一种晶体取出装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种晶体取出装置，包括：筒体，其内侧壁具有向内凸出的台阶，所述台阶用于放置附着晶体装置，所述筒体的顶端对称固设有多个弹簧；压盖，其外侧具有边沿，中部设置有按压晶体的凸台，所述边沿和凸台之间形成凹槽，所述边沿端部设置有多个拆卸连接所述弹簧的孔槽。本申请采用筒体和压盖结构，在筒体台阶处放入附着晶体的装置后，压盖的凸台作用于晶体上，使晶体脱落滑动，可方便的取出晶体。本申请通过筒体和压盖中间的弹簧，使凸台的力均匀作用于晶体上，防止晶体取出过程中晶体开裂。本申请的装置结构简单，可方便的取出晶体，能够防止晶体取出过程中晶体开裂，保证取出的晶体的完好性及提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体取出装置
本技术涉及一种晶体取出装置，属于晶体生产用设备领域。
技术介绍
碳化硅(SiC)单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高、化学稳定性很高等优良的半导体物理性质，可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件，在国防、高科技、工业生产、供电、变电领域有巨大的应用价值，被看作是极具发展前景的第三代宽禁带半导体材料。目前，物理气相沉积法（PVT）是生长碳化硅晶体通常使用的方法，该方法中以碳化硅粉末为原材料，将坩埚中的碳化硅粉末加热到一定温度就会显著升华，而分解的碳化硅气体会沿着温度梯度输运并在碳化硅籽晶处凝聚。通常，将籽晶放置在中空贯通的籽晶托架上端，籽晶托架放置在坩埚体上部，盖上坩埚盖；或者将籽晶直接置于坩埚体上端，再盖上坩埚盖，用于籽晶的生长。晶体生长结束后，需要取出晶体，附着在坩埚体或籽晶托架上的晶体，目前全靠手工在操作台上撞击坩埚体或籽晶托架取出，易造成晶体开裂，效率低。现有技术中，还没有一种将坩埚体或籽晶托架中的晶体取出的装置。
技术实现思路
为了解决上述问题，本申请提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体取出装置，其特征在于，包括：/n筒体，其内侧壁具有向内凸出的台阶，所述台阶用于放置附着晶体装置，所述筒体的顶端对称固设有多个弹簧；/n压盖，其外侧具有边沿，中部设置有按压晶体的凸台，所述边沿和凸台之间形成凹槽，所述边沿端部设置有多个拆卸连接所述弹簧的孔槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体取出装置，其特征在于，包括：
筒体，其内侧壁具有向内凸出的台阶，所述台阶用于放置附着晶体装置，所述筒体的顶端对称固设有多个弹簧；
压盖，其外侧具有边沿，中部设置有按压晶体的凸台，所述边沿和凸台之间形成凹槽，所述边沿端部设置有多个拆卸连接所述弹簧的孔槽。


2.根据权利要求1所述的晶体取出装置，其特征在于，所述台阶为L形台阶，L形台阶的宽度等于或小于附着晶体装置的厚度，L形台阶的高度小于附着晶体装置的高度。


3.根据权利要求1所述的晶体取出装置，其特征在于，所述压盖的外径与筒体的外径大致相等。


4.根据权利要求1所述的晶体取出装置，其特征在于，所述边沿的高度小于凸台的高度，边沿的厚度小于筒体上部的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：万冠军，刘星，柏文文，张亮，李斌，张健，许登基，
申请(专利权)人：山东天岳先进材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37