【技术实现步骤摘要】
具有红外滤波器的背侧照明图像传感器
本公开涉及背侧照明(BSI)图像传感器。
技术介绍
图像传感器是用于将光转换为电信号的器件。近来,随着计算机和通信产业的发展,在包括便携式摄像机、游戏机、数码相机、显示装置、移动电话(例如智能电话)等的各种领域中,期望具有改进的性能的图像传感器。传统上,主要使用前侧照明(FSI)图像传感器。FSI图像传感器的缺点在于,由于线路设置在光电二极管上,所以光接收效率降低。最近,已经发展了背侧照明(BSI)图像传感器以减少这样的FSI图像传感器的缺点。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施方式涉及提供嵌入红外线/辐射(IR)截止滤波器的背侧照明(BSI)图像传感器。此外,本专利技术构思的一些示例实施方式涉及提供一种BSI图像传感器模块,其制造效率通过在图像传感器内嵌入IR截止滤波器而提高。此外,本专利技术构思的一些示例实施方式涉及提供一种BSI图像传感器模块,其厚度和制造成本通过将IR截止滤波器嵌入到图像传感器中而减小。此外,本专利技术构思的一些示例实施方式涉及提供一种包括BSI图像传感器的电子装置,该BSI图像传感器具有IR截止滤波器。另外,本专利技术构思的一些示例实施方式涉及提供一种包括图像传感器的电子装置,该图像传感器的厚度减小。根据示例实施方式,提供一种BSI图像传感器,其包括基板和多个像素,多个像素配置为响应于入射在基板上的光而产生电信号。多个像素中的每个可以包括:光电二极管;器件隔离区域,在光电二极管周围;暗电流 ...
【技术保护点】
1.一种背侧照明(BSI)图像传感器,包括:/n基板;和/n多个像素,配置为响应于入射在所述基板上的光而产生电信号,/n其中所述多个像素中的每个包括:/n光电二极管;/n器件隔离区域,在所述光电二极管周围;/n暗电流抑制层,在所述光电二极管之上;/n红外辐射(IR)截止滤波器,在所述光电二极管之上;/n遮光图案,在所述光电二极管之上并包括对应于所述多个像素中的每个像素的1%至15%的面积的开口;/n光截止滤波器层,在除了所述开口之外的所述遮光图案上;/n平坦化层,在所述光截止滤波器层上;以及/n透镜,在所述平坦化层上。/n
【技术特征摘要】
20181220 KR 10-2018-01659351.一种背侧照明(BSI)图像传感器,包括:
基板;和
多个像素,配置为响应于入射在所述基板上的光而产生电信号,
其中所述多个像素中的每个包括:
光电二极管;
器件隔离区域,在所述光电二极管周围;
暗电流抑制层,在所述光电二极管之上;
红外辐射(IR)截止滤波器,在所述光电二极管之上;
遮光图案,在所述光电二极管之上并包括对应于所述多个像素中的每个像素的1%至15%的面积的开口;
光截止滤波器层,在除了所述开口之外的所述遮光图案上;
平坦化层,在所述光截止滤波器层上;以及
透镜,在所述平坦化层上。
2.根据权利要求1所述的背侧照明图像传感器,其中所述器件隔离区域和所述暗电流抑制层共同地包括多个层的一体堆叠,每个层具有负电荷。
3.根据权利要求1所述的背侧照明图像传感器,其中所述遮光图案的所述开口在所述多个像素中的每个像素的中心部分中。
4.根据权利要求1所述的背侧照明图像传感器,其中所述IR截止滤波器在所述光电二极管和所述遮光图案之间。
5.根据权利要求1所述的背侧照明图像传感器,其中所述IR截止滤波器在所述遮光图案和所述平坦化层之间。
6.根据权利要求1所述的背侧照明图像传感器,其中:
所述平坦化层包括在所述遮光图案上的第一平坦化层和在所述第一平坦化层上的第二平坦化层;并且
所述IR截止滤波器在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间。
7.根据权利要求1所述的背侧照明图像传感器,其中所述IR截止滤波器在所述平坦化层和所述透镜之间。
8.根据权利要求1所述的背侧照明图像传感器,其中所述IR截止滤波器在所述透镜上。
9.根据权利要求1所述的背侧照明图像传感器,
其中所述IR截止滤波器包括多个折射率膜,所述多个折射率膜包括:
多个第一折射率膜,具有第一折射率;和
多个第二折射率膜,具有高于所述第一折射率的第二折射率,并且
其中所述多个第一折射率膜与所述多个第二折射率膜交替地堆叠。
10.根据权利要求9所述的背侧照明图像传感器,其中:
所述多个第一折射率膜中的每个具有1.2至1.8的折射率,并且
所述多个第二折射率膜中的每个具有2.0至2.8的折射率。
11.根据权利要求1所述的背侧照明图像传感器,其中:
所述IR截止滤波器包括多个折射率膜的堆叠,
所述多个折射率膜中的包括所述堆叠的奇数层的第一折...
【专利技术属性】
技术研发人员:李允基,朴钟勋,朴俊城,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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