【技术实现步骤摘要】
堆叠式的图像传感芯片、图像传感器和电子设备
本申请涉及半导体芯片领域，并且更为具体地，涉及一种堆叠式的图像传感芯片、图像传感器和电子设备。
技术介绍
随着半导体和集成电路技术的发展，芯片的器件类型越来越丰富，集成度越来越高，在二维平面上，随着半导体工艺发展到某个极致程度，无法进一步提高芯片的性能，因此，目前业内提出了一种三维堆叠的概念，将芯片从二维扩展到三维，即将不同功能的芯片模块上下堆叠在一起进行封装，从而提高芯片的整体性能和良率。在一种实现方式中，上层晶片(Die)和下层晶片通过晶圆级键合工艺(Wafer-levelBondingProcess)，以晶圆(Wafer)到晶圆的方式堆叠至一起，以形成堆叠式的三维芯片。为了满足堆叠的工艺要求，上层晶片和下层晶片具有相同的晶片尺寸，上层晶圆上上层晶片的数量与下层晶圆上晶片的数量相等，但当上层晶片和下层晶片不是同一类型的晶片时，该堆叠方式会造成晶圆面积的浪费，增加堆叠式芯片的制造成本。因此，何如降低堆叠式芯片的制造成本，是一项亟待解决的问题。技术内...
【技术保护点】
1.一种堆叠式的图像传感芯片，其特征在于，包括：/n载体晶片，其中设置有第一凹槽；/n逻辑晶片，设置于所述第一凹槽中；/n像素晶片，堆叠于所述载体晶片和所述逻辑晶片的上方，所述像素晶片的表面面积大于所述逻辑晶片的表面面积；/n其中，所述像素晶片包括像素阵列，用于接收光信号并转换为电信号，所述逻辑晶片包括信号处理电路以及控制电路，所述信号处理电路用于处理所述电信号，所述控制电路用于控制所述像素阵列中的多个像素工作；/n位于所述逻辑晶片与所述像素晶片之间的再布线层，所述逻辑晶片中的所述信号处理电路以及所述控制电路通过所述再布线层与所述像素晶片电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种堆叠式的图像传感芯片，其特征在于，包括：
载体晶片，其中设置有第一凹槽；
逻辑晶片，设置于所述第一凹槽中；
像素晶片，堆叠于所述载体晶片和所述逻辑晶片的上方，所述像素晶片的表面面积大于所述逻辑晶片的表面面积；
其中，所述像素晶片包括像素阵列，用于接收光信号并转换为电信号，所述逻辑晶片包括信号处理电路以及控制电路，所述信号处理电路用于处理所述电信号，所述控制电路用于控制所述像素阵列中的多个像素工作；
位于所述逻辑晶片与所述像素晶片之间的再布线层，所述逻辑晶片中的所述信号处理电路以及所述控制电路通过所述再布线层与所述像素晶片电连接。
2.根据权利要求1所述的图像传感芯片，其特征在于，所述载体晶片的表面面积与所述像素晶片的表面面积相等，所述像素晶片与所述逻辑晶片之间通过晶圆级键合形成堆叠。
3.根据权利要求1所述的图像传感芯片，其特征在于，所述图像传感芯片还包括填充层，所述填充层设置在所述逻辑晶片与所述第一凹槽之间、所述载体晶片的上表面、以及所述逻辑晶片上表面中除第一金属线路层外的区域；
其中，所述填充层用于将所述逻辑晶片固定在所述第一凹槽中，所述第一金属线路层为所述逻辑晶片的线路层。
4.根据权利要求3所述的图像传感芯片，其特征在于，所述再布线层设置于所述填充层以及所述第一金属线路层的上表面，用于电连接所述第一金属线路层与所述像素晶片。
5.根据权利要求3所述的图像传感芯片，其特征在于，所述图像传感芯片还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖在所述再布线层以及所述填充层上方，所述绝缘介质层的上表面与所述像素晶片的下表面键合在一起。
6.根据权利要求3所述的图像传感芯片，其特征在于，所述填充层为可用于光刻的干膜材料层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的图像传感芯片，其特征在于，所述图像传感芯片还包括通孔互连结构，所述通孔互连结构用于电连接所述像素晶片和所述逻辑晶片。
8.根据权利要求7所述的图像传感芯片，其特征在于，所述像素晶片包括第二金属线路层和顶层金属线路层，其中，所述第二金属线路层位于所述像素晶片内部，所述顶层金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚国峰，沈健，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。