导电膜制造技术

技术编号:24760596 阅读:22 留言:0更新日期:2020-07-04 10:12
本发明专利技术公开一种导电膜,其包括:基材层,其包括相对设置的第一侧面和第二侧面;承载层,设于所述第一侧面,所述承载层远离基材层一侧设有相互不连通的第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔;导电区,所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区;所述第一穿孔位于所述导电区边缘处,且所述第一穿孔中填充导电材料且与所述导电区电连接;引线,所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线;所述第二穿孔位于所述引线边缘处,且所述第二穿孔中填充导电材料与所述引线电连接;搭接部,设置于所述基材层上;其中,第一穿孔以及第二穿孔中的导电材料与所述搭接部电连接,使得所述导电区与所述引线电连接。

Conductive film

【技术实现步骤摘要】
导电膜
本专利技术涉及电子技术,更具体地讲,本专利技术涉及一种导电膜。
技术介绍
透明导电膜是一种既具有高的导电性,又对可见光有很好的透光性的优良性能的导电膜,具有广泛的应用前景。近年来已经成功应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池的透明电极、透明表面发热器及柔性发光器件等领域中。传统的触摸屏一般采用掺锡氧化铟(IndiumTinOxides,ITO)导电层。在制备ITO层时,总是不可避免的需要镀膜,图形化,电极银引线制作。且在ITO图形化的时候需要对ITO膜进行蚀刻,这种传统的制作流程复杂且冗长,使导电层的导电性差,从而导致良品率不高。并且这种制作流程对工艺、设备要求较高,还在蚀刻中浪费大量的ITO材料,以及产生大量的含重金属的工业废液。金属网导电膜技术的发展弥补了以上缺陷。金属网导电膜一般采用网格状设计且包括可视区和引线区,为保证可视区的透过率一般采用比较小的网格状设计,但是这样的网格线在引线区的导电能力不强。鉴于此,本专利技术通过改善导电膜以解决所存在的技术问题。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种导电膜以解决上述的技术问题。本专利技术的一个技术方案是:一种导电膜,其特征在于,其包括:基材层,其包括相对设置的第一侧面和第二侧面;承载层,设于所述第一侧面,所述承载层远离基材层一侧设有相互不连通的第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔;导电区,所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区;所述第一穿孔位于所述导电区边缘处,且所述第一穿孔中填充导电材料且与所述导电区电连接;引线,所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线;所述第二穿孔位于所述引线边缘处,且所述第二穿孔中填充导电材料与所述引线电连接;搭接部,设置于所述基材层上,位于所述导电区以及所述引线之间,且所述搭接部由导电材料构成;其中,第一穿孔以及第二穿孔中的导电材料与所述搭接部电连接,使得所述导电区与所述引线电连接。在其中一实施例中,所述搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀方式形成于所述基材层上。在其中一实施例中,所述第一凹槽的宽度不小于所述第二凹槽的宽度,和/或,所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。在其中一实施例中,所述第一凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第一凹槽底部的宽度;和/或,所述第二凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第二凹槽底部的宽度。在其中一实施例中,所述第一凹槽包括第一底壁及连接所述第一底壁两侧的两第一侧壁,所述第一底壁和两第一侧壁中至少一个为弧形壁;和/或,所述第二凹槽包括第二底壁及连接所述第二底壁两侧的两第二侧壁,所述第二底壁和两第二侧壁中至少一个为弧形壁。在其中一实施例中,所述导电区包括相互连通的第一网格,所述引线包括相互连通的第二网格,所述搭接部通过第一穿孔以及第二穿孔电性搭接所述第一网格和所述第二网格。在其中一实施例中,所述搭接部为网格状,所述搭接部通过第一穿孔以及第二穿孔连接至少一根第一网格的网格线和至少一根第二网格的网格线。在其中一实施例中,所述搭接部呈线状,所述第一网格的网格线通过第一穿孔连接所述搭接部,所述第二网格的网格线通过第二穿孔连接所述搭接部。在其中一实施例中,所述第一凹槽以及第二凹槽的底部距离所述承载层第一侧面的距离不小于50nm。在其中一实施例中,所述引线为网格状或者为实线状。本专利技术的有益效果:导电膜通过第一穿孔以及第二穿孔电连接搭接部使的导电区和引线电性连接,其连接更加可靠,增加导电性能,且工艺简单环保;并且在所述搭接部对应的基材层区域设有微纳结构,这样可以增加搭接部的稳固,不容易脱落。附图说明图1为本专利技术导电膜的平面示意图;图2为本专利技术导电膜的一种截面示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术,下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是,本专利技术可以通过许多不同的形式来实现,并不限于下面所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是,当元件被称为“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本专利技术提供一种导电膜,其特征在于,其包括:基材层,其包括相对设置的第一侧面和第二侧面;所述基材层可以为单层结构,也可以是复合层结构;例如基材层为PET、PE、PC、PMMA、玻璃或者复合板材。承载层,设于所述第一侧面,所述承载层远离基材层一侧设有相互不连通的第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔;所述承载层为热固化或光固化胶,也可以是光刻胶等等;所述第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔可以通过压印或者曝光显影等方式形成。导电区,所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区;所述第一穿孔位于所述导电区边缘处,且所述第一穿孔中填充导电材料且与所述导电区电连接;引线,所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线;所述第二穿孔位于所述引线边缘处,且所述第二穿孔中填充导电材料与所述引线电连接;所述导电区与所述引线自身并不连接,承载层远离第一侧面的一侧导电区与所述引线之间为隔离状态,所述导电区与所述引线在所述承载层远离第一侧面的一侧并没有电性连接结构。搭接部,设置于所述基材层上,位于所述导电区以及所述引线之间,且所述搭接部由导电材料构成;其中,第一穿孔以及第二穿孔中的导电材料与所述搭接部电连接,使的所述导电区与所述引线电连接。由于所述第一穿孔与所述第二穿孔自身分别与导电层以及引线电连接,所以第一穿孔与第二穿孔在与搭接部连接的时候使的导电区与引线电性连接。其中,导电材料可以为金属导电材料、化合物导电材料或者有机导电材料中一种或者两者以上的组合;金属例如为银、金、铜、铁、镍、铝等;化合物例如为ITO;有机导电材料例如为PEDOT。在其中一实施例中,所述搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀方式形成于所述基材层上;所述搭接部形成于基材层上,或者所述搭接部嵌设于所述承载层第二侧,此时搭接部可以通过填充或者沉积形成;再者,所述搭接部对应的基材层表面还设有凹陷和/或凸起的微纳结构,所述微纳结构的尺寸0.01nm~10μm,使的所述搭接部与所述基材层的粘结更加稳固。在其中一实施例中,所述第一凹槽的宽度不小于所述第二凹槽的宽度,和/或,所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。在其中本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种导电膜,其特征在于,其包括:/n基材层,其包括相对设置的第一侧面和第二侧面;/n承载层,设于所述第一侧面,所述承载层远离基材层一侧设有相互不连通的第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔;/n导电区,所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区;所述第一穿孔位于所述导电区边缘处,且所述第一穿孔中填充导电材料且与所述导电区电连接;/n引线,所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线;所述第二穿孔位于所述引线边缘处,且所述第二穿孔中填充导电材料与所述引线电连接;/n搭接部,设置于所述基材层上,位于所述导电区以及所述引线之间,且所述搭接部由导电材料构成;/n其中,第一穿孔以及第二穿孔中的导电材料与所述搭接部电连接,使得所述导电区与所述引线电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种导电膜,其特征在于,其包括:
基材层,其包括相对设置的第一侧面和第二侧面;
承载层,设于所述第一侧面,所述承载层远离基材层一侧设有相互不连通的第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔;
导电区,所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区;所述第一穿孔位于所述导电区边缘处,且所述第一穿孔中填充导电材料且与所述导电区电连接;
引线,所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线;所述第二穿孔位于所述引线边缘处,且所述第二穿孔中填充导电材料与所述引线电连接;
搭接部,设置于所述基材层上,位于所述导电区以及所述引线之间,且所述搭接部由导电材料构成;
其中,第一穿孔以及第二穿孔中的导电材料与所述搭接部电连接,使得所述导电区与所述引线电连接。


2.根据权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀方式形成于所述基材层上。


3.根据权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述第一凹槽的宽度不小于所述第二凹槽的宽度,和/或,所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。


4.根据权利要求3所述的导电膜,其特征在于,所述第一凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第一凹槽底部的宽度;和/或,所述第二凹槽位于所述第一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员:江州刘立冬孙超
申请(专利权)人:昇印光电昆山股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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