【技术实现步骤摘要】
用于补偿SONOS存储器的灵敏放大器
本申请涉及半导体集成电路
，具体涉及一种用于补偿SONOS存储器的灵敏放大器。
技术介绍
灵敏放大器在对选取的存储电路进行读取的工作过程包括预充电过程和放大过程。预充电过程(Pre-charge)中：通过向预充电模块施加预充电信号，使得预充电模块向数据节点充电，使得所述数据节点电压上升至预充电电压。预充电结束后放大过程：将存储器电路电流与参考电流进行比较，根据比较结果对数据节点进行充电或放电，将数据节点的电压与参考电压进行比较，根据比较结果形成输出信号Dout。存储器电路的电流会根据其中所存储信息的不同而不同，当存储信息为“0”，也就是所述存储器电路为擦除电路(EraseCell,ECell)，则存储器电路中会流过大电流，在此情况下，只有与该ECell电流比较的参考电流适当的小，才能得出ECell电流大于参考电流的结果，使得Dout＝0，实现读“0”正确；当存储信息为“1”，也就是所述存储器电路为编写电路(ProgramCell,PCell)，则存储器电路中...
【技术保护点】
1.一种用于补偿SONOS存储器的灵敏放大器，其特征在于，包括：/n参考存储单元、第一电流钳位电路、第一预充电电路、数据存储单元、第二电流钳位电路、第二预充电电路、电流镜像电路和比较电路；/n所述参考存储单元用于提供参考电流，所述参考存储单元包括并联的第一SONOS器件和第二SONOS器件，所述第一SONOS器件的漏极和所述第二SONOS器件的漏极相连的节点作为所述参考存储单元的参考节点；/n所述第一电流钳位电路的响应端连接第一数据节点，所述第一电流钳位电路的反馈端连接所述参考存储单元的参考节点，用于在放大比较阶段，将流过所述第一电流钳位电路的电流钳位到与所述参考存储单元的...
【技术特征摘要】
1.一种用于补偿SONOS存储器的灵敏放大器，其特征在于，包括：
参考存储单元、第一电流钳位电路、第一预充电电路、数据存储单元、第二电流钳位电路、第二预充电电路、电流镜像电路和比较电路；
所述参考存储单元用于提供参考电流，所述参考存储单元包括并联的第一SONOS器件和第二SONOS器件，所述第一SONOS器件的漏极和所述第二SONOS器件的漏极相连的节点作为所述参考存储单元的参考节点；
所述第一电流钳位电路的响应端连接第一数据节点，所述第一电流钳位电路的反馈端连接所述参考存储单元的参考节点，用于在放大比较阶段，将流过所述第一电流钳位电路的电流钳位到与所述参考存储单元的电流相等；
所述第一预充电电路连接在电源电压和第一数据节点之间，控制端连接预充控制电压，用于在预充电阶段对所述第一数据节点进行充电；
所述第二电流钳位电路的响应端连接所述第二数据节点，所述第二电流钳位电路的反馈端连接所述数据存储单元的待读取节点，用于在放大比较阶段，将流过所述第二电流钳位电路的电流钳位到与所述数据存储单元的电流相等；
所述第二预充电电路连接在电源电压和第二数据节点之间，控制端连接预充控制电压，用于在预充电阶段对所述第二数据节点进行充电；
所述电流镜像电路连接在所述第一数据节点和所述第二数据节点之间，用于在放大比较阶段将输入第一数据节点的参考电流镜像输出至第二数据节点；
所述比较电路用于根据所述参考电流与所述数据存储单元电流的比较结果输出数据。
2.如权利要求1所述的用于补偿SONOS存储器的灵敏放大器，其特征在于，所述第一预充电电路包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的漏极连接电源电压，源极连接所述第一数据节点，栅极为所述第一预充电电路的控制端。
3.如权利要求1所述的用于补偿SONOS存储器的灵敏放大器，其特征在于，所述所述电流镜像电路包括：
第一电流路径，所述第一电流路径连接在电源电压和第一数据节点之间；
第二电流路径，所述第二电流路径连接在所述电源电压和第二数据节点之间；
镜像路径，所述第一镜像路径的输入端...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘芳芳，邵博闻，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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