一种籽晶的处理方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种籽晶的处理方法和装置，其通过在一圆盘状的石墨盘片中心处设置凹槽，用来固定籽晶，并使籽晶的下表面(非生长面)紧贴石墨盘片的多孔凹槽，采用PVT法升华原料，使升华的气体通过多孔，然后通过调节温度、压力以及处理时间，在籽晶的下表面(非生长面)与石墨盘片之间生长一层很薄的致密碳化硅层，从而起到籽晶与石墨盘片粘接的作用。本发明专利技术提供籽晶处理方法和装置可以做到批量处理籽晶的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种籽晶的处理方法及其装置
本专利技术涉及碳化硅晶片加工技术，尤其涉及一种籽晶的处理方法和装置。
技术介绍
碳化硅单晶是目前最重要的第三代半导体材料之一，因其具有宽禁带宽度大，热导率高，击穿场强，饱和电子迁移率高等优异性能，而被广泛应用于电力电子，射频器件，光电子器件等领域。目前国内外的碳化硅单晶生长技术是物理气相传输法(PVT)。即在高温下使碳化硅原料升华，产生的气相组分输送到籽晶生长的表面处重新结晶生成。籽晶与石墨盖之间一般通过碳粘合剂和含碳的有机物的固化烧结来实现连接：首先在石墨的下表面籽晶粘接处，手工均匀抹胶后，将预烧后的石墨纸贴于石墨盖抹胶处，压实并在贴好的石墨纸上再次人工均匀抹胶后，把籽晶生长的背面贴于抹胶的石墨纸上，压实后通过重物或者气动压实烧结的方法进行固化连接。在烧结过程中，胶收缩碳化，产生的气体汇合在一起形成空洞。由于在烧结的过程中，石墨盖下表面的受热不均匀，加之胶碳化的时间较短致使胶固化的时间也不统一。若边缘的胶先固化而中心的胶后固化，那么边缘部位的胶产生的气体排出路径短，中心部位的胶产生的气体排出路径长，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种籽晶的处理方法，其特征在于，所述方法包括：/n通过石墨胶将石墨纸粘接在籽晶的生长面，所述石墨纸覆盖所述籽晶的整个上表面；/n将所述籽晶的下表面贴合石墨盘片；/n将所述石墨盘片固定在支撑架中，并将所述支撑架放入坩埚内上侧；/n高温处理所述坩埚并通入处理气体，使所述坩埚底部的原料升华，同时调节所述处理气体的通入流速、处理压力，直至所述籽晶背面与所述石墨盘片粘接。/n

【技术特征摘要】
1.一种籽晶的处理方法，其特征在于，所述方法包括：
通过石墨胶将石墨纸粘接在籽晶的生长面，所述石墨纸覆盖所述籽晶的整个上表面；
将所述籽晶的下表面贴合石墨盘片；
将所述石墨盘片固定在支撑架中，并将所述支撑架放入坩埚内上侧；
高温处理所述坩埚并通入处理气体，使所述坩埚底部的原料升华，同时调节所述处理气体的通入流速、处理压力，直至所述籽晶背面与所述石墨盘片粘接。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原料是含硅源和碳源的化合物或气体的混合物，所述原料的粒径在50-500微米之间。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述处理气体为氩气和甲烷，通入所述氩气的流速在1-500sccm，通入所述甲烷的流速在1-10sccm，所述处理压力在1-600torr之间。


4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述高温处理包括，在1600-2100摄氏度处理8-20小时。


5.一种籽晶的处理装置，其特征在于，所述装置包括石...

【专利技术属性】
技术研发人员：匡怡君，
申请(专利权)人：上海联兴商务咨询中心，
类型：发明
国别省市：上海;31