【技术实现步骤摘要】
一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统
本公开涉及光刻
，更为具体来说，本公开为一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统。
技术介绍
目前，根据半导体PhotoTrack设备(即涂胶显影设备)内部环境和外部环境，需要进行压差管理，从而解决例如异常离子(Particle)管理等品质不良问题以及图形缺陷(Loss)等问题。但现有的压差控制方案只能在设备内部压差设置阶段进行，设备工作后只能知道压差是否超过基准，因而只有在缺陷(Defect)发生后才能够根据定义的问题点手动调节压差，这种方式存在较大的局限性。
技术实现思路
为解决现有压差控制方案存在较大局限性等问题，本公开提供了一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统，能使涂胶显影设备内部各区域保持设备需要的气压和压差。根据本公开的一个或多个实施例，一种用于光刻工艺的气压控制系统包括：外部气压检测装置，用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值，以及用于将所述外部气压值反馈给控制器；内部气压检测装置，用于实时检测风机过...
【技术保护点】
1.一种用于光刻工艺的气压控制系统，其特征在于，包括：/n外部气压检测装置，用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值，以及用于将所述外部气压值反馈给控制器；/n内部气压检测装置，用于实时检测风机过滤单元出口的内部气压值，以及用于将所述内部气压值反馈给控制器；/n控制器，用于利用得到的所述外部气压值和所述内部气压值确定压差，以及根据所述压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于光刻工艺的气压控制系统，其特征在于，包括：
外部气压检测装置，用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值，以及用于将所述外部气压值反馈给控制器；
内部气压检测装置，用于实时检测风机过滤单元出口的内部气压值，以及用于将所述内部气压值反馈给控制器；
控制器，用于利用得到的所述外部气压值和所述内部气压值确定压差，以及根据所述压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。
2.根据权利要求1所述的用于光刻工艺的气压控制系统，其特征在于，
所述内部气压检测装置，包括载物台区气压检测装置和多功能区气压检测装置；
所述载物台区气压检测装置，用于实时检测载物台区的风机过滤单元出口的第一气压值，以及将所述第一气压值反馈给控制器；
所述多功能区气压检测装置，用于实时检测多功能区的风机过滤单元出口的第二气压值，以及将所述第二气压值反馈给控制器；
所述控制器，用于利用得到的所述第一气压值和所述第二气压值确定第一内部压差，以及根据所述第一内部压差实时控制载物台区和/或多功能区的风机过滤单元变换器。
3.根据权利要求2所述的用于光刻工艺的气压控制系统，其特征在于，
所述内部气压检测装置，还包括处理区气压检测装置；
所述处理区气压检测装置，用于实时检测处理区的风机过滤单元出口的第三气压值，以及将所述第三气压值反馈给控制器；
所述控制器，用于利用得到的所述第三气压值和所述第二气压值确定第二内部压差，以及根据所述第二内部压差实时控制处理区和/或多功能区的风机过滤单元变换器。
4.根据权利要求3所述的用于光刻工艺的气压控制系统，其特征在于，
所述内部气压检测装置，还包括交互区气压检测装置；
所述交互区气压检测装置，用于实时检测交互区的风机过滤单元出口的第四气压值，以及将所述第四气压值反馈给控制器；
所述控制器，用于利用接收的所述第四气压值和所述第三气压值确定第三内部压差，以及根据所述第三内部压差实时控制交互区和/或处理区的风机过滤单元变换器。
5.根据权利要求4所述的用于光刻工艺的气压控制系统，其特征在于，光刻设备正常工作时，满足：
第一气压值≤第二气压值≤第三气压值≥第四气压值时。
6.根据权利要求5所述的用于光刻工艺的气压控制系统，其特征在于，
所述处理区气压检测装置，还用于检测和向控制器反馈当前机械工序气压、旋转工序气压及下一机械工序气压；
所述控制器，还用于根据得到的当前机械工序气压、旋转工序气压及下一机械工序气压控制处理区的风机过滤单元变换器，以使当前机械工序气压、旋转工序气压及下一机械工序气压依次增大。
7.根据权利要求6所述的用于光刻工艺的气压控制系统，其特征在于，光刻设备正常工作时，满足：
当前机械工序气压≤旋转工序气压≤下一机械工序气压。
8.根据权利要求7所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金在植，张成根，林锺吉，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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