阵列面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列面板及其制作方法，包括：形成第一器件板，所述第一器件板包括基板层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层和栅极；形成氧化物材料层和所述半导体的导体化部分，其中，所述氧化物材料层覆盖第一器件板，所述导体化部分与所述半导体层未被覆盖部分对应；在所述氧化物材料层上形成第二器件板，所述第二器件板包括源极、漏极、平坦化层、像素定义层、阳极、有机发光层、阴极、封装层，其中，所述源极和所述漏极与所述导体化部分电连接。本发明专利技术能够提高阵列面板中薄膜晶体管的稳定性。

Array panel and its making method

【技术实现步骤摘要】
阵列面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列面板及其制作方法。
技术介绍
AMOLED(Active-matrixorganiclight-emittingdiode，主动矩阵有机发光二极管)显示面板以其轻薄、可弯曲、可穿戴等优点成为下一代显示技术的杰出代表。在显示面板工业中，随着目前显示行业中大尺寸化，高解析度的需求越来越强烈，对有源层半导体器件充放电提出了更高的要求。IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，其具有高迁移率，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT(Thin-FilmTransistor，薄膜晶体管)对像素电极的充放电速率，具有高开态电流、低关态电流可以迅速开关，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在显示面板中成为可能。但是，现有的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备工艺中，为了减小源极、漏极与氧化物半导体层的沟道区的接触阻抗，需要对其进行导体化。目前，常用的导体化方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列面板的制作方法，其特征在于，包括：/n步骤A：形成第一器件板，所述第一器件板包括基板层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层和栅极；/n步骤B：形成氧化物材料层和所述半导体的导体化部分，其中，所述氧化物材料层覆盖第一器件板，所述导体化部分与所述半导体层未被覆盖部分对应；/n步骤C：在所述氧化物材料层上形成第二器件板，所述第二器件板包括源极、漏极、平坦化层、像素定义层、阳极、有机发光层、阴极、封装层，其中，所述源极和所述漏极与所述导体化部分电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列面板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤A：形成第一器件板，所述第一器件板包括基板层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层和栅极；
步骤B：形成氧化物材料层和所述半导体的导体化部分，其中，所述氧化物材料层覆盖第一器件板，所述导体化部分与所述半导体层未被覆盖部分对应；
步骤C：在所述氧化物材料层上形成第二器件板，所述第二器件板包括源极、漏极、平坦化层、像素定义层、阳极、有机发光层、阴极、封装层，其中，所述源极和所述漏极与所述导体化部分电连接。


2.根据权利要求1所述的阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤B包括：
步骤b1：将前驱体通入所述第一器件板所在的空间，以使所述前驱体对所述半导体的部分区域进行导体化，以形成所述导体化部分；
步骤b2：将金属材料通入所述第一器件板所在的空间，以使所述金属材料与所述前驱体反应，以形成所述氧化物材料层。


3.根据权利要求2所述的阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤B还包括：
步骤b3：注入所述前驱体以形成位于所述第一器件板上的吸附层。


4.根据权利要求2所述的阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤b2包括：
步骤b21：形成位于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘大江，李金明，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44