【技术实现步骤摘要】
感测放大器本申请要求于2018年11月7日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0136036号韩国专利申请和于2019年3月12日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0028258号韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的公开通过引用完整地包含于此。
本公开涉及半导体存储器装置,更具体地讲,涉及被配置为将存储在存储器单元中的单元电压感测为多位数据的感测放大器,以及包括该感测放大器的存储器装置。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)通过存储在存储器单元的单元电容器中的电荷来写入和读取数据。对DRAM的高容量的增加的需求已经引起了对用于在单个DRAM单元中存储不少于2位的数据(即,多位数据)的多层单元的开发的兴趣。
技术实现思路
本专利技术构思提供一种被配置为将存储在存储器单元中的单元电压感测为多位数据的感测放大器以及包括所述感测放大器的存储器装置。本专利技术构思的一些方面提供一种感测放大器,包括:至少一个感测放大电路,用于感测与存储在存储器单元中的单元电压对应的2位数据的最低有效位 ...
【技术保护点】
1.一种感测放大器,包括:/n至少一个感测放大电路,被配置为:感测与存储在存储器单元中的第一单元电压对应的2位数据的最低有效位LSB和最高有效位MSB,将感测的LSB锁存到存储器单元所连接到的单元位线,并将感测的MSB锁存到第二感测位线对;以及/n开关电路,被配置为:选择性地连接单元位线、第一感测位线对和第二感测位线对,/n其中,所述至少一个感测放大电路被配置为在单元位线与所述感测放大器的保持位线电断开的状态下使用存储在保持位线中的电荷来感测所述2位数据的MSB,并且被配置为在单元位线电连接到保持位线的状态下使用存储在单元位线和保持位线中的电荷来感测所述2位数据的LSB。/n
【技术特征摘要】
20181107 KR 10-2018-0136036;20190312 KR 10-2019-001.一种感测放大器,包括:
至少一个感测放大电路,被配置为:感测与存储在存储器单元中的第一单元电压对应的2位数据的最低有效位LSB和最高有效位MSB,将感测的LSB锁存到存储器单元所连接到的单元位线,并将感测的MSB锁存到第二感测位线对;以及
开关电路,被配置为:选择性地连接单元位线、第一感测位线对和第二感测位线对,
其中,所述至少一个感测放大电路被配置为在单元位线与所述感测放大器的保持位线电断开的状态下使用存储在保持位线中的电荷来感测所述2位数据的MSB,并且被配置为在单元位线电连接到保持位线的状态下使用存储在单元位线和保持位线中的电荷来感测所述2位数据的LSB。
2.如权利要求1所述的感测放大器,
其中,所述感测放大器被配置为:在感测所述2位数据的MSB时执行第一电荷共享操作,
其中,在存储在存储器单元中的电荷与存储在单元位线和保持位线中的电荷之间执行第一电荷共享操作,
其中,第一电荷共享操作导致保持位线具有与所述2位数据的MSB对应的MSB电压电平,并且导致保持位线的MSB电压电平与互补保持位线的电压电平之间的预定差。
3.如权利要求2所述的感测放大器,
其中,所述至少一个感测放大电路包括第一感测放大电路和第二感测放大电路,其中,所述感测放大器被配置为:使用第一感测放大电路基于保持位线的电压电平与互补保持位线的电压电平之间的预定差来感测所述2位数据的MSB,
其中,感测的所述2位数据的MSB的逻辑电平由第一感测位线对的第一感测位线捕获。
4.根据权利要求3所述的感测放大器,其中,所述感测放大器被配置为:在感测所述2位数据的MSB之前将第一感测放大电路的第一感测位线对均衡到预充电电压电平,其中,预充电电压电平对应于提供给所述感测放大器的电源电压电平的一半。
5.根据权利要求3所述的感测放大器,其中,开关电路被配置为:将第一感测位线对连接到第二感测位线对,使得感测的所述2位数据的MSB的逻辑电平被第二感测放大电路感测和锁存。
6.根据权利要求5所述的感测放大器,其中,开关电路被配置为:当所述2位数据的MSB的逻辑电平被感测并被锁存到第二感测放大电路中的第二感测位线对时,阻断提供给第一感测放大电路的感测驱动信号的连接。
7.根据权利要求5所述的感测放大器,其中,开关电路被配置为:当所述2位数据的MSB的逻辑电平被感测并被锁存到第二感测放大电路中的第二感测位线对时,阻断第一感测位线对与第二感测位线对之间的连接。
8.如权利要求2所述的感测放大器,
其中,所述感测放大器被配置为:在感测所述2位数据的LSB时执行第二电荷共享操作,
其中,第二电荷共享操作包括发生在存储在单元位线和保持位线中的电荷与存储在第一感测位线对的第一互补感测位线中的电荷之间的电荷共享,并且包括发生在存储在互补位线和互补保持位线中的电荷与存储在第一感测位线对的第一感测位线中的电荷之间的电荷共享,
其中,第二电荷共享操作导致单元位线具有与所述2位数据的LSB对应的LSB电压电平,其中,在单元位线的LSB电压电平与互补位线的电压电平之间存在预定差。
9.如权利要求8所述的感测放大器,
其中,所述至少一个感测放大电路包括第一感测放大电路和第二感测放大电路,
其中,所述感测放大器被配置为:使用第一感测放大电路基于单元位线和保持位线的电压电平与互补位线和互补保持位线的电压电平之间的预定差来感测所述2位数据的LSB,
其中,感测的所述2位数据的LSB的逻辑电平由单元位线捕获。
10.如权利要求9所述的感测放大器,其中,所述感测放大器被配置为:在感测所述2位数据的LSB之前将第一感测放大电路的第一感测位线对均衡到预充电电压电平,其中,预充电电压电平对应于提供给所述感测放大器的电源电压电平的一半。
11.根据权利要求9所述的感测放大器,其中,开关电路被配置为将第一感测位线连接到保持位线和单元位线,并且被配置为在使用第一感测放大电路感测所述2位数据的LSB期间将第一互补感测位线连接到互补保持位线和互补位线。
12.根据权利要求9所述的感测放大器,其中,所述感测放大器被配置为:将感测的所述2位数据的MSB和LSB输出到相应的数据输出线。
13.根据权利要求1所述的感测放大器,其中,所述感测放大器被配置为执行恢复操作,恢复操作包括向存储器单元提供与感测的所述2位数据的MSB和LSB对应的第二单元电压。
14.根据权利要求13所述的感测放大器,其中,所述感...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐宁焄,李东一,权慧贞,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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