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本申请涉及半导体集成电路技术领域,具体涉及一种用于补偿SONOS存储器的灵敏放大器。用于提供参考电流的参考存储单元,参考存储单元包括并联的第一SONOS器件和第二SONOS器件,第一SONOS器件的漏极和第二SONOS器件的漏极相连的节点作...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本申请涉及半导体集成电路技术领域,具体涉及一种用于补偿SONOS存储器的灵敏放大器。用于提供参考电流的参考存储单元,参考存储单元包括并联的第一SONOS器件和第二SONOS器件,第一SONOS器件的漏极和第二SONOS器件的漏极相连的节点作...