半导体封装结构和电子产品制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体封装结构，包括：引线框架；芯片，所述芯片设于所述引线框架之上；金属散热片，所述金属散热片设置在所述芯片之上；以及绝缘散热片，所述绝缘散热片盖设于所述金属散热片之上。本实用新型专利技术还提出一种电子产品。本实用新型专利技术的技术方案，旨在保证芯片在使用过程中的电气安全性。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构和电子产品
本技术涉及电子
，尤其涉及一种半导体封装结构以及应用该半导体封装结构的电子产品。
技术介绍
随着集成电路特别是超大规模集成电路的迅速发展，高功率半导体封装结构的体积越来越小，与此同时，高功率半导体封装结构内的芯片的功率却越来越大，从而导致高功率半导体封装结构内的热流密度(即单位面积的截面内单位时间通过的热量)日益提高。随着热流密度的不断提高，如果不能进行有效地热设计与热管理就很容易导致芯片或系统由于温度过高而不能正常使用。基于此，目前提出了一种芯片的双面散热封装结构，在芯片两面上分别设有引线框架和金属散热片。但是该产品外露的金属散热片是通过导电结合材料和芯片连接，在使用时其是带电的，因此，在带电环境下使用时，难以保证芯片在使用过程中的电气安全性。
技术实现思路
本技术实施例的一个目的在于：保证芯片在使用过程中的电气安全性。为达上述目的，本技术采用以下技术方案：一种半导体封装结构，包括：引线框架；芯片，所述芯片设于所述引线框架之上；金属散热片，所述金属散热片设置在所述芯片之上；以及绝缘散热片，所述绝缘散热片盖设于所述金属散热片之上。可选的，所述绝缘散热片包括绝缘粘合材料，所述绝缘粘合材料包覆于所述金属散热片的上表面。可选的，定义所述绝缘粘合材料的厚度为D1，则0.05mm≤D1≤0.3mm。可选的，所述绝缘粘合材料朝上一侧形成粘合面，所述绝缘散热片还包括金属箔，所述金属箔粘附于所述粘合面。可选的，所述金属箔为铜箔。可选的，定义所述金属箔的厚度为D2，则0.1mm≤D2≤1mm。可选的，所述半导体封装结构还包括胶体，所述胶体包覆于所述引线框架、所述芯片和所述金属散热片的周部，以形成一体结构，所述绝缘粘合材料落于所述一体结构上表面的投影面覆盖所述一体结构上表面。可选的，所述金属箔落于所述粘合面的投影面覆盖所述粘合面。可选的，所述金属散热片包括相互叠合的第一散热片和第二散热片，所述第一散热片紧邻所述芯片设置，所述第二散热片盖设于所述第一散热片之上。本技术还提出一种电子产品，所述电子产品具有半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：引线框架；芯片，所述芯片设于所述引线框架之上；金属散热片，所述金属散热片设置在所述芯片之上；以及绝缘散热片，所述绝缘散热片盖设于所述金属散热片之上。本技术的有益效果为：该半导体封装结构，通过在所述芯片的上表面和下表面分别设有散热结构和引线框架，在使用过程中，芯片的上表面和下表面产生的热量由分别由金属散热片和引线框架传递至外界，以使芯片的上下两表面均能散发，从而实现芯片的双面散热。由于金属散热片与芯片通过导电结合材料连接，通过在金属散热片的上表面设有绝缘散热片，将金属散热片与外界隔离，以与外界绝缘，从而保证芯片在使用过程中的电气安全性，以应对外界带电、潮湿等恶劣环境。附图说明下面根据附图和实施例对本技术作进一步详细说明。图1为本技术实施例所述半导体封装结构立体结构示意图。图中：100、半导体封装结构；10、引线框架；20、金属散热片；21、第一散热片；22、第二散热片；30、绝缘散热片；31、绝缘粘合材料；32、金属箔；40、胶体；50、芯片。具体实施方式为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。如图1所示，本技术提出了一种半导体封装结构100，在本技术半导体封装结构100一实施例中，该半导体封装结构100包括：引线框架10，所述引线框架10包括芯片50座、内引脚和外引脚；芯片50，所述芯片50设于所述芯片50座之上；金属散热片20，所述金属散热片20设置在所述芯片50之上；以及绝缘散热片30，所述绝缘散热片30盖设于所述金属散热片20之上。在本实施例中，所述芯片50通过导电粘合材料粘合在所述芯片50座的上表面，所述内引脚用于与所述芯片50接线，所述外引脚用于与外围电路接线。所述芯片50的上表面也通过导电粘合材料粘合所述金属散热片20，所述金属散热片20的上表面设置有所述绝缘散热片30，具体地，该绝缘散热片30贴合于所述金属散热片20的上表面。本技术提出的半导体封装结构100，通过在所述芯片50的上表面和下表面分别设有散热结构和引线框架10，在使用过程中，芯片50的上表面和下表面产生的热量由分别由金属散热片20和引线框架10传递至外界，以使芯片50的上下两表面均能散发，从而实现芯片50的双面散热。由于金属散热片20与芯片50通过导电结合材料连接，通过在金属散热片20的上表面设有绝缘散热片30，将金属散热片20与外界隔离，以与外界绝缘，从而保证芯片50在使用过程中的电气安全性，以应对外界带电、潮湿等恶劣环境。如图1所示，在本技术半导体封装结构100一实施例中，所述绝缘散热片30包括绝缘粘合材料31，所述绝缘粘合材料31包覆于所述金属散热片20的上表面。具体地，所述绝缘粘合材料31粘连于所述金属散热片20的上表面。所述绝缘粘合材料31可以是热固型的环氧树脂，其内部填充有二氧化硅颗粒，或是其他导热率良好的填充料，所述绝缘粘合材料31还可以是其他具有较好导热效果的绝缘材料，在此不做限制。如图1所示，在本技术半导体封装结构100一实施例中，定义所述绝缘粘合材料31的厚度为D1，则0.05mm≤D1≤0.3mm。如此设置，不仅绝缘粘合材料31对金属散热片20带来较好的绝缘性能，而且保证了所述芯片50的散热效果。具体地，若D1＜0.05mm，则该绝缘粘合材料31的厚度较小，可以理解，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：/n引线框架；/n芯片，所述芯片设于所述引线框架之上；/n金属散热片，所述金属散热片设置在所述芯片之上；以及/n绝缘散热片，所述绝缘散热片盖设于所述金属散热片之上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
引线框架；
芯片，所述芯片设于所述引线框架之上；
金属散热片，所述金属散热片设置在所述芯片之上；以及
绝缘散热片，所述绝缘散热片盖设于所述金属散热片之上。


2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘散热片包括绝缘粘合材料，所述绝缘粘合材料包覆于所述金属散热片的上表面。


3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，定义所述绝缘粘合材料的厚度为D1，则0.05mm≤D1≤0.3mm。


4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘粘合材料朝上一侧形成粘合面，所述绝缘散热片还包括金属箔，所述金属箔粘附于所述粘合面。


5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属箔为铜箔。

【专利技术属性】
技术研发人员：曹周，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44