抗分层引线框架结构设计制造技术

技术编号:24761037 阅读:25 留言:0更新日期:2020-07-04 10:18
本发明专利技术公开了一种抗分层引线框架结构设计,用于增加塑封料和引线框架之间的结合力,能够有效解决QFN引线框架因结合力不好导致的分层问题,属于石膏盒成型生产及脱模设备技术领域,包括框架基体,所述框架基体上固定设置有晶元底座,晶元底座的四边上均匀对称设置有若干个穿透式锁料孔,其有益效果在于:通过在QFN引线框架的晶元底座四边增加穿透式锁料孔,能够显著增加塑封料和引线框架的接触面积,从而能够有效增加塑封料和引线框架之间的结合力,提高了使用稳定性和可靠性。

Structure design of anti delamination lead frame

【技术实现步骤摘要】
抗分层引线框架结构设计
本专利技术属于半导体封装件引线框架
,用于增加塑封料和引线框架之间的结合力,具体涉及一种抗分层引线框架结构设计。
技术介绍
QFN的英文全称是quadflatnon-leadedpackage,无引线四方扁平封装(QFN)是具有外设终端垫以及一个用于机械和热量完整性暴露的芯片垫的无铅封装。该封装可为正方形或长方形,主要特征为:1.组件非常薄(<1mm),可满足对空间有严格要求的应用;2.表面贴装封装无引脚焊盘设计占有更小的PCB面积;受封装特性的限制,QFN封装为单面封装,在使用过程中会由于塑封料和框架的结合力不足而导致QFN引线框架和塑封料出现分层现象,极大的影响了产品的使用可靠性,因而如何提高QFN封装的可靠性是现有引线框架行业和封测行业急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,针对现有市场上QFN引线框架塑封后可靠性较差的问题,提供了一种抗分层引线框架结构,通过在现有QFN引线框架的晶元底座四边增加穿透式锁料孔,增加了塑封料和引线框架的结合力,能够有效解决了QFN引线框架因结合力不好导致的分层问题,提高了使用稳定性和可靠性。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种抗分层引线框架结构设计,包括框架基体2,其特征在于:所述框架基体2上有若干个锁料孔1。所述框架基体2上固定设置有晶元底座,晶元底座的四边上均匀对称设置有锁料孔1。所述锁料孔1为穿透式结构,用于提高塑封料和引线框架之间的结合力。所述锁料孔1为长条形结构。与现有技术相比,本专利技术具有如下有益效果:1)通过在现有QFN引线框架的晶元底座四边增加穿透式锁料孔,增加了塑封料和引线框架的接触面积,能够有效解决了QFN引线框架因结合力不好导致的分层问题,提高了使用稳定性和可靠性;2)通过将锁料孔设置为长条形结构,与现有QFN引线框架的晶元底座结构更加匹配,便于引线框架在实际生产过程中的加工,也能够更好地实现塑封料和引线框架之间的连接,有助于提高连接的稳定性。附图说明图1是本领域常规QFN引线框架设计的结构示意图。图2是本专利技术实施例QFN抗分层引线框架设计的结构示意图。附图序号及名称:锁料孔1、框架基体2。具体实施方式下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本专利技术,在此本专利技术的示意性实施例以及说明来解释本专利技术,但并不作为对本专利技术的限定。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。实施例1如图1所示,本专利技术所述的常规QFN引线框架设计,包括框架基体2,框架基体2上固定设置有晶元底座,晶元底座的四边均为半蚀刻结构,在使用过程中会由于塑封料和框架的结合力不足而导致QFN引线框架和塑封料出现分层现象。如图2所示,本专利技术所述的抗分层引线框架结构设计,包括框架基体2,所述框架基体2上固定设置有晶元底座,晶元底座的四边上均匀对称设置有若干个锁料孔1。所述锁料孔1为穿透式结构,通过在QFN引线框架的晶元底座四边增加穿透式锁料孔1,能够显著增加塑封料和引线框架的接触面积,从而能够有效增加塑封料和引线框架之间的结合力,提高了使用稳定性和可靠性。实施例2在实施例1的基础上,所述锁料孔1为长条形结构。长条形结构更便于引线框架在实际生产过程中的加工,也能够更好地实现塑封料和引线框架之间的连接,有助于提高连接的稳定性。以上对本专利技术实施例所提供的技术方案进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本专利技术实施例的原理以及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只适用于帮助理解本专利技术实施例的原理;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本专利技术实施例,在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制。本专利技术未详尽描述的技术均为公知技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗分层引线框架结构设计,包括框架基体(2),其特征在于:所述框架基体(2)上有若干个锁料孔(2)。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗分层引线框架结构设计,包括框架基体(2),其特征在于:所述框架基体(2)上有若干个锁料孔(2)。


2.根据权利要求1所述的一种抗分层引线框架结构设计,其特征在于:所述框架基体(2)上固定设置有晶元底座,晶元底座的四边上均匀对称设置有锁料孔(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员:康亮康小明马文龙孙飞鹏
申请(专利权)人:天水华洋电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:甘肃;62

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