一种光刻胶清洗液制造技术

本发明专利技术提供一种光刻胶清洗液，包括：(a)醇胺；(b)硼酸及其衍生物；(c)肼及其衍生物；(d)水；(e)有机溶剂。本发明专利技术的光刻胶清洗液可有效地去除晶圆上的光阻残留物，同时对金属铝、铜、钛、钨、金、银、钼、ITO等基本无腐蚀，特别对金属银极低的腐蚀；本发明专利技术的光刻胶清洗液不含有季胺氢氧化物，解决了传统季铵盐类、羟胺类清洗液价格昂贵、不环保、腐蚀性大等问题；本发明专利技术的光刻胶清洗液解决了传统清洗液在清洗操作中由于水的吸收导致腐蚀增大的问题，具有较大操作窗口，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶清洗液
本专利技术涉及清洗液
，尤其涉及一种用于LED、OLED等半导体制造领域的光刻胶清洗液。
技术介绍
在LED、OLED等半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。现有的光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。其中一类是含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般大于5％。如日本专利JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足。又例如美国专利US5529887公开了由氢氧化钾(KOH)、烷基二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶清洗液，其特征在于，包括：/n(a)醇胺；/n(b)硼酸及其衍生物；/n(c)肼及其衍生物；/n(d)水；/n(e)有机溶剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶清洗液，其特征在于，包括：
(a)醇胺；
(b)硼酸及其衍生物；
(c)肼及其衍生物；
(d)水；
(e)有机溶剂。


2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗液，其特征在于，包括如下质量百分比的组分：





3.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。


4.根据权利要求3所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的醇胺选自单乙醇胺、三乙醇胺中的一种或两种混合。


5.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的硼酸及其衍生物选自三乙醇胺硼酸酯、3-甲酰氨苯硼酸、2-氨基苯硼酸频哪醇酯、5-乙酰基噻吩-2-硼酸、二苯基硼酸-2-氨基乙酯、4-乙酰氧基苯基硼酸频呐醇酯、4-氨基甲酰苯硼酸、2-胺基嘧啶-5-硼酸频哪酯、4-乙酰苯硼酸、3-氨基-4-甲基苯硼酸、3-乙酰胺基苯硼酸和3-甲氧基羰基苯硼酸中的一种或多种。


6.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的肼及其衍生物选自水合肼、苯甲酰肼、乙醇肼、碳酸肼、水杨酰肼、草酰二肼、丁二酸二酰肼、己二酸二酰肼、丙二酰肼、对肼基苯甲酸和乙酸肼中的一种或多种。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙广胜，刘兵，张维棚，周前付，赵鹏，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31