一种光刻胶形貌控制设备制造技术

技术编号:24821957 阅读:47 留言:0更新日期:2020-07-08 07:18
本实用新型专利技术公开了一种光刻胶形貌控制设备,包括:机架,与机架上端固定连接的加热模块,与加热模块电联的电控模块,与所述热模块对应的支撑层,所述支撑层与机架固定连接,其中,所述支撑层上设有冷板模块。与现有技术相比,本实用新型专利技术有效实现光刻胶表面与底面温度差,使得显影后胶条形成明显的倒梯形的倒角,以保障后续实现侧壁无金属沉积,保证剥离后基片表面的洁净度,实现高分辨率、高均匀性、低成本、高质量的Lift‑Off工艺,降低基片图形制作成本,提高图形的分辨率和图形质量。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶形貌控制设备
本技术涉及光刻工艺领域,特别涉及一种光刻胶形貌控制设备。
技术介绍
基于目前射频行业发展的需求,各种射频器件在不断的革新,朝着小型化、高质量、低功耗的方向发展。随着5G市场的到来,声表面波滤波器技术也在不断的创新。金属剥离工艺(metallift-offtechnology)是指一种精细的光刻腐蚀工艺。基片经过涂覆光刻胶、曝光、显影后,形成有一定图形的光刻胶掩模,带胶蒸发所需的金属,之后在光刻胶掩膜上蒸镀或者溅射等制备金属层,然后在去除光刻胶的同时,把胶膜上的金属一起剥离干净,在基片上只剩下原刻出图形的金属。该工艺可普遍应用于声表面波滤波器等要求精细光刻图形的半导体器件的制造。正胶可以用于薄金属剥离,但光刻胶图形侧壁形状比较陡直而且上窄下宽,会与沉积的金属连成一片而没有断裂口,剥离溶剂难以穿过金属溶解光刻胶,金属难以剥离。CN108107673A公开了一种形成倒梯形的光刻胶结构的方法,包括在半导体衬底表面依次形成第一光刻胶和第二光刻胶,其中所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶;采用第一掩膜板对所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶形貌控制设备,包括:机架,与机架上端固定连接的加热模块,与加热模块电联的电控模块,设置于加热模块下方且与加热模块对应的支撑层,支撑层与机架固定连接,其特征在于:所述支撑层上设有冷板模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶形貌控制设备,包括:机架,与机架上端固定连接的加热模块,与加热模块电联的电控模块,设置于加热模块下方且与加热模块对应的支撑层,支撑层与机架固定连接,其特征在于:所述支撑层上设有冷板模块。


2.根据权利要求1所述的一种光刻胶形貌控制设备,其特征在于:所述加热模块由上层的加热丝,下层的热板,以及所述加热丝与所述热板之间的空气腔体组成,所述加热丝与电控模块电联。


3.根据权利要求1所述的一种光刻胶形貌控制设备,其特征在于:所述加热模块顶层设有风扇;所述风扇与电控模块电连接。


4.根据权利要求1或2或3所述的一种光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员:施小赟杜迅
申请(专利权)人:常州微泰格电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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