一种蓄压式均匀气冷结构，其本体具有一进气端、一排气端，以及一位于进气端与排气端间的处理区，该进气端设有一蓄压空间，该蓄压空间与处理区之间设有一蓄压板；借此，令进气端通入蓄压空间的气体可储压于蓄压空间中，待气压到达蓄压板的额定值时再均匀流向处理区。本发明专利技术可改善现有的制造设备冷却气流会随着距离进气口、排气口的远近而无法均匀，散热效果不佳令产品良率下降等缺点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种蓄压式均匀气冷结构。
技术介绍
以特定频率的光源照射相对应能隙的物体，可令原本位于价带的电 子跳跃至传导带，以产生较大的活性与特定的反应，此种利用特定光源 照射的处理方式，被广泛的运用于各式制造设备的中；操作高频率光源，例如紫外线等高频率光源时，无可避免的会伴随 产生相当多的热量，这些热量往往并非制造中所需要的，甚至是制造中 必需避免的，因此制造设备中便需要搭配各式降、温设计，其中较常见的 为气冷系统，借由压縮机等设备将低温气体导入制造设备中，以使受光 照的基板等物体，可由气流带走多余的热量，使得基板等物体可保持在 一定的温度下，以维持产品质量；现有的制造设备冷却装置如美国专利U S3994073、 US4 6 4 6 4 4 6号等，其皆简单的以一压縮机或鼓风机，将低温气体由一 进气端吹入制造设备的处理区，再由排气端将温度升高后的气体排出， 此种方式若使用于具有较大处理区的制造设备上，则进气端离进气口较 近与较远处，其气体压力分布明显不同，故其所流经的气体流量相差甚 多，造成处理区的气流不均匀，进而使处理区内受光照的基板等物体散 热效果不一，部分基板无法有效散热，质量不佳良率下降；再者，现有结构在排气端亦有着相同的气流不平均的问题，若处理 区空间较大，则远离排气端排气口处的气体流速较慢，而靠近排气口处 的气体流速较快，如此更会恶化气流不均匀的情况。
技术实现思路
本专利技术所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺 陷，而提供一种蓄压式均匀气冷结构，其可改善现有的制造设备冷却气流会随着距离进气口、排气口的远近而无法均匀，散热效果不佳令产品 良率下降等缺点。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种蓄压式均匀气冷结构，其特征在于，其本体具有一进气端、一 排气端，以及一位于进气端与排气端间的处理区，该进气端设有一蓄压 空间，该蓄压空间与处理区之间设有一蓄压板；借此，令进气端通入蓄 压空间的气体可储压于蓄压空间中，待气压到达蓄压板的额定值时再均 匀流向处理区。前述的蓄压式均匀气冷结构，其中排气端具有一排气口，并以一风 网将排气口与处理区分隔，该风网上具有数个大小不同的气孔，该气孔 的大小排列方式为靠近排气口的气孔较小，远离排气口的气孔较大的方式。前述的蓄压式均匀气冷结构，其中排气端设有一排气空间与一排气 口，该排气空间为远离排气口处较小，而靠近排气口处较大的形态。前述的蓄压式均匀气冷结构，其中排气端设有一风网将排气口、排 气空间与处理区分隔，该风网对应排气空间的大小而倾斜排列。 前述的蓄压式均匀气冷结构，其中进气端设有一导气板。 前述的蓄压式均匀气冷结构，其中本体为一紫外线多层炉。 前述的蓄压式均匀气冷结构，其中导气板可为纵向与横向交错设置。 前述的蓄压式均匀气冷结构，其中蓄压板可替换为不同额定风压的 蓄压板。前述的蓄压式均匀气冷结构，其中蓄压板可替换为不同额定风量的 蓄压板。前述的蓄压式均匀气冷结构，其中导气板可借由不同的开闭程度来 调整风向。借由上述的结构，当低温冷却气体被鼓风机由进气口吹入进气端的 蓄压空间时，该气体会先被蓄压板阻绝而无法立刻流向处理区，待蓄压 空间内的气体压力逐渐升高至蓄压板的额定值时，气体方可通过蓄压板， 并经由导气板的方向微调而流入本体处理区各处理板内，此时的气体因 先在蓄压空间中汇集至较高的气压，故整个蓄压空间中的气体压力是呈均匀分布的状态，蓄压空间中的气体分布无压力差，因此流向本体处理 区各处理板的低温冷却气体亦呈现一均匀无流量差的情况，而可有效的 提供各处理板降温效果；而当气流通过处理板而吸收热量之后，其可由 排气端的排气口排出，该排气端在排气空间与处理区之间设有一风网， 该风网的气孔是呈远离排气口的气孔孔径较大，而靠近排气口的气孔孔 径较小的排列方式，因此在较远离排气口处的气流所受阻力较小、靠近 排气口处的气流所受阻力较大，如此亦可平冲排气端排气空间处的压力 差，而使处理区各处理板的气流在排出时亦保持均匀的状态。本专利技术的有益效果是，其可改善现有的制造设备冷却气流会随着距离 进气口、排气口的远近而无法均匀，散热效果不佳令产品良率下降等缺 点。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 图1是本专利技术蓄压式均匀气冷结构的分解结构示意图。 图1之一是本专利技术蓄压式均匀气冷结构的导气板横向导气口的局部 放大示意图。图2是本专利技术蓄压式均匀气冷结构的外观立体示意图。 图3是本专利技术蓄压式均匀气冷结构另一角度的外观立体示意图。 图3之一是本专利技术蓄压式均匀气冷结构的导气板纵向导气口的局部 放大示意图。图4是本专利技术蓄压式均匀气冷结构处理区装设处理板的示意图。 图5是本专利技术蓄压式均匀气冷结构均匀气流方向的示意图。图中标号说明11 0 11 0 22 1 — 2 2 — 2 4 — 2 4 1陽本体-处理板-鼓风机-进气口-蓄压空间-导气板1 02 02 3-处理区-进气端 压板-导气口2 4 2-导气口3 0-排气端3 1-排气口 3 2-排气空间3 3-风网3 3 1——气孔 具体实施例方式本专利技术是一种蓄压式均匀气冷结构，请参阅图1至图3所示，这种 蓄压式均匀气冷结构主要包括一制造设备的本体1 ，该本体1在本实施 例中是以一紫外线多层炉为结构进行说明，但并不以此为限；该本体1主要具有一处理区1 0 ,该处理区1 0可供数个处理板1 0 l活动设置，该处理板l 0 1内可装设紫外灯与承载盘等制造相关结 构，该本体1下方另设有一鼓风机1 0 2 (请参阅图5),此乃一般现有 的紫外线多层炉结构设计，在此不再赘述。该本体1处理区1 0 —侧是设有一进气端2 0 ，该进气端2 0具有 一进气口 2 1与一蓄压空间2 2 ，令鼓风机1 0 2的低温气流可由进气 口2 l进入蓄压空间2 2之中；该蓄压空间2 2与处理区1 0之间设有 蓄压板2 3与导气板2 4 ,该蓄压板2 3仅可在蓄压空间2 2内气压达 到预设的额定值时供气流通过，且可视不同需求而替换不同额定风压或 风量的蓄压板2 3 ，而该导气板2 4则如图1之一与图3之3所示，其 是可设置为横向与纵向，而形成横向的导气口2 4 l与纵向的导气口2 4 2，使用者亦可视其所需而调整导气板2 4的开闭程度以调整风向；该本体1处理区1 0另一侧设有一排气端3 0 ，该排气端3 0具有 一排气口 3 i与一排气空间3 2 ，该排气口 3 1可将已吸收处理区1 0 热量的气体排出；该排气空间3 2与处理区1 0之间是设有风网3 3， 借该风网3 3将处理区1 O与排气口 3 l分隔，而该风网3 3上设有数 个排气用的气孔3 3 1，该气孔3 3 l可为方形、圆形，或椭圆形等形 状，该气孔3 3 1的大小不尽相同，该气孔3 3 1的大小排列方式为靠 近排气口 3 1的气孔3 3 1较小，远离排气口 3 1的气孔3 3 1较大的 方式，亦即气孔3 3 l愈靠近排气口3 l的孔径较小，而愈远离排气口 3 1的孔径较大。再请配合参阅图4与图5所示，本专利技术在使用时，该处理区l 0可如图4所示同时置入数个处理板l 0 1以提高效率，而每一处理板l 0 1因距离进气端2 0进气口 2 1、排气端3 0排气口 3 1的位置不同， 故本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种蓄压式均匀气冷结构，其特征在于，其本体具有一进气端、一排气端，以及一位于进气端与排气端间的处理区，该进气端设有一蓄压空间，该蓄压空间与处理区之间设有一蓄压板； 借此，令进气端通入蓄压空间的气体可储压于蓄压空间中，待气压到达蓄压板的额定值时再均匀流向处理区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：巫吉生，赖志勇，张义斌，
申请(专利权)人：志圣工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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