【技术实现步骤摘要】
高温反复冲击环境下用PIN针及其IGBT外壳
本技术属于电连接
,具体涉及一种高温反复冲击环境下用PIN针及应用该PIN针的IGBT外壳。
技术介绍
逆变器产品中的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT上通过PIN针进行电信号的联通,但由于逆变器一般应用于大电流场合,因而引起其部件IGBT的环境温度较高,从而导致IGBT壳体受热冲击影响变形,在该工作环境下用现有的PIN针,PIN针的连接端会发生滑移并错过最佳连接位置,因此会影响电信号的传输。同时,由于PIN针结构的限制,在安装于IGBT时,通常需要额外制作相应的安装夹 ...
【技术保护点】
1.高温反复冲击环境下用PIN针,其特征在于:包括针肩部及焊接于所述针肩部下方的柔性输出结构,所述柔性输出结构为片状;/n所述针肩部的上方设置有鹰眼状输入端;所述柔性输出结构由鹰眼状输入端向下依次包括有第一弧形段及第二弧形段,所述第一弧形段与第二弧形段平滑过渡,所述第二弧形段的宽度大于第一弧形段的宽度。/n
【技术特征摘要】
1.高温反复冲击环境下用PIN针,其特征在于:包括针肩部及焊接于所述针肩部下方的柔性输出结构,所述柔性输出结构为片状;
所述针肩部的上方设置有鹰眼状输入端;所述柔性输出结构由鹰眼状输入端向下依次包括有第一弧形段及第二弧形段,所述第一弧形段与第二弧形段平滑过渡,所述第二弧形段的宽度大于第一弧形段的宽度。
2.如权利要求1所述的高温反复冲击环境下用PIN针,其特征在于:所述针肩部下方设置有固定卡刺。
3.如权利要求1所述的高温反复冲击环境下用PIN针,其特征在于:所述柔性输出条为纯铜片柔性输出结构。
4.如权利要求1所述的高温反复冲击环境下用PIN针,其特征在于:所述柔性输出...
【专利技术属性】
技术研发人员:王关炎,高睿,罗伟力,
申请(专利权)人:安特苏州精密机械有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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