一种射频微波电路板制造技术

技术编号:24824008 阅读:71 留言:0更新日期:2020-07-08 09:08
本实用新型专利技术公开了一种射频微波电路板,射频微波电路板包括:基板,设有第一通孔,正面介质层,设置在基板的上表面,正面介质层设有贯穿正面介质层的上表面和下表面的第二通孔和第三通孔,第一通孔内的金属浆料记为第一金属柱,第二通孔内的金属浆料记为第二金属柱;第一芯片设置在基板的上,且在第三通孔内,第一芯片的焊盘通过键合线与一个第二金属柱相连;第二芯片设置在正面介质层的上表面,第二芯片的焊盘通过键合线与一个第二金属柱相连;背面介质层设置在基板的背面。本实用新型专利技术通过在基板上设置正面介质层和背面介质层,形成四层电路板结构,芯片既能安装在基板上又能安装在正面介质层上,射频微波电路板布线更方便。

【技术实现步骤摘要】
一种射频微波电路板
本技术涉及微波传输
,尤其涉及一种射频微波电路板。
技术介绍
随着5G、毫米波、THz等射频微波器件的广泛应用,射频单元的功能越来越复杂和应用频率不断提升,不同芯片间互联需求急速提升。现有的射频微波电路板上的芯片的连接电路集中在一层,射频微波电路板上的便捷性较差。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种射频微波电路板,旨在解决目前射频微波电路板的便捷性不好的问题。本技术实施例提供了一种射频微波电路板,包括:基板,设有贯穿所述基板的上表面和所述基板的下表面的第一通孔,所述基板的第一通孔内部填充金属,所述第一通孔内的金属记为第一金属柱;正面介质层,通过热压的方式设置在所述基板的上表面,所述正面介质层设有贯穿所述正面介质层的上表面和所述正面介质层的下表面的第二通孔和第三通孔,所述第二通孔内部填充金属,所述第二通孔内的金属记为第二金属柱,且至少存在与第一金属柱相连的第二金属柱;第一芯片,设置在所述基板的上表面,且在所述第三通孔内,所述第一芯片的焊盘通过键合线与至少一个第二金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频微波电路板,其特征在于,包括:/n基板,设有贯穿所述基板的上表面和所述基板的下表面的第一通孔,所述基板的第一通孔内部填充金属,所述第一通孔内的金属记为第一金属柱;/n正面介质层,通过热压的方式设置在所述基板的上表面;所述正面介质层设有贯穿所述正面介质层的上表面和所述正面介质层的下表面的第二通孔和第三通孔,所述第二通孔内部填充金属,所述第二通孔内的金属记为第二金属柱,且第二金属柱与第一金属柱相连;/n第一芯片,设置在所述基板的上表面,且在所述第三通孔内,所述第一芯片的焊盘通过键合线与至少一个第二金属柱相连;/n第二芯片,设置在所述正面介质层的上表面,所述第二芯片的焊盘通过键合线与至少...

【技术特征摘要】
1.一种射频微波电路板,其特征在于,包括:
基板,设有贯穿所述基板的上表面和所述基板的下表面的第一通孔,所述基板的第一通孔内部填充金属,所述第一通孔内的金属记为第一金属柱;
正面介质层,通过热压的方式设置在所述基板的上表面;所述正面介质层设有贯穿所述正面介质层的上表面和所述正面介质层的下表面的第二通孔和第三通孔,所述第二通孔内部填充金属,所述第二通孔内的金属记为第二金属柱,且第二金属柱与第一金属柱相连;
第一芯片,设置在所述基板的上表面,且在所述第三通孔内,所述第一芯片的焊盘通过键合线与至少一个第二金属柱相连;
第二芯片,设置在所述正面介质层的上表面,所述第二芯片的焊盘通过键合线与至少一个第二金属柱相连。


2.如权利要求1所述的射频微波电路板,其特征在于,当所述基板的上表面设有至少两个第一芯片,且至少有两个第一芯片需要通过电阻连接时,所述射频微波电路板还包括:
电阻层,设置在所述基板上、需要通过电阻连接的两个第一芯片之间,且与需要通过电阻连接的两个第一芯片分别连接。


3.如权利要求1所述的射频微波电路板,其特征在于,所述射频微波电路板还包括:
第一正面种子层,设置在所述基板和所述正面介质层之间、且位于所述基板上的第一预设区域和所述第一通孔的内侧壁,所述第一预设区域的第一正面种子层用于设置第一芯片,其中,填充的金属通过所述第一正面种子层与所述第一通孔连接;
第二正面种子层,设置在所述正面介质层上的第一预设区域和所述第二通孔的内侧壁,所述正面介质层上的第一预设区域的第二正面种子层用于设置第二芯片,其中,填充的金属通过所述第二正面种子层与所述第二通孔连接。


4.如权利要求3所述的射频微波电路板,其特征在于,所述射频微波电路板还包括:
第一正面导体层,设置在所述第一正面种子层和所述正面介质层之间,且位于第一正面种子层上,所述第一正面导体层的第一区域用于设置第一芯片,所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:李仕俊王磊常青松徐达史光华刘晓红李增路潘海波武义桥方利王晟
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所
类型:新型
国别省市:河北;13

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