【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法及衬底处理装置本申请是申请日为2016年12月21日、专利技术名称为“半导体器件的制造方法及衬底处理装置”的中国专利技术专利申请No.201611192433.7的分案申请。
本专利技术涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。
技术介绍
作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，有时使用卤系的处理气体、非卤系的处理气体，在衬底上进行形成包含硅(Si)等规定元素作为主元素的膜的成膜处理(例如，参见专利文献1～3)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]国际公开第2012/029661号小册子[专利文献2]日本特开2013-197307号公报[专利文献3]日本特开2014-067796号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于，提供一种能够提高形成于衬底上的膜的膜品质的技术。用于解决问题的手段根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，具有通过交替进行对衬底供给卤系的第一处理气体的...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，具有：/n工序(a)，通过交替地多次进行工序(a1)和工序(a2)从而在衬底上形成晶种层，其中，所述工序(a1)为对衬底供给包含构成待形成的膜的主元素的、卤系的第一处理气体，从而对所述衬底的表面进行保护的工序，所述工序(a2)为对所述衬底供给包含所述主元素的非卤系的第二处理气体，从而在所述衬底的表面上形成所述主元素的晶核的工序，和/n工序(b)，对所述衬底供给包含所述主元素的第三处理气体从而在所述晶种层上形成包含所述主元素的膜，/n使工序(a1)中的所述衬底存在的空间的压力大于工序(a2)中的所述衬底存在的空间的压力。/n
【技术特征摘要】
20151225 JP 2015-2530991.一种半导体器件的制造方法，具有：
工序(a)，通过交替地多次进行工序(a1)和工序(a2)从而在衬底上形成晶种层，其中，所述工序(a1)为对衬底供给包含构成待形成的膜的主元素的、卤系的第一处理气体，从而对所述衬底的表面进行保护的工序，所述工序(a2)为对所述衬底供给包含所述主元素的非卤系的第二处理气体，从而在所述衬底的表面上形成所述主元素的晶核的工序，和
工序(b)，对所述衬底供给包含所述主元素的第三处理气体从而在所述晶种层上形成包含所述主元素的膜，
使工序(a1)中的所述衬底存在的空间的压力大于工序(a2)中的所述衬底存在的空间的压力。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使工序(a2)中的所述衬底存在的空间的压力大于工序(b)中的所述衬底存在的空间的压力。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，将工序(a1)中的所述衬底存在的空间的压力设为400Pa以上1000Pa以下。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，将工序(a2)中的所述衬底存在的空间的压力设为250Pa以上350Pa以下。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，将工序(b)中的所述衬底存在的空间的压力设为30Pa以上200Pa以下。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第二处理气体的热分解温度低于第三处理气体的热分解温度。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在工序(a)中，将所述衬底的温度设为第一温度，
在工序(b)中，将所述衬底的温度设为与所述第一温度同等或比所述第一温度高的第二温度。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，所述第一温度为所述第二处理气体发生热分解的温度，所述第二温度为所述第三处理气体发生热分解的温度。
9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，所述第一温度为所述第一处理气体及所述第三处理气体不发生热分解、而所述第二处理气体发生热分解的温度，所述第二温度为所述第二处理气体和所述第三处理气体的两方均发生热分解的温度。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第一处理气体、所述第二处理气体和所述第三处理气体分别包含构成所述膜的主元素。
11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，所述主元素包含硅。
12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第一处理气体包含氯硅烷化合物，所述第二处理气体包含氢化硅化合物，所述第三处理气体包含氢化硅化合物。
13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，所述第二处理气体包含比所述第三处...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡桥由悟，森谷敦，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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