导电性薄膜制造技术

提供即使设置有较薄的金属层也可抑制金属层的图案化时发生断线的导电性薄膜。一种导电性薄膜，其依次具备第1金属层和树脂薄膜，前述第1金属层的厚度为10nm以上且200nm以下，前述第1金属层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。前述树脂薄膜的与前述第1金属层处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra优选为30nm以下。

Conductive film

【技术实现步骤摘要】
导电性薄膜
本专利技术涉及导电性薄膜。
技术介绍
以往，在树脂薄膜的表面形成有金属层的导电性薄膜被用于柔性电路基板、电磁波屏蔽薄膜、平板显示器、接触式传感器、非接触式IC卡、太阳能电池等(例如，专利文献1)。导电性薄膜的主要功能是导电，为了得到符合用途目的的导电性来适宜选择设置于高分子薄膜的表面的金属层的组成、厚度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-82848号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题由于近年的器件要素的薄型化、小型化的要求的提高，金属层的厚度也从几百nm薄型化至数十nm。另外，为了实现器件的高功能化、用途扩大，有时也通过蚀刻等将金属层图案化而使用。然而，在薄的金属层的图案化时，有时会在电路图案发生断线，这成为使生产率、可靠性降低的原因之一。本专利技术的目的在于，提供即使设置有较薄的金属层，也可抑制金属层的图案化时发生断线的导电性薄膜。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决前述课题进行了深入研究，结果得到如下见解：在金属层的断线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性薄膜，其依次具备第1金属层和树脂薄膜，/n所述第1金属层的厚度为10nm以上且200nm以下，/n所述第1金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。/n

【技术特征摘要】
20181217 JP 2018-2358171.一种导电性薄膜，其依次具备第1金属层和树脂薄膜，
所述第1金属层的厚度为10nm以上且200nm以下，
所述第1金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。


2.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，所述树脂薄膜的与所述第1金属层处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra为30nm以下。


3.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，所述树脂薄膜的所述第1金属层侧的表面的表面粗糙度Ra为0.5nm以上且10nm以下。


4.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其还具备基底层，所述基底层配置于所述树脂薄膜与所述第1金属层之间。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的导电性薄膜，其还具备第2金属层，所述第2金属层配置于所述树脂薄膜的与所述第1金属层相反的一侧，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：小石直树，片桐正义，桥本尚树，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP