导电性薄膜制造技术

技术编号:24615034 阅读:17 留言:0更新日期:2020-06-24 01:57
提供即使设置有较薄的金属层也可抑制金属层的图案化时发生断线的导电性薄膜。一种导电性薄膜,其依次具备第1金属层和树脂薄膜,前述第1金属层的厚度为10nm以上且200nm以下,前述第1金属层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。前述树脂薄膜的与前述第1金属层处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra优选为30nm以下。

Conductive film

【技术实现步骤摘要】
导电性薄膜
本专利技术涉及导电性薄膜。
技术介绍
以往,在树脂薄膜的表面形成有金属层的导电性薄膜被用于柔性电路基板、电磁波屏蔽薄膜、平板显示器、接触式传感器、非接触式IC卡、太阳能电池等(例如,专利文献1)。导电性薄膜的主要功能是导电,为了得到符合用途目的的导电性来适宜选择设置于高分子薄膜的表面的金属层的组成、厚度。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-82848号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题由于近年的器件要素的薄型化、小型化的要求的提高,金属层的厚度也从几百nm薄型化至数十nm。另外,为了实现器件的高功能化、用途扩大,有时也通过蚀刻等将金属层图案化而使用。然而,在薄的金属层的图案化时,有时会在电路图案发生断线,这成为使生产率、可靠性降低的原因之一。本专利技术的目的在于,提供即使设置有较薄的金属层,也可抑制金属层的图案化时发生断线的导电性薄膜。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决前述课题进行了深入研究,结果得到如下见解:在金属层的断线发生的部位产生了针孔,该针孔可能是断线的原因。进而进行了研究,结果发现通过采用下述构成,可达成上述目的,从而完成了本专利技术。本专利技术的一实施方式中涉及一种导电性薄膜,其依次具备第1金属层和树脂薄膜,前述第1金属层的厚度为10nm以上且200nm以下,前述第1金属层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。该导电性薄膜中,将第1金属层的表面粗糙度Rz设为规定范围,因此在10nm以上且200nm以下这样的较薄的金属层的图案化时也能够抑制断线的发生。其理由尚不确定,但推测如下。本专利技术人等对针孔的产生原因进行了研究,结果明确了:在金属层的成膜时到成膜后,在将导电性薄膜卷绕成卷状的前后,针孔的产生数增加。由此,本专利技术人等推测:在导电性薄膜的卷绕时,金属层的陡峭的突起因卷的卷紧压力和/或卷紧时的摩擦而崩塌,突起部分发生塌陷,从而产生针孔。这样的突起的崩塌导致的针孔的产生在金属层比较薄(10nm以上且200nm以下)、金属层的机械强度低的情况下变得更显著。根据以上的见解推测,通过减小金属层表面的表面粗糙度Rz,去除金属层的陡峭的突起和/或高度差,从而可抑制针孔的产生,其结果,也可抑制经图案化的金属层的断线。前述树脂薄膜的与前述第1金属层处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra优选为30nm以下。树脂薄膜的与第1金属层处于相反侧的表面在将导电性薄膜卷绕成卷状时与第1金属层接触,因此第1金属层会与树脂薄膜压接,其后在从卷送出时有金属层剥离的担心。通过将树脂薄膜的与第1金属层的接触面的表面粗糙度Ra控制为上述范围内,从而能够抑制第1金属层与树脂薄膜的压接。前述树脂薄膜的前述第1金属层侧的表面的表面粗糙度Ra优选为0.5nm以上且10nm以下。由于金属层的表面状态有原样沿袭树脂薄膜的表面状态的倾向,因此通过将树脂薄膜的表面粗糙度Ra设为上述范围,从而能够效率良好地将金属层表面的表面粗糙度Rz控制为规定范围。该导电性薄膜还可以具备配置于前述树脂薄膜与前述第1金属层之间的基底层。通过设置满足第1金属层的对树脂薄膜的密合性、对导电性薄膜的强度赋予、电特性的控制等目的的基底层,从而能够实现导电性薄膜的高功能化。又一实施方式中,该导电性薄膜还可以具备配置于前述树脂薄膜的与前述第1金属层的相反侧的第2金属层。该情况下,优选的是,前述第2金属层的厚度为10nm以上且200nm以下,前述第2金属层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。通过在树脂薄膜的两面设置金属层,从而能够实现导电性薄膜的高功能化、用途扩大。另外,通过将不仅第1金属层、而且第2金属层的表面的表面粗糙度Rz也设为上述范围内,能够将两面的金属层的陡峭的突起和/或高度差去除从而控制针孔的产生,其结果,能够在两面抑制经图案化的金属层的断线。前述树脂薄膜的前述第2金属层侧的表面的表面粗糙度Ra优选为0.5nm以上且10nm以下。与第1金属层的情况同样,通过将树脂薄膜的表面粗糙度Ra设为上述范围,从而能够效率良好地将第2金属层表面的表面粗糙度Rz控制为规定范围。前述第1金属层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra及前述第2金属层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra中的至少一者优选为0.5nm以上且10nm以下。若将在树脂薄膜的两面设置有金属层的导电性薄膜卷绕成卷状,则有时无论是在卷的半径方向的中心侧的金属层还是外侧的金属层均与金属层接触,发生金属层彼此的粘连。在金属层的溅射成膜时将导电性薄膜的卷置于真空下的情况下,粘连会变得特别显著。通过将两面的金属层的表面粗糙度Ra中的一者或两者控制为规定范围,能够对金属层表面赋予适度的凹凸,能够兼顾针孔的产生的抑制和粘连的防止。该导电性薄膜还可以具备配置于前述树脂薄膜与前述第2金属层之间的基底层。通过设置满足第2金属层的对树脂薄膜的密合性、对导电性薄膜的强度赋予、电特性的控制等目的的基底层,从而能够实现导电性薄膜的高功能化。前述第1金属层的厚度与前述第2金属层的厚度之差的绝对值优选为5nm以下。通过使两面的金属层的厚度彼此接近,从而在金属层产生的应力被抵消,能够防止导电性薄膜的卷曲、金属层的剥离等。从输送性、处理的观点出发,该导电性薄膜可以被卷绕成卷状。附图说明图1为本专利技术的一实施方式的导电性薄膜的示意性截面图。图2为本专利技术的又一实施方式的导电性薄膜的示意性截面图。附图标记说明1树脂薄膜100导电性薄膜11a导电性薄膜的第1金属层侧的表面12a导电性薄膜的与第1金属层处于相反侧(第2金属层侧)的表面21第1金属层21a第1金属层的与树脂薄膜处于相反侧的表面22第2金属层22a第2金属层的与树脂薄膜处于相反侧的表面31、32基底层具体实施方式以下参照附图对本专利技术的导电性薄膜的实施方式进行说明。但是,在图的一部分或全部中,省略说明不需要的部分,而且存在为了容易说明进行放大或缩小等来图示的部分。表示上下等位置关系的用语仅仅是为了容易进行说明而使用的,完全没有意图限定本专利技术的构成。《第1实施方式》<导电性薄膜>图1为本专利技术的一实施方式的导电性薄膜的示意性截面图。图1所示的导电性薄膜100依次具备第1金属层21和树脂薄膜1。本实施方式中,在树脂薄膜1与第1金属层21之间设置有基底层31。需要说明的是,对于第1金属层21及基底层31,分别图示出了由1层形成的构成,但分别也可以为2层以上的多层构成。(树脂薄膜)作为树脂薄膜1,只要能够确保绝缘性,就没有特别限制,可以使用各种塑料薄膜。作为树脂薄膜的材料,可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯系树脂、聚酰亚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性薄膜,其依次具备第1金属层和树脂薄膜,/n所述第1金属层的厚度为10nm以上且200nm以下,/n所述第1金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。/n

【技术特征摘要】
20181217 JP 2018-2358171.一种导电性薄膜,其依次具备第1金属层和树脂薄膜,
所述第1金属层的厚度为10nm以上且200nm以下,
所述第1金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。


2.根据权利要求1所述的导电性薄膜,其中,所述树脂薄膜的与所述第1金属层处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra为30nm以下。


3.根据权利要求1所述的导电性薄膜,其中,所述树脂薄膜的所述第1金属层侧的表面的表面粗糙度Ra为0.5nm以上且10nm以下。


4.根据权利要求1所述的导电性薄膜,其还具备基底层,所述基底层配置于所述树脂薄膜与所述第1金属层之间。


5.根据权利要求1~4中任一项所述的导电性薄膜,其还具备第2金属层,所述第2金属层配置于所述树脂薄膜的与所述第1金属层相反的一侧,
...

【专利技术属性】
技术研发人员:小石直树片桐正义桥本尚树
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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