【技术实现步骤摘要】
基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法
本专利技术涉及光刻
，具体涉及一种基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法。
技术介绍
激光直写是利用强度可调的激光束对基片表面的光刻胶薄膜进行曝光，显影后可在光刻胶表面形成微纳结构的直写式加工技术而无需掩膜版辅助。激光直写具有刻写速度快、加工灵活、操作方便(在空气中进行)、可加工任意样品形状和尺寸(从微米到米量级)、使用成本低等优势，在衍射光学元件的制造方面具有广泛应用。然而，激光直写技术由于受到光学衍射极限的制约，其光刻特征尺寸很难达到亚波长级别，这极大地限制了激光直写技术的进一步发展。光刻胶是激光直写技术的核心，光刻胶的性能很大程度长决定了激光直写技术的光刻特征尺寸。在激光直写过程中，所采用的光刻胶材料一般为有机聚合物，其制备工艺较复杂，需要进行薄膜的烘烤、曝光后烘等步骤，对环境不友好且光刻胶的特征尺寸一般为光斑大小，难以实现亚波长量级的光刻特征尺寸。因此，亟需专利技术一种光刻胶制备工艺简单、材料绿色又环保而且特征尺寸达到亚波长量级的光刻方法，...
【技术保护点】
1.基于激光直写金属掺杂Sb
【技术特征摘要】
1.基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在基片上沉积金属掺杂Sb2Te薄膜；
S2、对所述薄膜进行曝光，基于激光诱导薄膜表面产生等离子体与激光间的干涉在薄膜表面产生晶化，得到亚波长尺寸的周期性表面结构。
2.如权利要求1所述的基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：
利用薄膜沉积系统在基片上沉积金属掺杂Sb2Te薄膜。
3.如权利要求2所述的基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法，其特征在于，所述薄膜沉积系统为磁控溅射镀膜机、热蒸发设备、化学气相沉积设备、原子层沉积设备、激光脉冲沉积设备、离子束沉积设备中的一种。
4.如权利要求1所述的基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法，其特征在于，所述金属掺杂Sb2Te薄膜的厚度为1nm～1000nm。
5.如权利要求1所述的基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法，其特征在于，所述金属掺杂Sb2Te薄膜中掺杂金属为Cr、Zn、Ag、Au、Fe、Al、Ti、Sc、Y、W中的一种。
6.如权利要求1所述的基于激光直写金属掺杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏涛，刘波，李宛飞，凌云，胡敬，程淼，刘倩倩，
申请(专利权)人：苏州科技大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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