【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂材料分配系统
本揭露部分实施例是关于一种抗蚀剂泵送缓冲罐及减少抗蚀剂缺陷的方法。
技术介绍
光微影用于图案化被抗蚀剂材料覆盖的晶圆的表面。对抗蚀剂材料进行图案化,使得可以选择性地移除抗蚀剂材料的部分以暴露晶圆的下层区域,以便进行诸如蚀刻、材料沉积、注入等选择性处理。光微影利用包括紫外线或X射线在内的光能射束来将抗蚀剂材料选择性曝光。或者,已将例如电子射束和离子射束等带电粒子射束用于高分辨率光微影抗蚀剂曝光。在积体电路(IC)设计期间,针对不同的IC处理步骤,会产生IC的多种布局图案。这些布局图案包括与要在晶圆上制造的结构相对应的几何形状。布局图案可以是掩模上的图案,这些图案被投影(例如,成像)在晶圆上的抗蚀剂层上以创建IC。光微影制程将掩模的图案转印到晶圆的抗蚀剂层,以便将蚀刻、注入或其他步骤仅施加到晶圆的预定区域。抗蚀剂材料是光微影处理的关键组分。为了保持较高的元件良率,涂覆在晶圆上的抗蚀剂材料应不含杂质和诸如结晶杂质等缺陷。因此,期望一种避免抗蚀剂材料结晶的使抗蚀剂材料流动和分配抗蚀剂材料的方法。< ...
【技术保护点】
1.一种抗蚀剂材料分配系统,其特征在于,包括:/n一抗蚀剂供应部;/n一抗蚀剂过滤器,该抗蚀剂过滤器在该抗蚀剂供应部的下游连接到该抗蚀剂供应部;/n一抗蚀剂储罐结构,该抗蚀剂储罐结构在该抗蚀剂过滤器的下游连接到该抗蚀剂过滤器;以及/n一抗蚀剂泵送装置,该抗蚀剂泵送装置在该抗蚀剂储罐结构的下游连接到该抗蚀剂储罐结构,/n其中该抗蚀剂储罐结构为竖直布置的,使得一抗蚀剂材料被配置为从该抗蚀剂材料进入该抗蚀剂储罐结构的位置开始直到该抗蚀剂材料离开该抗蚀剂储罐结构为止以一连续向下流进行流动。/n
【技术特征摘要】
20181130 US 62/774,141;20191121 US 16/691,0521.一种抗蚀剂材料分配系统,其特征在于,包括:
一抗蚀剂供应部;
一抗蚀剂过滤器,该抗蚀剂过滤器在该抗蚀剂供应部的下游连接到该抗蚀剂供应部;
一...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐振益,李尚昇,李永尧,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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