带有保护薄膜的导电性薄膜及导电性薄膜的制造方法技术

本发明专利技术涉及带有保护薄膜的导电性薄膜及导电性薄膜的制造方法。提供即使设置有较薄的导电层也可抑制导电层的图案化时发生断线的导电性薄膜。一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其依次具备：第1保护薄膜、第1导电层和树脂薄膜，前述第1导电层的厚度为10nm以上且250nm以下，前述第1导电层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下，前述第1保护薄膜的与前述第1导电层接触的一侧的面具有粘合性，前述第1保护薄膜与前述第1导电层间的密合力为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下。

Conductive film with protective film and manufacturing method of conductive film

【技术实现步骤摘要】
带有保护薄膜的导电性薄膜及导电性薄膜的制造方法
本专利技术涉及带有保护薄膜的导电性薄膜及使用其的导电性薄膜的制造方法。
技术介绍
以往，在树脂薄膜的表面形成有导电层的导电性薄膜被用于柔性电路基板、电磁波屏蔽薄膜、平板显示器、接触式传感器、非接触式IC卡、太阳能电池等(例如，专利文献1)。导电性薄膜的主要功能是导电，为了得到符合用途目的的导电性来适宜选择设置于高分子薄膜的表面的导电层的组成、厚度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-82848号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题由于近年的器件要素的薄型化、小型化的要求的提高，导电层的厚度也从几百nm薄型化至数十nm。另外，为了实现器件的高功能化、用途扩大，有时也通过蚀刻等将导电层图案化而使用。然而，在薄的导电层的图案化时，有时电路图案会发生断线，这成为使生产率、可靠性降低的原因之一。本专利技术的目的在于，提供即使设置有较薄的导电层、也可抑制导电层的图案化时发生断线的导电性薄膜。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决前述课题进行了深入研究，结果得到如下见解：在导电层的断线发生的部位产生了针孔，该针孔可能是成为断线的原因。进而进行了研究，结果发现通过采用下述构成，可达成上述目的，从而完成了本专利技术。本专利技术的一实施方式中为一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其依次具备：第1保护薄膜、第1导电层和树脂薄膜，前述第1导电层的厚度为10nm以上且250nm以下，前述第1导电层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下，前述保护薄膜的与前述第1导电层接触的一侧的面具有粘合性，前述保护薄膜与前述第1导电层间的密合力为0.005～0.5N/50mm。该带有保护薄膜的导电性薄膜通过将第1导电层的表面粗糙度Rz设为规定范围、将保护薄膜对第1导电层的粘合力设为规定范围，从而在10nm以上且250nm以下这样的较薄的导电层的图案化时也能够控制断线的发生。本专利技术人等对针孔的产生原因进行了研究，结果明确了：从导电层的成膜时到成膜后，在将导电性薄膜卷绕成卷状前后，针孔的产生数增加；以及，为了保护导电层而对导电层的表面赋予保护薄膜的情况下，若使用保护薄膜与导电层的密合力超过某一值者，则将保护薄膜剥离后针孔的数量反倒增加。由此，本专利技术人等推测：在导电性薄膜的卷绕时，导电层的陡峭的突起因卷的卷紧压力和/或卷紧时的摩擦而崩塌，突起部分发生塌陷，从而产生针孔；以及，在将赋予到导电层表面的保护薄膜剥离时，导电层在从树脂薄膜剥离的同时，转印到保护薄膜的粘合层上，由此产生针孔。根据以上的见解发现，通过如下方式来抑制针孔的产生，其结果，具有抑制经图案化的导电层的断线的效果，从而完成了本专利技术，即，通过减小导电层表面的表面粗糙度Rz、去除导电层中的陡峭的突起和/或高度差；抑制导电性薄膜的卷绕时导电层的陡峭的突起因卷的卷紧压力和/或卷紧时的摩擦而崩塌；以及在导电层的表面设置粘合力为0.005N/50mm～0.5N/50mm的保护薄膜，从而抑制针孔的产生。进而，即使减小导电层表面的表面粗糙度Rz，在不设置保护薄膜的情况下，在将导电性薄膜切断加工成规定宽度时也会产生针孔。认为这是因为：虽然在保护薄膜设置前在导电层的一个面存在树脂薄膜，但另一面没有任何要素，因此在导电层的厚度方向负载切断加工时的应力和/或振动，由此导电层会局部从树脂薄膜剥离。对于该带有保护薄膜的导电性薄膜，形成在导电层的另一面配置保护薄膜、可以说是由树脂薄膜和保护薄膜夹持导电层的两面的状态，因此能够抑制切断加工时负载于导电层的厚度方向上的应力等，能够抑制和/或减少切断加工时的针孔产生。前述树脂薄膜的前述第1导电层侧的表面的表面粗糙度Ra优选为0.5nm以上且10nm以下。由于导电层的表面状态有原样沿袭树脂薄膜的表面状态的倾向，因此通过将树脂薄膜的表面粗糙度Ra设为上述范围，从而能够效率良好地将导电层表面的表面粗糙度Rz控制为规定范围。该导电性薄膜还可以具备配置于前述树脂薄膜与前述第1导电层之间的基底层。通过设置满足第1导电层的对树脂薄膜的密合性、对导电性薄膜的强度赋予、电特性的控制等目的的基底层，从而能够实现导电性薄膜的高功能化。又一实施方式中，该导电性薄膜还可以具备配置于前述树脂薄膜的与前述第1导电层相反的一侧的第2导电层。该情况下，前述第2导电层的厚度为10nm以上且250nm以下，前述第2导电层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz优选为100nm以下。通过在树脂薄膜的两面设置导电层，从而能够实现导电性薄膜的高功能化、用途扩大。另外，通过将不仅第1导电层、而且第2导电层的表面的表面粗糙度Rz也设为上述范围内，能够将两面的导电层的陡峭的突起和/或高度差去除从而抑制针孔的产生，其结果，能够在两面抑制经图案化的导电层的断线。前述树脂薄膜的前述第2导电层侧的表面的表面粗糙度Ra优选为0.5nm以上且10nm以下。与第1导电层的情况同样地，通过将树脂薄膜的表面粗糙度Ra设为上述范围，从而能够效率良好地将第2导电层表面的表面粗糙度Rz控制为规定范围。该导电性薄膜还可以具备配置于前述树脂薄膜与前述第2导电层之间的基底层。通过设置满足第2导电层的对树脂薄膜的密合性、对导电性薄膜的强度赋予、电特性的控制等目的的基底层，从而能够实现导电性薄膜的高功能化。前述第1导电层的厚度与前述第2导电层的厚度之差的绝对值优选为5nm以下。通过使两面的导电层的厚度彼此接近，从而在导电层产生的应力被抵消，能够防止导电性薄膜的卷曲、导电层的剥离等。该带有保护薄膜的导电性薄膜还可以具备配置于前述第2导电层的与前述树脂薄膜相反的一侧的第2保护薄膜。前述第2保护薄膜的与前述第2导电层接触的一侧的面具有粘合性，前述第2导电层与前述第2保护薄膜间的密合力优选为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下。通过具备第2保护薄膜，从而可抑制导电性薄膜的向规定宽度的切断加工时的针孔产生。另外，通过将第2保护薄膜与第2导电层间的密合力设为规定范围，从而可抑制第2保护薄膜的剥离时的第2导电层自树脂薄膜的剥离及第2导电层向第2保护薄膜的转印，能够抑制针孔产生。优选前述第1保护薄膜及第2保护薄膜中的至少一者具有；含有聚烯烃系树脂的基材层和含有热塑性弹性体的粘合层。利用这样的构成，能够适当地制作具有规定密合力的保护薄膜。本专利技术的另一实施方式涉及一种导电性薄膜的制造方法，其包括从该带有保护薄膜的导电性薄膜将保护薄膜剥离的工序。通过使用该带有保护薄膜的导电性薄膜，从而可抑制保护薄膜剥离时的导电层自树脂薄膜的剥离及导电层向保护薄膜的转印，并且可抑制向规定宽度的切断加工时的厚度方向上的应力等，因此作为整体抑制针孔产生，进而防止电路图案的断线从而能够成品率良好地制造高品质的导电性薄膜。附图说明图1为本专利技术的一实施方式的带有保护薄膜的导电性薄膜的示意性截面图。图2为本专利技术的又一实施方式的带有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其依次具备：第1保护薄膜、第1导电层和树脂薄膜，/n所述第1导电层的厚度为10nm以上且250nm以下，/n所述第1导电层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下，/n所述第1保护薄膜的与所述第1导电层接触的一侧的面具有粘合性，/n所述第1保护薄膜与所述第1导电层间的密合力为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下。/n

【技术特征摘要】
20181217 JP 2018-2358211.一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其依次具备：第1保护薄膜、第1导电层和树脂薄膜，
所述第1导电层的厚度为10nm以上且250nm以下，
所述第1导电层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下，
所述第1保护薄膜的与所述第1导电层接触的一侧的面具有粘合性，
所述第1保护薄膜与所述第1导电层间的密合力为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下。


2.根据权利要求1所述的带有保护薄膜的导电性薄膜，其中，所述树脂薄膜的所述第1导电层侧的表面的表面粗糙度Ra为0.5nm以上且10nm以下。


3.根据权利要求1或2所述的带有保护薄膜的导电性薄膜，其还具备基底层，所述基底层配置于所述树脂薄膜与所述第1导电层之间。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的带有保护薄膜的导电性薄膜，其还具备第2导电层，所述第2导电层配置于所述树脂薄膜的与所述第1导电层相反的一侧，
所述第2导电层的厚度为10nm以上且250nm以下，
所述第2导电层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。

【专利技术属性】
技术研发人员：小石直树，别府浩史，片桐正义，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP