免填孔凸起，和改善整板分布；适合高端HDI工艺；对于高深径比的盲孔，可以避免包心和漏填，提高填孔质量。

Blind hole filling plating process and the application of plating parts, plating parts and electronic products

【技术实现步骤摘要】
盲孔填孔电镀工艺及采用该工艺得到的镀件、镀件的应用、电子产品
本专利技术涉及电镀领域，具体而言，涉及一种盲孔填孔电镀工艺及采用该工艺得到的镀件、镀件的应用、电子产品。
技术介绍
随着电子产品的应用越来越广泛，对于体积小功能强大的集成电路和线路板的需求也越来越高，而集成电路或线路板中通常设有各层互联的盲孔。目前盲孔直径有两种：(1)普通深径比盲孔：随着消费电子产品的不断的小型化和功能越来越强大，要求线路板的层数越来越多，介层越来越薄，线宽/线间距(L/S)越来越小，而起到连接作用的盲孔直径也越来越小；(2)高深径比盲孔：随着5G通讯的应用，电子产品、通讯设备的芯片数据处理具有频率高、发热多的特点，所以作为其载板的盲孔设计直径较大，盲孔深径比也较大，盲孔不仅起到线路信号传输的作用，而且具有优异的散热功能。对于以上两种类型的孔型目前多使用直流(波形)电镀填孔，但表现出一定的局限性：对于普通深径比的盲孔，目前使用的直流填孔工艺最为成熟稳定，但是效率较低，若要将孔填满，则镀铜面的铜较厚，且时间较长(通常镀铜厚度≥10um；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种盲孔填孔电镀工艺，其特征在于，包括：采用脉冲电镀对镀件的盲孔进行充填，或采用脉冲电镀和直流电镀的组合对镀件的盲孔进行充填。/n

【技术特征摘要】
1.一种盲孔填孔电镀工艺，其特征在于，包括：采用脉冲电镀对镀件的盲孔进行充填，或采用脉冲电镀和直流电镀的组合对镀件的盲孔进行充填。


2.根据权利要求1所述的盲孔填孔电镀工艺，其特征在于，依次采用脉冲电镀和直流电镀对镀件的盲孔进行充填；
优选地，脉冲包括正向脉冲和/或正反脉冲；
优选地，正反脉冲包括阶梯正反脉冲；
优选地，脉冲波形包括方波脉冲、三角波脉冲或锯齿波脉冲；
优选地，一个填孔过程中包括1-4组脉冲波形组合；
优选地，每一组脉冲波形组合至少包含一个周期，每一个周期至少包含一个脉冲波形，在一个脉冲波形中：正向电流密度为1～10ASD，反向电流密度为0～20ASD，正反时间比为20ms:0.5ms～200ms:10ms，相位差为0～180°。


3.根据权利要求1所述的盲孔填孔电镀工艺，其特征在于，电镀时所采用的电镀液包括无机组分和有机添加剂；
优选地，无机组分包括铜源、导电介质、氯源和任选的其他金属离子源；
优选地，铜源包括硫酸铜和/或五水硫酸铜；
优选地，电镀液中，铜离子的浓度为100-270g/L，优选为150-260g/L；
优选地，导电介质包括无机酸；
优选地，无机酸包括硫酸；
优选地，电镀液中，硫酸的浓度为30-150g/L，优选为40-100g/L；
优选地，氯源包括含氯的无机酸和/或含氯的无机盐；
优选地，含氯的无机酸包括盐酸；
优选地，含氯的无机盐包括氯化钠和/或氯化钾；
优选地，电镀液中，氯离子的浓度为30-150mg/L，优选为40-100mg/L。


4.根据权利要求3所述的盲孔填孔电镀工艺，其特征在于，有机添加剂包括光泽剂、润湿剂和整平剂；
优选地，光泽剂包括含硫物质；
优选地，光泽剂分子末端含有-SO3Na或-SO3H；
优选地，光泽剂分子中包括以下分子片段：-S-S-或其中，R1包括CH2、S或O；
优选地，光泽剂的分子量低于1000，优选为200-1000；
优选地，光泽剂包括2,3-二巯基丙烷磺酸钠、聚二硫二丙烷磺酸钠、3-(苯甲酰二硫)-丙基磺酸盐或3-(苯甲酰胺-硫磺酸)-丙基磺酸钠盐中的至少一种；
优选地，电镀液中，光泽剂的浓度为0.05-200mg/L，优选为0.5-100mg/L。

【专利技术属性】
技术研发人员：张二航，
申请(专利权)人：东莞市康迈克电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44