基于等离子体约束的LPP-EUV光源系统技术方案

一种基于等离子体约束的LPP‑EUV光源系统，包括泵浦激光脉冲源、带有光学窗片的真空室、凸透镜、靶材、磁镜装置和椭球面镜。由泵浦激光脉冲源产生泵浦激光脉冲，泵浦激光脉冲通过光学窗片进入真空室，再经凸透镜聚焦而作用于靶材。泵浦激光脉冲作用于靶材而产生等离子体，等离子体被约束在磁镜装置中而产生EUV辐射，所产生的EUV辐射经椭球面镜反射而聚焦。本发明专利技术利用磁镜装置中非均匀磁场对等离子体的约束作用，提升LPP‑EUV光源的功率输出能力并抑制LPP所产生的碎屑污染，从而保障EUV光刻系统的高效稳定运行。

【技术实现步骤摘要】
基于等离子体约束的LPP-EUV光源系统
本专利技术涉及激光等离子体型极紫外(以下简称为LPP-EUV)光刻光源，特别是一种基于等离子体约束的LPP-EUV光源系统。
技术介绍
随着电子信息产业的飞速发展，半导体制造工艺水平大幅度提升，光刻技术正在迈向10nm乃至7nm以下的分辨尺寸节点。光刻光源波长已从436nm(Hg-g)、365nm(Hg-i)发展到248nm(KrF)、193nm(ArF)和157nm(F2)，正在向13.5nm(EUV)甚至6.Xnm等更短波长发展。根据EUV光源的产生方式，其类型主要包括同步辐射型光源、放电等离子体型光源和激光等离子体(LPP)型光源等。同步辐射型光源通过改变磁场中带电粒子的运动状态而产生EUV辐射，其装置体积庞大、结构复杂且造价较高。放电等离子体型光源通过高压放电击穿物质形成等离子体的方式产生EUV辐射，其装置结构较简单，但碎屑污染程度较为严重。LPP-EUV光源则通过高功率激光照射靶材(Sn或Gd等)形成等离子体的方式产生EUV辐射。此类光源具有发光区域小、EUV收集效率较高等特点，已成为最具应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于等离子体约束的LPP-EUV光源系统，其特征在于，包括泵浦激光脉冲源(1)、带有光学窗片(2)的真空室(3)、凸透镜(4)、靶材(5)、磁镜装置(6)和椭球面镜(7)，所述的磁镜装置(6)由第一载流线圈(601)和第二载流线圈(602)构成，所述的凸透镜(4)、靶材(5)、磁镜装置(6)和椭球面镜(7)置于所述的真空室(3)内，所述的椭球面镜(7)与所述的凸透镜(4)共轴，且所述的椭球面镜(7)的第一焦点与所述的凸透镜(4)的焦点重合于(O1)处，所述的靶材(5)置于所述的椭球面镜(7)的第一焦点(O1)处，沿所述的泵浦激光脉冲源(1)产生的泵浦激光脉冲(L1)方向依次是所述的真空...

【技术特征摘要】
1.一种基于等离子体约束的LPP-EUV光源系统，其特征在于，包括泵浦激光脉冲源(1)、带有光学窗片(2)的真空室(3)、凸透镜(4)、靶材(5)、磁镜装置(6)和椭球面镜(7)，所述的磁镜装置(6)由第一载流线圈(601)和第二载流线圈(602)构成，所述的凸透镜(4)、靶材(5)、磁镜装置(6)和椭球面镜(7)置于所述的真空室(3)内，所述的椭球面镜(7)与所述的凸透镜(4)共轴，且所述的椭球面镜(7)的第一焦点与所述的凸透镜(4)的焦点重合于(O1)处，所述的靶材(5)置于所述的椭球面镜(7)的第一焦点(O1)处，沿所述的泵浦激光脉冲源(1)产生的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宗昕，冷雨欣，王成，程欣，王关德，孙海轶，彭宇杰，王雪培，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31