曝光方法和光刻装置制造方法及图纸

本公开涉及曝光方法和光刻装置。提供衬底(100)，在所述衬底(100)的主表面(110)上提供光敏层(200)。所述衬底(100)包括基底部分(101)和台面部分(102)。在基底部分(101)中，主表面(110)处于基底平面(105)中。台面部分(102)从基底平面(105)突出。辐射束(806)扫描光敏层(200)。由辐射束(806)施加到光敏层(200)的部分区域(230)的局部剂量包括基本剂量分量和修正剂量分量。所述修正剂量分量是所述部分区域(230)与过渡部(106)之间的距离的函数，并且至少部分地补偿由台面部分(102)与基底部分(101)之间的高度差引起的散焦对所述部分区域(230)中的关键尺寸的影响，其中所述过渡部(106)在基底部分(101)与台面部分(102)之间。

【技术实现步骤摘要】
曝光方法和光刻装置
本公开涉及一种光刻装置，尤其涉及基于衬底调平数据对光刻装置的控制。本公开进一步涉及一种制造半导体器件的方法，其中，所述方法使用光刻装置。
技术介绍
光刻装置将掩模版(reticle)图案投影到半导体衬底的多个曝光场中，其中，所述掩模版图案被成像到设置在所述半导体衬底上的辐射敏感材料层中。在曝光期间，辐射束沿扫描方向扫描该图案和曝光场。高度传感器可测量半导体衬底的表面点与参考平面之间的距离，并且可以输出衬底调平数据，其中，所述衬底调平数据包括关于所述表面点与所述参考平面之间的距离的信息。焦点控制可以使用衬底调平数据来通过沿辐射束轴线移动半导体衬底，补偿局部形貌(topographical)偏差的影响。另外，剂量修正技术可以减少ACLV(跨芯片线宽变化)和AWLV(跨晶片线宽变化)。需要一种曝光方法和光刻装置，该曝光方法和光刻装置改善对于由局部形貌变化导致的散焦效应的补偿。
技术实现思路
本申请的实施例涉及一种曝光方法。提供衬底，并且在所述衬底的主表面上提供光敏层。所述衬底包括基底部分和台面部分。在基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光方法，包括：/n提供衬底(100)并在所述衬底(100)的主表面(110)上提供光敏层(200)，其中，所述衬底(100)包括基底部分(101)和台面部分(102)，其中，在所述基底部分(101)中，所述主表面(110)处于基底平面(105)中，并且其中，所述台面部分(102)从所述基底平面(105)突出；/n利用辐射束(806)扫描所述光敏层(200)；以及/n控制由所述辐射束(806)施加到所述光敏层(200)的部分区域(230)的局部剂量，其中，所述局部剂量包括基本剂量分量和修正剂量分量，所述修正剂量分量是所述部分区域(230)与过渡部(106)之间的距离的函数，所述过渡部(...

【技术特征摘要】
20181228 US 16/234,9321.一种曝光方法，包括：
提供衬底(100)并在所述衬底(100)的主表面(110)上提供光敏层(200)，其中，所述衬底(100)包括基底部分(101)和台面部分(102)，其中，在所述基底部分(101)中，所述主表面(110)处于基底平面(105)中，并且其中，所述台面部分(102)从所述基底平面(105)突出；
利用辐射束(806)扫描所述光敏层(200)；以及
控制由所述辐射束(806)施加到所述光敏层(200)的部分区域(230)的局部剂量，其中，所述局部剂量包括基本剂量分量和修正剂量分量，所述修正剂量分量是所述部分区域(230)与过渡部(106)之间的距离的函数，所述过渡部(106)在所述基底部分(101)与所述台面部分(102)之间，并且其中，所述修正剂量分量至少部分地补偿由所述台面部分(102)与所述基底部分(101)之间的高度差引起的散焦对所述部分区域(230)中的关键尺寸的影响。


2.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述基本剂量分量被选择为补偿场内曝光变化和场间曝光变化中的至少一者。


3.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述辐射束(806)的水平截面区域具有垂直于所述过渡部(106)的纵向轴线，所述辐射束(806)沿平行于所述过渡部(106)的扫描方向扫描所述主表面(101)，并且其中，控制所述局部剂量包括沿所述纵向轴线修改所述辐射束(806)中的辐射强度。


4.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述辐射束(806)沿垂直于所述过渡部(106)的扫描方向扫描所述主表面(101)，所述辐射束(806)是从脉冲辐射源(810)获得的，并且其中，控制所述局部剂量包括改变所述辐射源(810)的脉冲率。


5.根据权利要求1所述的曝光方法，进一步包括：
调平控制，通过沿正交于所述基底平面(105)的z方向移动所述衬底(100)，所述调平控制在所述辐射束(806)的焦点位置上补偿所述主表面(110)的、由工艺引起的高度偏差。


6.根据权利要求5所述的曝光方法，其中，
所述调平控制考虑所述台面部分(102)与所述基底部分(101)之间的所述高度差。


7.根据权利要求5所述的曝光方法，其中，
所述调平控制忽略所述台面部分(102)与所述基底部分(101)之间的所述高度差。


8.根据权利要求5所述的曝光方法，其中：
所述由工艺引起的高度偏差的空间频率低于所述台面部分(102)的空间频率。


9.根据权利要求1所述的曝光方法，进一步包括：
确定关键尺寸CD/焦点/剂量数据，其中，所述CD/焦点/剂量数据包含关键特征件的在不同剂量值处针对多个焦点值的CD值；以及
通过从所述CD/焦点/剂量数据获得导致CD偏差的剂量值，确定所述局部剂量的所述修正剂量分量，所述修正剂量分量至少部分地补偿由所述台面部分(102)与所述基底部分(101)之间的所述高度差引起的散焦导致的CD偏差。


10.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，
从布局形貌数据和/或由水平传感器单元获得的衬底调平数据，获得关于由所述台面部分(102)与所述基底部分(101)之间的所述高度差引起的所述散焦的信息。


11.一种光刻装置，包括：
衬底台(850)，所述衬底台被配置用于固持具有器件特定形貌的衬底(100)，所述衬底包括基底部分(101)和台面部分(...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·布尔，P·格罗杰，金晥洙，
申请(专利权)人：科尼亚克有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE