一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜技术

技术编号:24802607 阅读:32 留言:0更新日期:2020-07-07 21:34
本发明专利技术涉及导电膜领域,尤其涉及一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜。该纳米线导电膜采用以下方法制备:提供纳米线导电墨水和基膜;将纳米线导电墨水涂布在基膜上形成湿膜,在与基膜前进方向垂直位置设置持续性风切流,改变湿膜中部分纳米银线的取向;湿膜沉积、烘干固化成型,得导电膜。本发明专利技术在将导电墨水涂布在基膜上形成湿膜后,对湿膜沿与其前进方向垂直的方向进行持续风切,有选择性的改变纳米线在流平过程中的取向;本发明专利技术将风切过程设置于自流平环节,容易实现对纳米线取向的调节,本发明专利技术的导电膜垂直基膜前进方向的阻值与沿基膜前进方向的阻值比为1.05‑1.13,阻值均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜
本专利技术涉及导电膜领域,尤其涉及一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜。
技术介绍
现有技术中,纳米线导电膜在制备过程中,直接将纳米线以卷对卷涂布的方式涂布在基膜上,整个工艺流程为基膜放卷、基膜纠偏、涂布、烘干和收卷。在将纳米线油墨涂布在基膜上时,会形成交叉的网络导电层,纳米线之间会产生两点以上的接触;同时纳米线具有趋向性,沿着基膜前进的方向纳米线的分布要多于垂直方向的纳米线,即MD(MachineDirection)方向的纳米线数量要多于TD(TransverseDirection)方向的纳米线,使得TD方向的阻值高于MD方向,TD/MD的值基本在1.5以上。公开号为CN103889595A的中国专利技术专利公开了一种形成导电膜的方法,提供了一种后沉积处理,通过在纳米线溶液沉积之后立即施加穿过网状件的气流减小RMD与RTD之间的差别。但是该方案中MD上纳米线优先排列的减少是在湿膜沉积之后并当该膜仍然能够充分地流动以允许层流时被实现,即在预固化阶段进行,而不是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n(1)提供纳米线导电墨水和基膜;/n(2)将纳米线导电墨水涂布在基膜上形成湿膜,在与基膜前进方向垂直位置设置持续性风切流,改变湿膜中部分纳米线的取向;/n(3)湿膜沉积、烘干固化成型,得导电膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)提供纳米线导电墨水和基膜;
(2)将纳米线导电墨水涂布在基膜上形成湿膜,在与基膜前进方向垂直位置设置持续性风切流,改变湿膜中部分纳米线的取向;
(3)湿膜沉积、烘干固化成型,得导电膜。


2.根据权利要求1所述的改进向异性的纳米线导电膜的制备方法,其特征在于,所述风切流的方向与基膜前进的垂直方向的角度为21-30°。


3.根据权利要求1所述的改进向异性的纳米线导电膜的制备方法,其特征在于,所述风切流由风机提供,所述风机悬挂在湿膜上方,并沿垂直所述基膜前进方向延伸。


4.根据权利要求3所述的改进向异性的纳米线导电膜的制备方法,其特征在于,所述风机的出风口平行设置有多个挡风板,所述挡风板的设置方向与基膜前进方向一致,所述挡风板的倾斜角度与基膜前进的垂直方向呈21-30°。


5.根据权利要求4所述的改进向异性的纳米线导电膜的制备方法,其特征在于,所述出...

【专利技术属性】
技术研发人员:盛飞曾西平
申请(专利权)人:深圳市华科创智技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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