一种基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法技术

本发明专利技术公开了一种基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法，涉及电路板生产技术领域。本发明专利技术基于前开窗设计的多层FPC制程中，增加除碳粉操作，解决黑影时药水残留，导致碳粉吸附在内层板，难以去除的问题。本发明专利技术根据碳粉残留的不同位置设置不同的处理流程和参数，避免了覆盖膜表面色差不一，影响产品品质的情况。本发明专利技术提供的多层FPC的制作方法，基于前开窗的工艺设计，可去除黑影工序中残留的碳粉，确保产品品质，扩大了前开窗工艺设计的应用面。

【技术实现步骤摘要】
一种基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法
本专利技术涉及电路板生产
，尤其涉及一种基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法。
技术介绍
进入21世纪，随着电子技术的不断发展，消费者对电子产品功能需求日渐全面，为了满足不同的功能需求，印制线路板在产品结构上也会做相应的调整，不同叠构的多层板也越来越常见起来。FPC多层板在设计中，常有需要进行揭盖的结构，对应的FPC制程就有前揭盖与后揭盖两种不同的制作工艺。对于前揭盖设计，可采用热固胶+单面铜箔同时前开窗，此外还有热固胶前开窗，纯铜箔蚀刻开窗的方法设计。后开窗设计采用镭射机，调节能量控制深度进行开窗。在前开窗设计中，FPC多层板外层电镀时需要黑影处理，内层外露部分由于开窗结构会直接接触黑影药水，导致碳粉吸附在内层的覆盖膜PI和/或基材PI上，常规的电镀、图形工艺流程无法除去残留的碳粉。这一缺陷限制了前开窗工艺的应用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是前开窗设计中，内层由于开窗结构导致吸附碳粉吸附，难以去除。为了解决上述问题，本专利技术提出以下技术方案：第一方面，本专利技术提供一种基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法，将前开窗的多层FPC在外层图形之后进行除碳粉步骤；所述多层FPC由单面板及内层板压合制得；其中，所述单面板设有第一开窗区域；所述内层板设有覆盖膜贴合区域；若所述第一开窗区域位于所述覆盖膜贴合区域，露出覆盖膜PI，则所述除碳粉步骤为第一喷砂处理。其进一步地技术方案为，所述第一喷砂处理的喷压为1.2±0.2kg/cm2，线速度为2.0±0.2m/min。其进一步地技术方案为，所述内层板还设有覆盖膜开窗区域，所述覆盖膜开窗区域露出基材PI；若所述第一开窗区域与所述覆盖膜开窗区域相同，露出基材PI，则所述除碳粉步骤为第一等离子→第二喷砂处理。其进一步地技术方案为，所述第一等离子操作步骤中，四氟化碳流量为250±25cc/min，等离子态气体作用时间为18±2min。其进一步地技术方案为，所述第二喷砂处理的喷压为1.2±0.2kg/cm2，线速度为2.5±0.2m/min。其进一步地技术方案为，所述内层板还设有覆盖膜开窗区域，所述覆盖膜开窗区域露出基材PI；若所述第一开窗区域内既有覆盖膜贴合区域又有覆盖膜开窗区域，露出覆盖膜PI与基材PI，则所述除碳粉步骤为第三喷砂→第二等离子→酸洗处理。其进一步地技术方案为，所述第三喷砂处理的喷压为1.2±0.2kg/cm2，线速度为2.0±0.2m/min。其进一步地技术方案为，所述第二等离子操作步骤中，四氟化碳流量为200±20cc/min；等离子态气体作用时间为12±2min。其进一步地技术方案为，所述酸洗为，采用5±1％的硫酸浓度进行清洗。第二方面，本专利技术提供一种多层FPC的制作方法，包括以下步骤：S1将单面板与热固胶预先贴合后进行开窗，开窗位置设为第一开窗区域；S2将内层板完成内层线路后贴上覆盖膜；S3按单面板-热固胶-覆盖膜-内层板的叠构压合得到多层FPC；S4对所述多层FPC进行黑影→外层电镀→外层图形→除碳粉→AOI；即制得所述多层FPC；其中所述除碳粉步骤第一方面所述的基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法。与现有技术相比，本专利技术所能达到的技术效果包括：基于前开窗设计的多层FPC制程中，增加除碳粉操作，解决黑影时药水残留，导致碳粉吸附在内层板，难以去除的问题。由于覆盖膜PI较为光滑，碳粉与其结合力较差，可通过喷砂的物理作用力将碳粉完全清洗干净，且不会损伤覆盖膜PI结构，确保产品品质。进一步地，本专利技术根据碳粉残留的不同位置设置不同的处理流程和参数，避免了覆盖膜表面色差不一，影响产品品质的情况。通过对比碳粉残留在覆盖膜PI与基材PI上的特性的差异(覆盖膜PI光滑，与碳粉结合力较弱；基材PI粗糙，与碳粉结合力较强)，针对性地设置不同的工艺流程以除去残留的碳粉；通过流程与工艺参数的调整，避免了覆盖膜色差的不良产生，同时降低了PI咬蚀量，在产品品质上有了更可靠的保障。本专利技术提供的多层FPC的制作方法，基于前开窗的工艺设计，可去除黑影工序中残留的碳粉，确保产品品质，扩大了前开窗工艺设计的应用面。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留的第一结构示意图；图2为基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留的第二结构示意图；图3为基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留的第三结构示意图。附图标记单面板1，覆盖膜2，内层板3，第一开窗区域4，覆盖膜贴合区域5，覆盖膜开窗区域6，碳粉7。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，附图中类似的组件标号代表类似的组件。显然，以下将描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。还应当理解，在此本专利技术实施例说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本专利技术实施例。如在本专利技术实施例说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。本专利技术实施例提供一种基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法，将前开窗的多层FPC在外层图形之后进行除碳粉步骤；所述多层FPC由单面板及内层板压合制得；其中，所述单面板设有第一开窗区域；所述内层板设有覆盖膜贴合区域；若所述第一开窗区域位于所述覆盖膜贴合区域，露出覆盖膜PI，所述除碳粉步骤为第一喷砂处理。需要说明的是，对于多层FPC，覆盖膜包括覆盖膜PI及粘胶，以内层板为双面板为例，所述内层板的结构为，覆盖膜PI-粘胶-铜基材-基材PI-铜基材。其中，覆盖膜用于保护内层板的内层线路结构，因此覆盖膜PI表面光滑；基材PI用于结合两铜基材，表面粗糙有助于提高与铜基材的结合力，因此基材PI表面粗糙。可以理解地，多层FPC在镀铜前需过黑影，黑影后覆盖膜PI上的碳粉不能被黑影线体后微蚀和水洗洗净，本实施例中，由于第一开窗区域位于所述覆盖膜贴合区域(如图1)，而覆盖膜PI光滑，碳粉与覆盖膜PI结合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法，其特征在于，将前开窗的多层FPC在外层图形之后进行除碳粉步骤；所述多层FPC由单面板及内层板压合制得；/n其中，所述单面板设有第一开窗区域；所述内层板设有覆盖膜贴合区域；/n若所述第一开窗区域位于所述覆盖膜贴合区域，露出覆盖膜PI，则所述除碳粉步骤为第一喷砂。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法，其特征在于，将前开窗的多层FPC在外层图形之后进行除碳粉步骤；所述多层FPC由单面板及内层板压合制得；
其中，所述单面板设有第一开窗区域；所述内层板设有覆盖膜贴合区域；
若所述第一开窗区域位于所述覆盖膜贴合区域，露出覆盖膜PI，则所述除碳粉步骤为第一喷砂。


2.如权利要求1所述的基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法，其特征在于，所述第一喷砂处理的喷压为1.2±0.2kg/cm2，线速度为2.0±0.2m/min。


3.如权利要求1所述的基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法，其特征在于，所述内层板还设有覆盖膜开窗区域，且所述覆盖膜开窗区域露出基材PI；
若所述第一开窗区域与所述覆盖膜开窗区域相同，露出基材PI，则所述除碳粉步骤为第一等离子→第二喷砂。


4.如权利要求3所述的基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法，其特征在于，所述第一等离子操作步骤中，四氟化碳流量为250±25cc/min，等离子态气体作用时间为18±2min。


5.如权利要求3所述的基于前开窗工艺的多层FPC制程中的碳粉残留解决方法，其特征在于，所述第二喷砂处理的喷压为1.2±0.2kg/cm2，线速度为2.5±0.2m/min。


6.如权利要求1所述的基于前开窗工艺的多层FPC...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊磊，
申请(专利权)人：景旺电子科技龙川有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44