【技术实现步骤摘要】
一种曝光装置以及刻蚀方法
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种曝光装置以及刻蚀方法。
技术介绍
干法刻蚀(DryEtch)是半导体
中最常用的工艺之一。通常与曝光过程进行结合使用，干法蚀刻是把基板上没有光刻胶掩盖的非金属膜层或金属膜层蚀刻掉，把具有光刻胶掩盖的区域保留下来，在基板上以形成所需要的图形。在有机发光二极管(OLED)及半导体产品制造中，由于产品电路设计需求，经常需要形成不同深度的接触孔。而干法刻蚀形成接触孔中，对各孔的深度差有较高要求。若深孔和浅孔一起进行刻蚀，往往会导致浅孔处等离子态的刻蚀气体停留较长，进而发生横向刻蚀破坏孔形貌，引发下道膜层搭接不良，因此无法进行通过一次光刻工艺同时形成深孔和浅孔。传统干法刻蚀在应对深孔和浅孔的刻蚀需求时，通常通过采用多道掩膜板进行多次曝光的方式解决，但此方式需增加多次光刻工艺，成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题是，提供一种曝光装置以及刻蚀方法，该曝光装置能够实现通过一次光刻工艺形成深度不同的孔洞。为了...
【技术保护点】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括相对设置的掩膜板以及调光挡板，所述掩膜板上设置有掩膜图形，所述调光挡板包括调光区域以及围绕所述调光区域四周的边缘区域，所述掩膜图形利用穿过所述调光区域的光线形成特定光亮强度的曝光光线。/n
【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括相对设置的掩膜板以及调光挡板，所述掩膜板上设置有掩膜图形，所述调光挡板包括调光区域以及围绕所述调光区域四周的边缘区域，所述掩膜图形利用穿过所述调光区域的光线形成特定光亮强度的曝光光线。
2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述调光区域包括相对设置的第一透明基板、第二透明基板以及设置于所述第一透明基板和所述第二透明基板之间的调光液晶层。
3.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，还包括控制电路，所述控制电路与所述调光液晶层连接，用于控制所述调光液晶层透光率。
4.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述边缘区域包括相对设置的第一透明基板、第二透明基板以及设置于所述第一透明基板和所述第二透明基板之间的非透光层。
5.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述调光区域与所述掩膜图形相对设置。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，谢中静，高宇翔，袁涛，闫方亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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